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## 第一部分 单项选择题(460题,每题唯一答案)
*
1
### 模块1 半导体产业与产业链基础(1~60题)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
1、全球半导体产业链划分为上中下游,**上游核心品类为()**
B.
芯片设计
C.
半导体设备&电子化学品&硅片
D.
晶圆代工
E.
封装测试
F.
【答案:B】
G.
2、半导体行业“IC三驾马车”不包含以下()
H.
IC设计
I.
晶圆制造
J.
封装测试
K.
终端组装
L.
【答案:D】
M.
3、当前全球硅基集成电路主流晶圆尺寸为()
N.
4/6英寸
O.
8/12英寸
P.
15英寸
Q.
18英寸
R.
【答案:B】
S.
4、12英寸晶圆对应毫米尺寸为()
T.
150mm
U.
200mm
V.
300mm
W.
450mm
X.
【答案:C】
Y.
5、8英寸(200mm)硅片主要适配制程节点()
Z.
7nm以下先进制程
[.
90nm及以上成熟特色工艺
\.
3nm
].
2nm
^.
【答案:B】
_.
6、逻辑CPU、GPU、DRAM存储芯片优先采用()晶圆生产
`.
6英寸
a.
8英寸
b.
12英寸
c.
4英寸
d.
【答案:C】
e.
7、功率器件、IGBT、MOSFET主流量产晶圆为()
f.
12英寸
g.
8英寸
h.
6英寸
i.
5英寸
j.
【答案:B】
k.
8、Fab厂指代()
l.
封装工厂
m.
晶圆制造工厂
n.
芯片设计公司
o.
测试代工厂
p.
【答案:B】
q.
9、IDM模式定义为()
r.
只做设计
s.
设计+制造+封测一体化
t.
只代工晶圆
u.
只封装
v.
【答案:B】
w.
10、Fabless模式企业特征()
x.
自建晶圆产线
y.
只做芯片设计,外包制造封测
z.
自建封测厂
{.
自产硅片
|.
【答案:B】
}.
11、Foundry中文名称()
~.
设计公司
.
晶圆代工企业
.
封测企业
.
材料厂商
.
【答案:B】
.
12、全球第一大晶圆代工企业是()
.
中芯国际
.
台积电
.
三星
.
格芯
.
【答案:B】
.
13、中国大陆本土头部晶圆代工(成熟制程)企业()
.
华虹半导体
.
长电科技
.
韦尔股份
.
兆易创新
.
【答案:A】
.
14、封测行业国内龙头企业()
.
中芯国际
.
长电科技
.
北方华创
.
沪硅产业
.
【答案:B】
.
15、半导体设备中光刻机归属()环节设备
.
设计
.
前道晶圆制造
.
后道封装
.
终端应用
.
【答案:B】
.
16、光刻胶、湿电子化学品属于半导体()材料
.
基底材料
.
制造辅材
.
封装材料
.
靶材
.
【答案:B】
¡.
17、硅片、碳化硅衬底属于()
¢.
基底基材
£.
工艺耗材
¤.
封装辅料
¥.
光刻配套材料
¦.
【答案:A】
§.
18、引线框架、塑封料属于()材料
¨.
晶圆制造材料
©.
封装材料
ª.
抛光材料
«.
掺杂材料
¬.
【答案:B】
.
19、存储芯片主流品类DRAM应用场景()
®.
手机闪存
¯.
电脑运行内存
°.
固态硬盘
±.
U盘
².
【答案:B】
³.
20、NAND Flash主要用途()
´.
运行内存
µ.
固态存储、闪存盘
¶.
功率器件
·.
射频芯片
¸.
【答案:B】
¹.
21、MCU中文全称()
º.
微控制器
».
功率芯片
¼.
射频芯片
½.
存储芯片
¾.
【答案:A】
¿.
22、IGBT核心应用领域()
À.
消费电子芯片
Á.
新能源汽车、工业变频
Â.
手机基带
Ã.
固态硬盘
Ä.
【答案:B】
Å.
23、射频芯片主要配套()产品
Æ.
电源芯片
Ç.
智能手机、通信基站
È.
存储
É.
CPU
Ê.
【答案:B】
Ë.
24、先进制程一般界定为()及以下节点
Ì.
28nm
Í.
14nm
Î.
7nm
Ï.
90nm
Ð.
【答案:B】
Ñ.
25、成熟制程常用节点不含()
Ò.
28nm
Ó.
40nm
Ô.
90nm
Õ.
3nm
Ö.
【答案:D】
×.
26、EUV极紫外光刻机用于()制程量产
Ø.
28nm
Ù.
7nm及以下先进制程
Ú.
130nm
Û.
180nm
Ü.
【答案:B】
Ý.
27、DUV深紫外光刻机主流覆盖()工艺
Þ.
3/5nm
ß.
7~28nm
à.
130nm以上
á.
6英寸晶圆工艺
â.
【答案:B】
ã.
28、半导体行业景气周期通常跟随()需求波动
ä.
大宗商品
å.
下游电子终端(手机、PC、新能源车)
æ.
煤炭钢铁
ç.
地产
è.
【答案:B】
é.
29、CIS图像传感器主要生产厂商()
ê.
韦尔股份(豪威)
ë.
中芯国际
ì.
长电科技
í.
安集科技
î.
【答案:A】
ï.
30、靶材产品用于芯片()工艺
ð.
薄膜PVD金属沉积
ñ.
光刻
ò.
掺杂
ó.
划片
ô.
【答案:A】
õ.
31、CMP抛光液配套()工序
ö.
化学机械平坦化
÷.
刻蚀
ø.
氧化
ù.
离子注入
ú.
【答案:A】
û.
32、半导体高纯电子气体主要用途()
ü.
薄膜沉积、刻蚀、掺杂
ý.
封装塑封
þ.
晶圆切割
ÿ.
芯片老化
Ā.
【答案:A】
ā.
33、第三代半导体特指()体系
Ă.
硅、锗
ă.
砷化镓
Ą.
SiC碳化硅、GaN氮化镓
ą.
磷化铟
Ć.
【答案:C】
ć.
34、硅基半导体属于()代半导体材料
Ĉ.
第一代
ĉ.
第二代
Ċ.
第三代
ċ.
第四代
Č.
【答案:A】
č.
35、砷化镓、磷化铟属于()半导体
Ď.
第一代
ď.
第二代化合物半导体
Đ.
第三代
đ.
宽禁带半导体
Ē.
【答案:B】
ē.
36、宽禁带半导体禁带宽度标准大于()eV
Ĕ.
1.12
ĕ.
2.3
Ė.
3
ė.
5
Ę.
【答案:B】
ę.
37、SiC碳化硅核心优势()
Ě.
低压小功率
ě.
耐高温高压、新能源功率器件
Ĝ.
低频射频
ĝ.
低成本替代硅所有场景
Ğ.
【答案:B】
ğ.
38、GaN氮化镓主要应用()
Ġ.
快充、射频基站
ġ.
高压电网器件
Ģ.
电脑CPU
ģ.
存储芯片
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
39、半导体国产化聚焦三大方向:设备、材料、()
Ħ.
终端整机
ħ.
芯片设计与制造
Ĩ.
家电制造
ĩ.
光伏组件
Ī.
【答案:B】
ī.
40、EDA工具用途()
Ĭ.
芯片设计软件
ĭ.
晶圆制造设备
Į.
封装设备
į.
测试仪器
İ.
【答案:A】
ı.
41、ASIC中文含义()
IJ.
通用处理器
ij.
专用集成电路
Ĵ.
存储芯片
ĵ.
功率器件
Ķ.
【答案:B】
ķ.
42、FPGA中文全称()
ĸ.
现场可编程门阵列
Ĺ.
单片机
ĺ.
电源IC
Ļ.
射频芯片
ļ.
【答案:A】
Ľ.
43、SoC含义()
ľ.
系统级芯片
Ŀ.
分立器件
ŀ.
功率模块
Ł.
存储颗粒
ł.
【答案:A】
Ń.
44、半导体分立器件不含()
ń.
二极管、三极管
Ņ.
MOSFET
ņ.
IGBT单管
Ň.
CPU芯片
ň.
【答案:D】
ʼn.
45、车用半导体四大类:功率IC、MCU、传感器、()
Ŋ.
消费闪存
ŋ.
通信SoC
Ō.
存储颗粒
ō.
电视芯片
Ŏ.
【答案:B】
ŏ.
46、CP测试指代()
Ő.
晶圆在片探针测试
ő.
成品封装后测试
Œ.
可靠性老化
œ.
划片测试
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
47、FT测试指代()
Ŗ.
封装完成后成品电性测试
ŗ.
晶圆测试
Ř.
高温老化
ř.
晶圆减薄检测
Ś.
【答案:A】
ś.
48、Wafer中文释义()
Ŝ.
芯片
ŝ.
晶圆
Ş.
封装基板
ş.
光刻掩模版
Š.
【答案:B】
š.
49、Die中文释义()
Ţ.
裸芯片晶粒
ţ.
整圆晶圆
Ť.
封装外壳
ť.
划片槽
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
50、Package含义()
Ũ.
封装成品芯片
ũ.
裸片
Ū.
硅片
ū.
光刻胶
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
51、Blade划片用于()工序
Ů.
晶圆晶粒分割
ů.
薄膜沉积
Ű.
光刻曝光
ű.
离子注入
Ų.
【答案:A】
ų.
52、晶圆上Scribe Line作用()
Ŵ.
划片分割预留槽、对准标记
ŵ.
器件有源区
Ŷ.
金属布线区
ŷ.
测试芯片区
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
53、Test Key含义()
ź.
晶圆测试监控结构芯片
Ż.
量产功能芯片
ż.
封装引脚
Ž.
光刻掩膜
ž.
【答案:A】
ſ.
54、半导体高纯去离子水标准电阻率≥()MΩ·cm
ƀ.
1
Ɓ.
18.2
Ƃ.
10
ƃ.
5
Ƅ.
【答案:B】
ƅ.
55、前道工艺定义:从硅片→晶圆制成裸Die,不包含()
Ɔ.
光刻刻蚀
Ƈ.
薄膜沉积
ƈ.
封装塑封
Ɖ.
离子注入
Ɗ.
【答案:C】
Ƌ.
56、后道封测起始工序()
ƌ.
晶圆研磨减薄
ƍ.
氧化工艺
Ǝ.
CMP抛光
Ə.
光刻
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
57、BGA封装优势()
ƒ.
引脚多、散热好、集成度高
Ɠ.
引脚少成本极低
Ɣ.
只能小电流
ƕ.
不适合高密度芯片
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
58、SOP封装多用于()器件
Ƙ.
大功率IGBT模块
ƙ.
中小功率MCU、分立器件
ƚ.
先进制程CPU
ƛ.
大容量DRAM
Ɯ.
【答案:B】
Ɲ.
59、半导体设备国产化主力(刻蚀机)厂商()
ƞ.
中微公司
Ɵ.
中芯国际
Ơ.
长电科技
ơ.
沪硅产业
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
60、国产光刻胶头部企业聚焦()配套
Ƥ.
先进EUV
ƥ.
成熟制程DUV光刻胶
Ʀ.
第三代半导体衬底
Ƨ.
封装胶
ƨ.
【答案:B】
*
2
### 模块2 半导体物理基础(61~140题,共80题)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
61、纯净硅晶体常温下导电类型()
B.
导体
C.
绝缘体
D.
本征半导体(弱导电)
E.
超导体
F.
【答案:C】
G.
62、硅原子最外层价电子数()
H.
3
I.
4
J.
5
K.
6
L.
【答案:B】
M.
63、N型半导体掺杂元素为()价施主杂质
N.
3
O.
4
P.
5
Q.
6
R.
【答案:C】
S.
64、P型半导体掺杂元素为()价受主杂质
T.
3
U.
4
V.
5
W.
7
X.
【答案:A】
Y.
65、硅中掺入磷P、砷As形成()半导体
Z.
P型
[.
N型
\.
本征
].
绝缘体
^.
【答案:B】
_.
66、硅中掺入硼B、铝Al形成()半导体
`.
N型
a.
P型
b.
本征
c.
金属
d.
【答案:B】
e.
67、N型半导体多数载流子(多子)为()
f.
空穴
g.
自由电子
h.
离子
i.
光子
j.
【答案:B】
k.
68、P型半导体多数载流子(多子)为()
l.
自由电子
m.
空穴
n.
质子
o.
中子
p.
【答案:B】
q.
69、硅PN结正向偏置条件()
r.
P接负、N接正
s.
P接正、N接负
t.
两端同电位
u.
悬空
v.
【答案:B】
w.
70、PN结反向偏置时耗尽层宽度()
x.
变窄
y.
变宽
z.
不变
{.
消失
|.
【答案:B】
}.
71、硅PN结室温内建电势约()V
~.
0.2~0.3
.
0.6~0.7
.
1.2
.
2.0
.
【答案:B】
.
72、齐纳击穿发生在()PN结
.
重掺杂
.
轻掺杂
.
本征硅
.
金属
.
【答案:A】
.
73、雪崩击穿多见于()PN结
.
轻掺杂
.
重掺杂
.
超高掺杂
.
绝缘体结
.
【答案:A】
.
74、硅电子迁移率____空穴迁移率()
.
大于
.
小于
.
等于
.
无固定关系
.
【答案:A】
.
75、半导体霍尔系数为负值代表()导电
.
P型(空穴)
.
N型(电子)
.
本征
.
混合型
.
【答案:B】
.
76、直接带隙半导体典型代表()
.
Si硅
.
Ge锗
.
GaAs砷化镓
.
SiC碳化硅
.
【答案:C】
¡.
77、辐射复合发光原理对应器件()
¢.
电阻
£.
LED发光二极管
¤.
普通硅二极管
¥.
MOS管
¦.
【答案:B】
§.
78、MOS管栅极介质主流材料()
¨.
SiO2二氧化硅
©.
多晶硅
ª.
铝
«.
氮化硅
¬.
【答案:A】
.
79、先进制程栅介质改用高K材料目的()
®.
减小漏电、缩小栅厚
¯.
降低成本
°.
提高导电
±.
简化工艺
².
【答案:A】
³.
80、CMOS电路由()组成
´.
N-MOS+P-MOS配对
µ.
全N-MOS
¶.
全P-MOS
·.
双极三极管
¸.
【答案:A】
¹.
81、CMOS核心优势()
º.
静态功耗极低
».
耐压极高
¼.
成本最高
½.
只能大功率
¾.
【答案:A】
¿.
82、双极型晶体管BJT载流子()
À.
仅电子
Á.
仅空穴
Â.
电子+空穴两种载流子
Ã.
无载流子
Ä.
【答案:C】
Å.
83、MOSFET属于()器件
Æ.
单极(多子导电)
Ç.
双极
È.
绝缘体
É.
超导
Ê.
【答案:A】
Ë.
84、室温升高,本征硅电阻率()
Ì.
上升
Í.
下降
Î.
不变
Ï.
突变无穷大
Ð.
【答案:B】
Ñ.
85、杂质半导体随温度小幅升高,电阻率先降后升原因()
Ò.
低温杂质电离、高温本征激发
Ó.
晶体碎裂
Ô.
金属化
Õ.
掺杂流失
Ö.
【答案:A】
×.
86、硅单晶主流晶圆晶向()
Ø.
<100>
Ù.
<111>
Ú.
<110>
Û.
<123>
Ü.
【答案:A】
Ý.
87、<111>硅片多用于()器件
Þ.
功率二极管、晶闸管
ß.
CPU逻辑
à.
DRAM存储
á.
射频芯片
â.
【答案:A】
ã.
88、晶圆边缘倒角目的()
ä.
防止工艺碎片、镀膜边缘异常
å.
提升导电
æ.
增加厚度
ç.
改变晶向
è.
【答案:A】
é.
89、直拉法CZ用于制备()硅单晶
ê.
大尺寸集成电路级单晶硅
ë.
多晶硅锭
ì.
非晶硅
í.
纳米硅
î.
【答案:A】
ï.
90、区熔法FZ硅特点()
ð.
低氧高纯、高压功率器件
ñ.
低成本大直径
ò.
适合12英寸量产
ó.
杂质含量高
ô.
【答案:A】
õ.
91、硅原料纯度电子级要求()个9以上
ö.
6N(99.9999%)
÷.
9N(99.9999999%)
ø.
3N
ù.
4N
ú.
【答案:B】
û.
92、6N多晶硅多用于()
ü.
光伏硅片
ý.
集成电路硅片
þ.
第三代衬底
ÿ.
光刻靶材
Ā.
【答案:A】
ā.
93、半导体电阻率单位()
Ă.
Ω·cm
ă.
A
Ą.
V
ą.
Hz
Ć.
【答案:A】
ć.
94、禁带宽度Eg:Si≈1.12eV,GaN约()eV
Ĉ.
1.1
ĉ.
3.4
Ċ.
2.0
ċ.
0.7
Č.
【答案:B】
č.
95、SiC禁带宽度约()eV
Ď.
1.1
ď.
3.2
Đ.
1.5
đ.
0.6
Ē.
【答案:B】
ē.
96、反向漏电流最小的器件()
Ĕ.
硅PN结二极管
ĕ.
肖特基二极管
Ė.
锗二极管
ė.
大功率晶闸管
Ę.
【答案:A】
ę.
97、肖特基势垒二极管特点()
Ě.
开关速度快、正向压降低
ě.
反向耐压极高
Ĝ.
漏电流极小
ĝ.
成本极高
Ğ.
【答案:A】
ğ.
98、晶闸管SCR属于()功率器件
Ġ.
四层三端PNPN
ġ.
两层PN
Ģ.
三层NPN
ģ.
MOS结构
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
99、二维电子气2DEG产生于()异质结
Ħ.
AlGaAs/GaAs
ħ.
Si/SiO2
Ĩ.
Ge/Si
ĩ.
SiC/GaN
Ī.
【答案:A】
ī.
100、HEMT高电子迁移率晶体管依托()实现高频特性
Ĭ.
二维电子气
ĭ.
重掺杂硅
Į.
本征硅
į.
金属接触
İ.
【答案:A】
ı.
101、半导体少子寿命影响()
IJ.
开关速度
ij.
电阻率
Ĵ.
晶格常数
ĵ.
禁带宽度
Ķ.
【答案:A】
ķ.
102、表面态会造成()
ĸ.
器件漏电、参数漂移
Ĺ.
提高导电
ĺ.
耐压提升
Ļ.
成本下降
ļ.
【答案:A】
Ľ.
103、钝化工艺目的()
ľ.
消除硅表面态、稳定器件性能
Ŀ.
增加掺杂
ŀ.
加厚硅片
Ł.
改变晶向
ł.
【答案:B】
Ń.
104、硅热氧化生长SiO2,干氧氧化速率()湿氧
ń.
快于
Ņ.
慢于
ņ.
相等
Ň.
无规律
ň.
【答案:B】
ʼn.
105、干氧氧化优势()
Ŋ.
氧化层致密、缺陷少
ŋ.
生长速度快
Ō.
温度低
ō.
成本低
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
106、湿氧氧化优势()
Ő.
氧化速率快
ő.
薄膜致密
Œ.
漏电小
œ.
适合超薄栅氧
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
107、SiO2二氧化硅在芯片中不能作为()
Ŗ.
栅介质
ŗ.
绝缘隔离层
Ř.
导电布线
ř.
钝化层
Ś.
【答案:C】
ś.
108、离子注入相比热扩散掺杂优势()
Ŝ.
剂量能量精准可控、低温工艺
ŝ.
成本更低
Ş.
设备简单
ş.
掺杂深度不可控
Š.
【答案:A】
š.
109、退火工艺目的()
Ţ.
修复离子注入晶格损伤、激活杂质
ţ.
刻蚀硅片
Ť.
沉积薄膜
ť.
光刻曝光
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
110、快速热退火RTA优势()
Ũ.
短时高温、减少杂质横向扩散
ũ.
长时间恒温
Ū.
低温慢退火
ū.
成本极低
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
111、光刻工艺流程正确排序()
Ů.
涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜
ů.
曝光→涂胶→显影
Ű.
显影→曝光→涂胶
ű.
前烘→显影→曝光
Ų.
【答案:A】
ų.
112、正性光刻胶曝光区域()
Ŵ.
显影溶解去除
ŵ.
显影保留
Ŷ.
全部固化
ŷ.
不发生变化
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
113、负性光刻胶曝光区域()
ź.
显影保留、未曝光溶解
Ż.
曝光溶解
ż.
全部去除
Ž.
无变化
ž.
【答案:A】
ſ.
114、光刻分辨率公式R=k1·λ/NA,减小R(提升精度)方法()
ƀ.
缩短光源波长λ
Ɓ.
增大k1
Ƃ.
减小NA
ƃ.
加厚光刻胶
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
115、EUV光源波长()级别
Ɔ.
13.5nm极紫外
Ƈ.
193nm DUV
ƈ.
365nm紫外
Ɖ.
可见光
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
116、193nmArF光刻配套()制程
ƌ.
7~28nm
ƍ.
3nm
Ǝ.
180nm
Ə.
500nm
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
117、365nmHg灯i线光刻多用于()成熟工艺
ƒ.
≥350nm、分立器件
Ɠ.
14nm
Ɣ.
7nm
ƕ.
5nm
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
118、干法等离子刻蚀特点()
Ƙ.
各向异性、图形垂直度好
ƙ.
各向同性侧向钻蚀严重
ƚ.
全湿法化学腐蚀
ƛ.
无等离子体
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
119、湿法化学刻蚀典型特征()
ƞ.
各向同性、侧向腐蚀
Ɵ.
定向垂直刻蚀
Ơ.
等离子轰击
ơ.
真空环境
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
120、CMP化学机械抛光核心作用()
Ƥ.
晶圆全局平坦化
ƥ.
掺杂杂质
Ʀ.
光刻曝光
Ƨ.
薄膜生长
ƨ.
【答案:A】
Ʃ.
121、PVD物理气相沉积原理()
ƪ.
溅射/蒸发成膜
ƫ.
化学反应气相沉积
Ƭ.
液体涂布
ƭ.
高温氧化
Ʈ.
【答案:A】
Ư.
122、CVD化学气相沉积依靠()成膜
ư.
气态前驱体化学反应
Ʊ.
物理溅射
Ʋ.
熔融涂布
Ƴ.
电化学沉积
ƴ.
【答案:A】
Ƶ.
123、PECVD等离子增强CVD优势()
ƶ.
低温沉积,适配不耐高温介质/金属层
Ʒ.
超高温CVD
Ƹ.
只沉积单晶硅
ƹ.
无法沉积氮化硅
ƺ.
【答案:A】
ƻ.
124、多晶硅薄膜常用气源()
Ƽ.
硅烷SiH4
ƽ.
氨气NH3
ƾ.
氧气O2
ƿ.
氮气N2
ǀ.
【答案:B】
ǁ.
125、氮化硅Si3N4常用气源()
ǂ.
SiH4+NH3
ǃ.
O2+SiH4
DŽ.
N2+O2
Dž.
HCl+H2
dž.
【答案:A】
LJ.
126、铝布线主流沉积工艺()
Lj.
PVD溅射
lj.
CVD沉积
NJ.
电化学镀
Nj.
热蒸发
nj.
【答案:A】
Ǎ.
127、先进制程铜互连采用()工艺
ǎ.
电镀+CMP
Ǐ.
PVD整层溅射
ǐ.
CVD铜薄膜
Ǒ.
热蒸发
ǒ.
【答案:A】
Ǔ.
128、铜互连替代铝关键原因()
ǔ.
电阻率更低、RC延迟小
Ǖ.
成本更低
ǖ.
工艺更简单
Ǘ.
熔点更高
ǘ.
【答案:A】
Ǚ.
129、阻挡层Ta/TaN用于铜互连目的()
ǚ.
防止铜扩散入硅/介质层
Ǜ.
增加导电
ǜ.
加厚布线
ǝ.
降低硬度
Ǟ.
【答案:A】
ǟ.
130、RCA标准清洗SC1主要去除()
Ǡ.
颗粒、有机杂质
ǡ.
金属离子
Ǣ.
氧化层
ǣ.
体内杂质
Ǥ.
【答案:A】
ǥ.
131、RCA清洗SC2主要去除()
Ǧ.
重金属离子杂质
ǧ.
颗粒
Ǩ.
光刻胶
ǩ.
原生氧化层
Ǫ.
【答案:A】
ǫ.
132、DHF稀HF清洗去除()
Ǭ.
硅表面原生氧化层
ǭ.
有机污物
Ǯ.
颗粒
ǯ.
体内掺杂杂质
ǰ.
【答案:A】
DZ.
133、晶圆减薄背面研磨目的()
Dz.
减薄芯片厚度、改善散热、适配封装
dz.
改变晶向
Ǵ.
提高导电
ǵ.
去除正面器件
Ƕ.
【答案:A】
Ƿ.
134、划片后晶圆Die键合Pad用于()
Ǹ.
金丝/铜线绑定引出电极
ǹ.
器件有源区
Ǻ.
隔离区
ǻ.
接地环
Ǽ.
【答案:A】
ǽ.
135、引线键合WB工序()
Ǿ.
裸片焊盘→封装引脚电气连接
ǿ.
晶圆切割
Ȁ.
塑封成型
ȁ.
成品测试
Ȃ.
【答案:A】
ȃ.
136、塑封Molding作用()
Ȅ.
环氧树脂包裹芯片防护、防潮抗机械损伤
ȅ.
电气导通
Ȇ.
散热唯一通道
ȇ.
提升导电
Ȉ.
【答案:A】
ȉ.
137、老化测试Burn-In目的()
Ȋ.
高温加速筛选早期失效芯片
ȋ.
提升芯片性能
Ȍ.
更改芯片参数
ȍ.
封装成型
Ȏ.
【答案:A】
ȏ.
138、ESD静电损伤属于()失效
Ȑ.
电应力可靠性失效
ȑ.
机械破损
Ȓ.
化学腐蚀
ȓ.
封装开裂
Ȕ.
【答案:A】
ȕ.
139、温度循环测试TC考核()
Ȗ.
封装界面热胀冷缩可靠性
ȗ.
电性参数
Ș.
存储容量
ș.
射频性能
Ț.
【答案:A】
ț.
140、HAST高压蒸煮测试考核()
Ȝ.
封装防潮耐湿可靠性
ȝ.
耐压性能
Ȟ.
开关速度
ȟ.
功耗指标
Ƞ.
【答案:A】
*
3
### 模块3 晶圆制造五大核心工艺(141~220题,80题)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
141、芯片前道四大基础工艺排序:薄膜→光刻→刻蚀→()
B.
掺杂(离子注入/扩散)
C.
封装
D.
划片
E.
测试
F.
【答案:A】
G.
142、薄膜工艺三大类不包含()
H.
氧化热生长
I.
CVD/PVD淀积
J.
外延生长
K.
晶圆切割
L.
【答案:D】
M.
143、硅外延Epitaxy含义()
N.
单晶薄膜在硅衬底定向生长
O.
多晶沉积
P.
氧化层生长
Q.
光刻胶涂布
R.
【答案:A】
S.
144、同质外延()
T.
薄膜与衬底同材料(硅上长硅)
U.
不同材料异质
V.
氧化层外延
W.
金属外延
X.
【答案:A】
Y.
145、异质外延典型()
Z.
GaN长在蓝宝石/SiC衬底
[.
硅上硅外延
\.
铝膜长硅
].
SiO2长硅
^.
【答案:A】
_.
146、LPCVD低压化学气相沉积多用于()
`.
多晶硅、氮化硅薄膜
a.
金属铝溅射
b.
干法刻蚀
c.
热氧化
d.
【答案:A】
e.
147、ALD原子层沉积特点()
f.
单分子层级精准镀膜、台阶覆盖极佳
g.
高速厚膜沉积
h.
高温常压
i.
成本极低
j.
【答案:A】
k.
148、靶材消耗发生在()工艺
l.
PVD溅射
m.
CVD
n.
热氧化
o.
湿法刻蚀
p.
【答案:A】
q.
149、光刻掩模版Mask作用()
r.
图形原版,曝光转移电路图案到光刻胶
s.
晶圆承载
t.
掺杂源
u.
刻蚀挡板
v.
【答案:A】
w.
150、掩模版铬层作用()
x.
遮光、形成不透光电路图形
y.
透光区
z.
导电布线
{.
绝缘层
|.
【答案:A】
}.
151、光刻离轴照明OAI目的()
~.
提升小尺寸图形分辨率
.
加快曝光速度
.
降低设备成本
.
加厚光刻胶
.
【答案:A】
.
152、光刻相移掩模PSM优化()
.
边缘对比度、提升分辨率
.
曝光剂量
.
胶厚
.
显影速度
.
【答案:A】
.
153、显影不足后果()
.
残留光刻胶、图形断线/畸变
.
图形过细断线
.
衬底腐蚀
.
氧化层破坏
.
【答案:A】
.
154、过显影后果()
.
图形线宽缩小、边缘钻蚀
.
胶残留堵孔
.
无法剥离
.
氧化层增厚
.
【答案:A】
.
155、刻蚀选择比=被刻材料速率/()速率
.
掩膜/下层停止层刻蚀
.
沉积薄膜
.
氧化生长
.
掺杂
.
【答案:A】
.
156、高选择比刻蚀优势()
.
精准停在目标层、不损伤下层薄膜
.
刻蚀速度极快
.
全向腐蚀
.
成本低
.
【答案:A】
¡.
157、刻蚀负载效应()
¢.
图形疏密不同刻蚀速率不一致
£.
设备负载功率波动
¤.
温度变化
¥.
气源波动
¦.
【答案:A】
§.
158、去胶Strip工序去除()
¨.
刻蚀后残留光刻胶
©.
氧化层
ª.
多晶硅
«.
金属层
¬.
【答案:A】
.
159、炉管扩散掺杂适合()深度掺杂
®.
深结、高温
¯.
浅结精准注入
°.
超薄表层
±.
低温常温
².
【答案:A】
³.
160、离子注入适合()浅结精准掺杂
´.
超浅结、剂量精准
µ.
深结大功率器件
¶.
整片均匀高温扩散
·.
厚硅片全层掺杂
¸.
【答案:A】
¹.
161、注入倾角作用()
º.
减小沟道效应、掺杂均匀
».
提高注入能量
¼.
增大剂量
½.
降低温度
¾.
【答案:A】
¿.
162、沟道效应成因()
À.
离子沿硅单晶晶沟深入过深
Á.
掺杂浓度过高
Â.
温度过高
Ã.
气源不纯
Ä.
【答案:A】
Å.
163、快速热退火RTA相比炉退火()
Æ.
瞬态高温、杂质扩散少
Ç.
长时间恒温
È.
成本更低
É.
设备简易
Ê.
【答案:A】
Ë.
164、源漏活化退火目的()
Ì.
激活注入杂质、修复晶格损伤
Í.
去除氧化层
Î.
沉积薄膜
Ï.
光刻固化
Ð.
【答案:A】
Ñ.
165、浅沟槽隔离STI工艺作用()
Ò.
MOS器件有源区电气隔离
Ó.
栅介质制备
Ô.
源漏掺杂
Õ.
金属布线
Ö.
【答案:A】
×.
166、STI工序关键步骤:沟槽刻蚀→()→CMP平坦化
Ø.
填充氧化硅
Ù.
离子注入
Ú.
金属沉积
Û.
光刻涂胶
Ü.
【答案:A】
Ý.
167、硅化物Salicide作用()
Þ.
降低栅极/源漏接触电阻
ß.
绝缘隔离
à.
钝化保护
á.
阻挡扩散
â.
【答案:A】
ã.
168、多层布线MCM关键平坦化依靠()
ä.
CMP
å.
干法刻蚀
æ.
湿法腐蚀
ç.
热氧化
è.
【答案:A】
é.
169、低K介质材料用于()
ê.
层间绝缘、降低布线RC延迟
ë.
栅导电
ì.
源漏掺杂
í.
钝化保护层
î.
【答案:A】
ï.
170、高K栅介质替代SiO2目的()
ð.
等效栅氧超薄、抑制栅漏电
ñ.
提高绝缘厚度
ò.
降低成本
ó.
简化工艺
ô.
【答案:A】
õ.
171、铜大马士革Damascene工艺流程:沟槽刻蚀→阻挡层→铜电镀→()
ö.
CMP去除多余铜
÷.
离子注入
ø.
氧化生长
ù.
光刻
ú.
【答案:A】
û.
172、双大马士革同时制备()
ü.
通孔+金属布线层
ý.
单一通孔
þ.
单层金属
ÿ.
栅极结构
Ā.
【答案:A】
ā.
173、晶圆翘曲主要诱因()
Ă.
多层薄膜应力不匹配
ă.
掺杂浓度不均
Ą.
晶向错乱
ą.
测试损伤
Ć.
【答案:A】
ć.
174、颗粒缺陷来源不含()
Ĉ.
洁净室尘埃
ĉ.
工艺气体杂质
Ċ.
正常晶格原子
ċ.
设备腔体剥落
Č.
【答案:C】
č.
175、针孔缺陷多产生于()工艺
Ď.
薄膜沉积
ď.
离子注入
Đ.
晶圆切割
đ.
封装
Ē.
【答案:A】
ē.
176、洁净室Class1等级含义()
Ĕ.
每立方英尺≥0.5μm尘埃≤1颗
ĕ.
10颗
Ė.
100颗
ė.
1000颗
Ę.
【答案:A】
ę.
177、前道Fab主流洁净等级()
Ě.
Class1~Class10
ě.
Class1000
Ĝ.
Class1万
ĝ.
Class10万
Ğ.
【答案:A】
ğ.
178、光刻区黄光环境原因()
Ġ.
光刻胶对黄区波长不感光、规避曝光
ġ.
工艺发热显色
Ģ.
设备灯光限制
ģ.
安全规范
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
179、化学品HF氢氟酸重点腐蚀()
Ħ.
SiO2氧化层
ħ.
单晶硅本体
Ĩ.
铝金属
ĩ.
氮化硅
Ī.
【答案:A】
ī.
180、磷酸湿法腐蚀优选()
Ĭ.
氮化硅
ĭ.
氧化硅
Į.
硅衬底
į.
铝布线
İ.
【答案:A】
ı.
181、铝湿法腐蚀常用()基腐蚀液
IJ.
磷酸
ij.
HF
Ĵ.
硝酸
ĵ.
盐酸
Ķ.
【答案:A】
ķ.
182、硅体湿法各向异性腐蚀常用KOH碱液,沿()腐蚀快
ĸ.
<100>面
Ĺ.
<111>面
ĺ.
<110>
Ļ.
任意晶面
ļ.
【答案:A】
Ľ.
183、外延层厚度监控依靠()
ľ.
台阶仪/椭偏仪
Ŀ.
万用表
ŀ.
示波器
Ł.
红外测温
ł.
【答案:A】
Ń.
184、椭偏仪核心测量()
ń.
薄膜厚度+折射率
Ņ.
掺杂浓度
ņ.
方块电阻
Ň.
击穿电压
ň.
【答案:A】
ʼn.
185、四探针测试仪测量()
Ŋ.
方块电阻/薄层电阻率
ŋ.
膜厚
Ō.
折射率
ō.
器件耐压
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
186、探针台用于()电性监控
Ő.
晶圆在片测试
ő.
成品封装测试
Œ.
老化测试
œ.
可靠性试验
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
187、方块电阻Rs单位()
Ŗ.
Ω/□(欧姆每方)
ŗ.
Ω·cm
Ř.
V
ř.
A
Ś.
【答案:A】
ś.
188、离子注入机三大核心系统:离子源→分析磁铁→()
Ŝ.
加速扫描靶室
ŝ.
光刻腔体
Ş.
CMP机台
ş.
刻蚀腔体
Š.
【答案:A】
š.
189、注入剂量单位()
Ţ.
ions/cm²
ţ.
eV能量
Ť.
℃温度
ť.
nm深度
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
190、注入能量决定()
Ũ.
杂质注入深度
ũ.
掺杂总量
Ū.
掺杂类型
ū.
导电类型
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
191、刻蚀机腔体常用()材质抗等离子腐蚀
Ů.
氧化铝陶瓷/石英
ů.
普通钢材
Ű.
塑料
ű.
铝
Ų.
【答案:A】
ų.
192、CVD腔体颗粒管控重点()
Ŵ.
腔体内壁镀膜维护、腔体清洁
ŵ.
气源纯度无关
Ŷ.
温度随意调整
ŷ.
气压无管控
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
193、氧化炉管石英部件污染会造成()
ź.
晶圆重金属杂质超标漏电
Ż.
晶向改变
ż.
厚度变薄
Ž.
自动掺杂
ž.
【答案:A】
ſ.
194、CMP磨料常用()颗粒
ƀ.
二氧化硅/氧化铝
Ɓ.
金刚石
Ƃ.
金属粉末
ƃ.
氮化硅
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
195、CMP抛光液酸碱度适配被抛光材料,硅片抛光多为()
Ɔ.
碱性
Ƈ.
强酸性
ƈ.
中性
Ɖ.
强氧化性
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
196、光刻胶三大组分:感光树脂+光引发剂+()
ƌ.
溶剂
ƍ.
固化剂
Ǝ.
导电剂
Ə.
填充颗粒
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
197、光刻胶储存环境()
ƒ.
低温避光
Ɠ.
高温常温
Ɣ.
日光照射
ƕ.
潮湿环境
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
198、显影液主流成分为()碱性水溶液
Ƙ.
TMAH四甲基氢氧化铵
ƙ.
HF酸
ƚ.
磷酸
ƛ.
盐酸
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
199、高纯氨气用于()薄膜制备
ƞ.
氮化硅
Ɵ.
氧化硅
Ơ.
多晶硅
ơ.
铝膜
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
200、硅烷SiH4高危属性()
Ƥ.
自燃爆炸性气体
ƥ.
惰性气体
Ʀ.
无毒不可燃
Ƨ.
助燃气体
ƨ.
【答案:A】
Ʃ.
201、WF6六氟化钨用于()CVD钨薄膜
ƪ.
钨金属栅/阻挡层
ƫ.
氧化硅
Ƭ.
氮化硅
ƭ.
多晶硅
Ʈ.
【答案:A】
Ư.
202、CF4四氟化碳多用于()干法刻蚀气源
ư.
氧化硅/氮化硅
Ʊ.
硅本体
Ʋ.
铝金属
Ƴ.
铜金属
ƴ.
【答案:A】
Ƶ.
203、晶圆Wafer ID激光打码作用()
ƶ.
全流程追溯批次管控
Ʒ.
导电标识
Ƹ.
定位标记
ƹ.
划片定位
ƺ.
【答案:A】
ƻ.
204、FOUP晶圆传送盒作用()
Ƽ.
洁净密闭转运晶圆、防颗粒污染
ƽ.
高温烘烤
ƾ.
化学浸泡
ƿ.
封装存放
ǀ.
【答案:A】
ǁ.
205、真空机械手用于()晶圆取放
ǂ.
Fab腔体真空环境
ǃ.
大气环境
DŽ.
清洗槽
Dž.
封装车间
dž.
【答案:A】
LJ.
206、制程漂移Drift成因()
Lj.
设备参数缓慢偏移、耗材老化
lj.
晶圆晶向变更
NJ.
原材料彻底更换
Nj.
工艺跳变
nj.
【答案:A】
Ǎ.
207、WAT晶圆电性测试针对()监控
ǎ.
Test Key测试结构电性
Ǐ.
产品芯片功能
ǐ.
封装成品
Ǒ.
可靠性指标
ǒ.
【答案:A】
Ǔ.
208、PCM工艺监控模块即()
ǔ.
测试芯片参数监控
Ǖ.
量产Die功能测试
ǖ.
老化筛选
Ǘ.
成品FT测试
ǘ.
【答案:A】
Ǚ.
209、器件阈值电压Vth漂移主要诱因()
ǚ.
栅介质电荷、工艺掺杂波动
Ǜ.
封装应力
ǜ.
终端使用电压
ǝ.
环境湿度
Ǟ.
【答案:A】
ǟ.
210、MOS漏电大最常见原因()
Ǡ.
栅介质缺陷/离子沾污
ǡ.
金属布线过粗
Ǣ.
衬底太厚
ǣ.
封装塑封料漏电
Ǥ.
【答案:A】
ǥ.
211、良率Yield=合格Die数÷()
Ǧ.
整片晶圆总有效Die数
ǧ.
划片总数量
Ǩ.
封装总数
ǩ.
测试总数
Ǫ.
【答案:A】
ǫ.
212、良率损失TOP1:颗粒缺陷,其次为()
Ǭ.
光刻图形缺陷
ǭ.
封装不良
Ǯ.
终端失效
ǯ.
老化损坏
ǰ.
【答案:A】
DZ.
213、成熟制程28nm主流配套光刻机()
Dz.
ArF DUV干式/浸没
dz.
EUV
Ǵ.
KrF DUV
ǵ.
i线汞灯
Ƕ.
【答案:A】
Ƿ.
214、KrF(248nm)光刻适配()制程
Ǹ.
110~350nm
ǹ.
7nm
Ǻ.
5nm
ǻ.
3nm
Ǽ.
【答案:A】
ǽ.
215、浸没式光刻在镜头与晶圆间填充()提升NA数值
Ǿ.
超纯水
ǿ.
光刻胶
Ȁ.
显影液
ȁ.
惰性气体
Ȃ.
【答案:A】
ȃ.
216、EUV量产最大瓶颈()
Ȅ.
光源功率、产能低
ȅ.
波长太长
Ȇ.
成本极低
ȇ.
耗材便宜
Ȉ.
【答案:A】
ȉ.
217、ALD量产主要用于先进制程()薄膜
Ȋ.
高K栅介质、阻挡层
ȋ.
厚层多晶硅
Ȍ.
铝布线
ȍ.
氧化层
Ȏ.
【答案:A】
ȏ.
218、铜互连阻挡层过薄后果()
Ȑ.
铜扩散漏电器件失效
ȑ.
布线电阻变大
Ȓ.
容易断线
ȓ.
CMP无法平坦
Ȕ.
【答案:A】
ȕ.
219、STI填充空洞会造成()
Ȗ.
器件漏电、隔离失效
ȗ.
布线短路
Ș.
栅极击穿
ș.
封装分层
Ț.
【答案:A】
ț.
220、Salicide硅化物空洞升高()
Ȝ.
接触电阻
ȝ.
击穿电压
Ȟ.
耐压
ȟ.
开关速度
Ƞ.
【答案:A】
*
4
### 模块4 芯片设计(221~280题,60题)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
221、IC设计全流程正确顺序:Spec→RTL设计→()→版图布局布线→DRC/LVS→流片
B.
仿真验证
C.
晶圆制造
D.
封装
E.
测试
F.
【答案:A】
G.
222、Verilog/VHDL属于()硬件描述语言
H.
HDL
I.
汇编
J.
C语言
K.
Python
L.
【答案:A】
M.
223、前端RTL仿真验证目的()
N.
逻辑功能验证、排查代码BUG
O.
版图绘制
P.
流片生产
Q.
封装设计
R.
【答案:A】
S.
224、后端Layout版图设计依托()软件
T.
EDA布局布线工具
U.
光刻设备
V.
刻蚀机
W.
CMP设备
X.
【答案:A】
Y.
225、DRC设计规则检查核对()
Z.
版图是否符合晶圆厂工艺规则
[.
逻辑功能
\.
时序参数
].
功耗指标
^.
【答案:A】
_.
226、LVS版图与原理图对比检查()
`.
版图和RTL电路一致性
a.
工艺规则
b.
光刻参数
c.
掺杂参数
d.
【答案:A】
e.
227、ERC电气规则检查排查()
f.
短路、浮空节点等电气错误
g.
版图尺寸
h.
工艺偏差
i.
封装参数
j.
【答案:A】
k.
228、MPW多项目晶圆含义()
l.
多家设计公司版图拼片共投一片晶圆、降低研发成本
m.
单客户整片晶圆
n.
封装拼板
o.
测试拼片
p.
【答案:A】
q.
229、IP核含义()
r.
可复用集成电路模块(CPU核/接口核)
s.
晶圆裸片
t.
封装成品
u.
测试芯片
v.
【答案:A】
w.
230、硬核Hard IP特征()
x.
已完成版图定型、不可改版图
y.
仅RTL代码
z.
可自由修改布局
{.
无固定工艺
|.
【答案:A】
}.
231、软核Soft IP交付()
~.
RTL源代码,用户自行综合布局
.
成品版图
.
裸芯片
.
封装器件
.
【答案:A】
.
232、固核Firm IP介于软硬IP之间,交付()
.
门级网表
.
源代码
.
成品版图
.
裸片
.
【答案:A】
.
233、SoC系统芯片集成()
.
处理器+存储+接口IP单片集成
.
分立器件拼板
.
多芯片封装
.
板卡集成
.
【答案:A】
.
234、CPU中央处理器属于()芯片
.
通用逻辑处理器
.
专用ASIC
.
存储芯片
.
功率IC
.
【答案:A】
.
235、GPU图形处理器优势()
.
并行计算算力强
.
串行运算最优
.
高压大功率
.
大容量存储
.
【答案:A】
.
236、FPGA可编程原理依托()
.
内部可编程逻辑单元+布线资源
.
固定ASIC版图
.
分立晶体管
.
存储单元
.
【答案:A】
¡.
237、ASIC全定制优势()
¢.
功耗低、面积小、大批量成本优
£.
可编程灵活
¤.
小批量便宜
¥.
开发周期短
¦.
【答案:A】
§.
238、ASIC全定制劣势()
¨.
研发成本高、改版需重新流片
©.
量产成本高
ª.
功耗大
«.
面积大
¬.
【答案:A】
.
239、存储器ROM特点()
®.
出厂固化数据、断电不丢失
¯.
通电存储断电清空
°.
可反复擦写万次
±.
随机改写
².
【答案:A】
³.
240、RAM随机存储器特点()
´.
通电存数据、断电丢失
µ.
永久保存数据
¶.
出厂固化
·.
不可改写
¸.
【答案:A】
¹.
241、DRAM动态存储依靠()存电荷
º.
MOS电容
».
浮栅
¼.
熔丝
½.
电阻
¾.
【答案:A】
¿.
242、SRAM静态存储依托()触发器单元
À.
CMOS交叉耦合
Á.
电容
Â.
浮栅
Ã.
电感
Ä.
【答案:A】
Å.
243、NAND Flash浮栅/电荷俘获型存储原理()
Æ.
栅极俘获电荷存储信息、非易失
Ç.
电容存电
È.
触发器锁存
É.
磁存储
Ê.
【答案:A】
Ë.
244、NOR Flash优势()
Ì.
随机寻址快、适合程序存储
Í.
大容量低成本
Î.
擦写速度快
Ï.
页操作
Ð.
【答案:A】
Ñ.
245、电源PMIC芯片功能()
Ò.
电压转换、电源管理
Ó.
数据存储
Ô.
射频收发
Õ.
图像处理
Ö.
【答案:A】
×.
246、PWM脉冲调制多用于()电源IC
Ø.
DC-DC降压升压
Ù.
LDO线性稳压
Ú.
射频芯片
Û.
存储控制
Ü.
【答案:A】
Ý.
247、LDO线性稳压优势()
Þ.
噪声低电路简单
ß.
转换效率高
à.
大功率高压
á.
升降压大范围
â.
【答案:A】
ã.
248、射频RF芯片核心处理()信号
ä.
高频电磁波
å.
直流电源
æ.
数字逻辑
ç.
图像数据
è.
【答案:A】
é.
249、CIS图像传感器感光单元()
ê.
光电二极管
ë.
MOS电容
ì.
浮栅
í.
触发器
î.
【答案:A】
ï.
250、数模转换DAC功能()
ð.
数字→模拟电压信号
ñ.
模拟→数字
ò.
电源稳压
ó.
射频调制
ô.
【答案:A】
õ.
251、模数转换ADC功能()
ö.
模拟→数字信号
÷.
数字转模拟
ø.
功率变换
ù.
存储读写
ú.
【答案:A】
û.
252、时序约束用于后端()优化
ü.
时序收敛、避免建立/保持时间违例
ý.
版图面积
þ.
封装选型
ÿ.
流片工艺
Ā.
【答案:A】
ā.
253、建立时间Setup Time()
Ă.
数据在时钟到来前稳定的最小时间
ă.
时钟之后数据保持时间
Ą.
传输延迟
ą.
输出延时
Ć.
【答案:A】
ć.
254、保持时间Hold Time()
Ĉ.
时钟触发后数据维持稳定最小时间
ĉ.
提前稳定时间
Ċ.
布线延迟
ċ.
门延迟
Č.
【答案:A】
č.
255、静态时序分析STA作用()
Ď.
全芯片时序检查、排查时序违例
ď.
逻辑仿真
Đ.
版图绘制
đ.
流片验证
Ē.
【答案:A】
ē.
256、功耗分析用于优化芯片()
Ĕ.
动态+静态功耗
ĕ.
版图面积
Ė.
工艺节点
ė.
封装方案
Ę.
【答案:A】
ę.
257、可测性设计DFT目的()
Ě.
增加测试电路、提升芯片测试覆盖率
ě.
优化逻辑功能
Ĝ.
缩小版图
ĝ.
降低流片费
Ğ.
【答案:A】
ğ.
258、Scan扫描链DFT用于()故障测试
Ġ.
数字逻辑内部节点
ġ.
模拟电路
Ģ.
射频模块
ģ.
电源模块
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
259、Boundary Scan边界扫描针对()引脚互连测试
Ħ.
芯片IO引脚
ħ.
内部逻辑
Ĩ.
存储单元
ĩ.
电源单元
Ī.
【答案:A】
ī.
260、BIST内置自测试集成()在芯片内部
Ĭ.
测试电路
ĭ.
外部测试仪器
Į.
探针台
į.
老化设备
İ.
【答案:A】
ı.
261、Pad焊盘版图设计预留()
IJ.
键合余量、防划片损伤
ij.
有源区面积
Ĵ.
布线空间
ĵ.
隔离区域
Ķ.
【答案:A】
ķ.
262、IO环布局在芯片()
ĸ.
芯片四周边缘
Ĺ.
芯片中心
ĺ.
有源区内部
Ļ.
STI隔离区
ļ.
【答案:A】
Ľ.
263、ESD防护器件布置在()
ľ.
IO焊盘内侧
Ŀ.
芯片内核中心
ŀ.
存储区
Ł.
电源区
ł.
【答案:A】
Ń.
264、闩锁效应Latch-up成因()
ń.
CMOS内部寄生可控硅触发导通大电流
Ņ.
布线短路
ņ.
封装漏电
Ň.
工艺缺陷
ň.
【答案:A】
ʼn.
265、防Latch-up版图措施()
Ŋ.
保护环Guard Ring隔离衬底
ŋ.
缩小版图
Ō.
加厚金属
ō.
加宽栅极
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
266、版图天线效应成因()
Ő.
光刻金属天线栅耦合电荷击穿栅氧
ő.
掺杂不均
Œ.
封装应力
œ.
温度漂移
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
267、天线效应改善方案()
Ŗ.
跳线断开长金属天线、增加二极管泄放电荷
ŗ.
加厚栅氧
Ř.
提高掺杂
ř.
更换光刻胶
Ś.
【答案:A】
ś.
268、芯片IP授权商业模式()
Ŝ.
按量产芯片抽成+授权费
ŝ.
按晶圆数量收费
Ş.
按封装数量
ş.
按测试费用
Š.
【答案:A】
š.
269、Foundry代工报价核心依据()
Ţ.
工艺节点+单片晶圆价
ţ.
封装形式
Ť.
测试项目
ť.
终端售价
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
270、先进制程7nm以下成本上升主因()
Ũ.
设备耗材昂贵、工艺步骤暴涨
ũ.
硅片涨价
Ū.
封装涨价
ū.
设计费上涨
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
271、车用AEC-Q100规范针对()芯片可靠性分级
Ů.
车载电子IC
ů.
消费电子IC
Ű.
工业IC
ű.
军工IC
Ų.
【答案:A】
ų.
272、军工芯片遵循()高可靠规范
Ŵ.
宇航级/国军标
ŵ.
消费标准
Ŷ.
汽车标准
ŷ.
工业标准
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
273、物联网IoT芯片特征()
ź.
低功耗、小面积、低成本
Ż.
超高算力先进制程
ż.
超大存储
Ž.
大功率高压
ž.
【答案:A】
ſ.
274、CPU架构X86专利归属()
ƀ.
Intel
Ɓ.
ARM
Ƃ.
RISC-V
ƃ.
MIPS
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
275、ARM架构授权模式()
Ɔ.
IP内核授权、架构授权
Ƈ.
自有晶圆代工
ƈ.
自建封测
Ɖ.
终端整机
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
276、RISC-V开源优势()
ƌ.
开源免费无架构授权费
ƍ.
闭源高专利费
Ǝ.
仅限专用场景
Ə.
算力偏弱
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
277、Chiplet芯粒技术含义()
ƒ.
多颗功能裸片封装集成单芯片
Ɠ.
单片全集成SoC
Ɣ.
分立器件拼板
ƕ.
晶圆堆叠
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
278、Chiplet优势()
Ƙ.
异构集成、降低先进制程成本
ƙ.
单片全流片
ƚ.
统一工艺节点
ƛ.
简化封装
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
279、3D IC三维集成电路依托()垂直互连
ƞ.
TSV硅通孔
Ɵ.
引线键合
Ơ.
PCB布线
ơ.
塑封引线
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
280、TSV硅通孔实现()裸片垂直导通
Ƥ.
晶圆层间垂直互连
ƥ.
表面引线绑定
Ʀ.
PCB焊接
Ƨ.
塑封引出
ƨ.
【答案:A】
*
5
### 模块5 封装测试后道(281~340题,60题)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
281、标准后道工序:晶圆研磨→划片→()→塑封→切筋成型→测试
B.
引线键合WB
C.
CMP抛光
D.
离子注入
E.
光刻
F.
【答案:A】
G.
282、晶圆背面研磨Grinding目的()
H.
减薄硅片厚度
I.
正面器件打磨
J.
去除有源区
K.
改变晶向
L.
【答案:A】
M.
283、晶圆贴膜划片蓝膜作用()
N.
固定晶粒防散落、缓冲切割应力
O.
导电粘接
P.
散热
Q.
绝缘隔离
R.
【答案:A】
S.
284、划片刀Blade材质()
T.
金刚石固结砂轮
U.
硬质钢刀
V.
陶瓷刀
W.
塑料刀
X.
【答案:A】
Y.
285、晶粒拾取Die Attach把Die粘接在()
Z.
引线框架/基板
[.
硅片
\.
PCB板
].
塑封料
^.
【答案:A】
_.
286、DA粘接胶种类()
`.
导电银胶/绝缘环氧胶
a.
光刻胶
b.
显影液
c.
抛光液
d.
【答案:A】
e.
287、引线键合WB金丝键合:芯片Pad→()引脚
f.
框架焊盘
g.
PCB焊盘
h.
塑封外壳
i.
散热片
j.
【答案:A】
k.
288、铜线键合替代金丝优势()
l.
成本更低、导电优良
m.
延展性优于金
n.
耐腐蚀最强
o.
熔点更低
p.
【答案:A】
q.
289、楔焊/球焊区别:球焊第一焊点在()
r.
芯片Pad形成金球
s.
框架引脚
t.
塑封体
u.
基板
v.
【答案:A】
w.
290、塑封Molding原料()
x.
环氧树脂EMC
y.
金属粉末
z.
硅粉
{.
光刻胶
|.
【答案:A】
}.
291、塑封后固化Post Mold Cure目的()
~.
环氧树脂完全交联固化、释放内应力
.
导电固化
.
绝缘软化
.
去除杂质
.
【答案:A】
.
292、切筋Trim工序去除()多余框架连筋
.
引脚之间连接废料
.
塑封料余料
.
裸片边角
.
基板边缘
.
【答案:A】
.
293、成型Form工序把引脚弯折成()
.
标准插件/SMD贴片外形
.
平直状态
.
圆形引脚
.
内勾引脚
.
【答案:A】
.
294、打码Marking在塑封表面激光刻印()
.
型号批次产地信息
.
电气参数
.
引脚定义
.
内部电路
.
【答案:A】
.
295、CP晶圆探针测试在()阶段
.
整片晶圆未划片
.
划片后裸片
.
塑封成品
.
老化之后
.
【答案:A】
.
296、CP目的()
.
预筛坏Die、不进入后续封装降成本
.
功能全测
.
可靠性测试
.
老化筛选
.
【答案:A】
¡.
297、FT成品测试在()完成
¢.
封装成型之后
£.
晶圆阶段
¤.
键合前
¥.
塑封前
¦.
【答案:A】
§.
298、FT三大测试项:DC参数→AC时序→()
¨.
功能Function测试
©.
划片检测
ª.
键合检查
«.
塑封检验
¬.
【答案:A】
.
299、DC直流参数测试:耐压、漏电、()
®.
静态功耗
¯.
最高工作频率
°.
建立时间
±.
读写速度
².
【答案:A】
³.
300、AC交流参数测试:建立保持、()、传输延迟
´.
最高工作频率
µ.
静态电流
¶.
击穿电压
·.
漏电流
¸.
【答案:A】
¹.
301、Function功能测试验证()
º.
芯片逻辑功能正确性
».
直流耐压
¼.
封装外观
½.
引脚强度
¾.
【答案:A】
¿.
302、老化Burn-In放置()环境加速失效
À.
高温通电
Á.
低温断电
Â.
常温空载
Ã.
湿热不通电
Ä.
【答案:A】
Å.
303、高温老化目的筛选()早期失效芯片
Æ.
潜在缺陷隐性不良
Ç.
工艺完美良品
È.
封装完好器件
É.
参数达标产品
Ê.
【答案:A】
Ë.
304、分级测试按参数精度分:量产全测、抽样抽检、()
Ì.
可靠性验证
Í.
划片检测
Î.
键合检验
Ï.
塑封质检
Ð.
【答案:A】
Ñ.
305、SMT贴片封装SMD不含()
Ò.
DIP直插封装
Ó.
SOP
Ô.
QFP
Õ.
BGA
Ö.
【答案:A】
×.
306、DIP双列直插特点()
Ø.
插件焊接、引脚穿孔PCB
Ù.
贴片表贴
Ú.
无引脚球焊
Û.
晶圆级封装
Ü.
【答案:A】
Ý.
307、SOP小外形封装引脚()两侧引出
Þ.
单边/双边鸥翼引脚
ß.
底部焊球
à.
底部引脚
á.
四面引脚
â.
【答案:A】
ã.
308、QFP四边引脚扁平封装:引脚从()引出
ä.
器件四边鸥翼引脚
å.
底部焊球
æ.
单边
ç.
双边
è.
【答案:A】
é.
309、BGA球栅阵列引脚在()
ê.
封装底面锡球阵列
ë.
四边引脚
ì.
单边引脚
í.
顶部引脚
î.
【答案:A】
ï.
310、BGA优势()
ð.
引脚多、I/O密度高、散热好
ñ.
引脚少低成本
ò.
小电流低压
ó.
简易插件
ô.
【答案:A】
õ.
311、QFN无引脚扁平封装焊盘在()
ö.
底面外露焊盘
÷.
四边外伸引脚
ø.
顶部引脚
ù.
侧边引脚
ú.
【答案:A】
û.
312、FC倒装芯片Flip Chip:芯片()贴装基板
ü.
有源面朝下焊球互连
ý.
背面贴装
þ.
引线绑定
ÿ.
塑封后焊接
Ā.
【答案:A】
ā.
313、WLCSP晶圆级封装直接在()完成封装切割
Ă.
整片晶圆
ă.
单颗裸片
Ą.
框架
ą.
PCB板
Ć.
【答案:A】
ć.
314、WLCSP优势()
Ĉ.
体积最小、超薄、缩短制程
ĉ.
厚封装大功率
Ċ.
高引脚数
ċ.
散热极强
Č.
【答案:A】
č.
315、SiP系统级封装定义()
Ď.
多颗裸片无源器件同基板封装
ď.
单片SoC芯片
Đ.
分立器件PCB焊接
đ.
晶圆堆叠
Ē.
【答案:A】
ē.
316、2.5D封装依托()中介层互连多颗芯粒
Ĕ.
硅中介层Interposer
ĕ.
PCB基板
Ė.
引线框架
ė.
塑封料
Ę.
【答案:A】
ę.
317、3D堆叠封装裸片依靠()垂直堆叠
Ě.
TSV硅通孔/微凸点
ě.
引线键合
Ĝ.
PCB布线
ĝ.
外部导线
Ğ.
【答案:A】
ğ.
318、封装分层失效常见()诱因
Ġ.
塑封料/框架/裸片热膨胀系数不匹配
ġ.
电性短路
Ģ.
参数漂移
ģ.
存储异常
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
319、键合断线Top3原因:铝垫腐蚀、()、参数异常
Ħ.
键合压力/温度不当
ħ.
塑封过厚
Ĩ.
基板太厚
ĩ.
晶圆太薄
Ī.
【答案:A】
ī.
320、锡球空洞BGA隐患()
Ĭ.
导电不良、热阻升高、可靠性劣化
ĭ.
封装分层
Į.
引脚变形
į.
塑封开裂
İ.
【答案:A】
ı.
321、可靠性TC温度循环:高低温反复切换考核()
IJ.
封装界面热应力耐受
ij.
电性参数
Ĵ.
功能逻辑
ĵ.
功耗指标
Ķ.
【答案:A】
ķ.
322、HAST高压蒸煮:高温高湿高压考核()
ĸ.
防潮密封性
Ĺ.
耐压性能
ĺ.
开关速度
Ļ.
存储容量
ļ.
【答案:A】
Ľ.
323、UHAST无偏高压蒸煮区别HAST()
ľ.
不加电湿热测试
Ŀ.
通电高压
ŀ.
低温湿热
Ł.
常温浸泡
ł.
【答案:A】
Ń.
324、PCT高压蒸煮侧重()密封考核
ń.
塑封料气密性
Ņ.
引脚强度
ņ.
电性漏电
Ň.
逻辑功能
ň.
【答案:A】
ʼn.
325、HTOL高温工作寿命:高温加电考核()长期稳定性
Ŋ.
带电工作老化寿命
ŋ.
湿热密封
Ō.
机械强度
ō.
跌落性能
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
326、ELFR早期失效测试快速筛选()缺陷
Ő.
工艺隐性早期失效
ő.
封装外观不良
Œ.
引脚变形
œ.
塑封气泡
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
327、机械可靠性:跌落、振动、冲击考核()耐受
Ŗ.
封装机械强度
ŗ.
电气参数
Ř.
存储数据
ř.
射频性能
Ś.
【答案:A】
ś.
328、可焊性测试评估()PCB焊接能力
Ŝ.
引脚/焊盘上锡性能
ŝ.
芯片电性
Ş.
逻辑功能
ş.
耐压
Š.
【答案:A】
š.
329、引线框架基材主流()
Ţ.
铜合金基材
ţ.
纯铝
Ť.
纯铁
ť.
不锈钢
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
330、框架镀镍镀金作用()
Ũ.
防氧化、提升键合/可焊性
ũ.
增加厚度
Ū.
提高散热
ū.
绝缘隔离
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
331、封装基板Substrate材质()
Ů.
BT树脂/FR4玻纤板
ů.
环氧树脂塑封料
Ű.
金属板
ű.
硅片
Ų.
【答案:A】
ų.
332、BT基板多用于()高端BGA/FC封装
Ŵ.
高端CPU/GPU/存储
ŵ.
SOP小信号器件
Ŷ.
DIP直插
ŷ.
功率分立器件
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
333、塑封EMC环氧树脂关键指标:吸水率、()、热膨胀系数
ź.
Tg玻璃化转变温度
Ż.
导电率
ż.
折射率
Ž.
介电常数
ž.
【答案:A】
ſ.
334、散热焊盘Exposed Pad用于()器件散热
ƀ.
QFN功率IC
Ɓ.
SOP小信号
Ƃ.
DIP直插
ƃ.
WLCSP超薄芯片
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
335、屏蔽封装金属盖作用()
Ɔ.
电磁屏蔽EMI+辅助散热
Ƈ.
机械防护
ƈ.
防潮密封
Ɖ.
引脚固定
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
336、气密性封装(金属/陶瓷封装)用于()高可靠产品
ƌ.
军工宇航
ƍ.
消费电子SOP
Ǝ.
手机WLCSP
Ə.
电视电源
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
337、陶瓷封装优势()
ƒ.
气密性好、耐高温高可靠
Ɠ.
低成本大批量
Ɣ.
超薄小型化
ƕ.
简易量产
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
338、塑封料气泡成因()
Ƙ.
原料受潮、模压参数异常
ƙ.
晶圆太厚
ƚ.
框架过薄
ƛ.
键合压力大
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
339、引脚弯曲变形多发生在()工序
ƞ.
切筋成型/后制程转运
Ɵ.
塑封
Ơ.
键合
ơ.
划片
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
340、无铅封装管控()环保规范
Ƥ.
RoHS
ƥ.
AEC-Q100
Ʀ.
MIL军工
Ƨ.
IEC工业
ƨ.
【答案:A】
*
6
### 模块6 半导体材料&设备(341~400题,60题)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
341、硅片三大品类:抛光片、外延片、()
B.
SOI绝缘硅片
C.
非晶硅片
D.
多晶硅块
E.
碳化硅衬底
F.
【答案:A】
G.
342、SOI硅片结构:顶层硅+()+硅衬底
H.
埋层SiO2氧化层
I.
氮化硅
J.
多晶硅
K.
金属层
L.
【答案:A】
M.
343、电子级多晶硅主流生产工艺()
N.
西门子改良法SiHCl3氢还原
O.
冶金法
P.
区熔提纯
Q.
直拉单晶
R.
【答案:A】
S.
344、碳化硅SiC衬底制备主流()
T.
PVT物理气相传输法长晶
U.
CZ直拉
V.
区熔
W.
外延
X.
【答案:A】
Y.
345、氮化镓GaN量产衬底主流:蓝宝石、SiC、()
Z.
硅Si衬底
[.
锗衬底
\.
砷化镓
].
磷化铟
^.
【答案:A】
_.
346、砷化镓GaAs衬底多用于()射频器件
`.
微波射频、激光器
a.
功率IGBT
b.
CPU
c.
DRAM
d.
【答案:A】
e.
347、光刻胶四大品类:紫外i线、KrF、ArF、()
f.
EUV光刻胶
g.
可见光胶
h.
红外胶
i.
负胶
j.
【答案:A】
k.
348、ArF光刻胶分干式与()两大类型
l.
浸没式
m.
i线
n.
KrF
o.
EUV
p.
【答案:A】
q.
349、光刻胶配套辅料:显影液、剥离液、()
r.
稀释剂/边缘去除液
s.
抛光液
t.
刻蚀液
u.
清洗液
v.
【答案:A】
w.
350、湿电子化学品六大类:硫酸、双氧水、HF、硝酸、()、IPA异丙醇
x.
氨水
y.
磷酸
z.
盐酸
{.
醋酸
|.
【答案:A】
}.
351、超高纯试剂UP-S级适配()先进制程
~.
14nm及以下
.
28nm以上
.
90nm
.
130nm
.
【答案:A】
.
352、电子特种气体分大宗气体+()
.
特种掺杂/刻蚀气体
.
空气
.
氧气
.
氮气
.
【答案:A】
.
353、大宗气体:N2、O2、Ar、H2、()
.
He氦气
.
硅烷
.
磷烷
.
砷烷
.
【答案:A】
.
354、掺杂气体:磷烷PH3(N型)、()(P型硼源)
.
乙硼烷B2H6
.
硅烷
.
氨气
.
WF6
.
【答案:A】
.
355、靶材分类:金属靶、合金靶、()
.
化合物靶(氧化物/氮化物)
.
硅靶
.
塑封靶
.
光刻靶
.
【答案:A】
.
356、铝靶用于铝布线PVD、铜靶用于()铜阻挡层PVD
.
铜互连种子层
.
栅介质
.
钝化层
.
隔离层
.
【答案:A】
¡.
357、钨靶用于CVD钨栅/阻挡层、钛靶+氮化钛靶做()
¢.
铜互连阻挡层TaN配套
£.
铝布线
¤.
栅氧
¥.
STI填充
¦.
【答案:A】
§.
358、CMP耗材两大件:抛光液+()
¨.
抛光垫
©.
磨料
ª.
研磨膏
«.
清洗剂
¬.
【答案:A】
.
359、抛光垫分硬质垫(粗抛)+()(精抛)
®.
软质垫
¯.
金刚石垫
°.
金属垫
±.
陶瓷垫
².
【答案:A】
³.
360、封装材料三大块:框架/基板、EMC塑封料、()
´.
键合丝(金/铜/银钯)
µ.
光刻胶
¶.
抛光液
·.
特种气体
¸.
【答案:A】
¹.
361、半导体前道五大关键设备:光刻机、刻蚀机、薄膜设备、()、离子注入机
º.
CMP抛光机
».
划片机
¼.
键合机
½.
塑封机
¾.
【答案:A】
¿.
362、薄膜设备细分:PVD、CVD、ALD、()外延炉
À.
EPI
Á.
氧化炉
Â.
扩散炉
Ã.
清洗机
Ä.
【答案:A】
Å.
363、氧化/扩散炉管分立式炉+()
Æ.
卧式炉
Ç.
腔体炉
È.
真空炉
É.
常压炉
Ê.
【答案:A】
Ë.
364、湿法清洗设备主流:RCA槽式清洗+()单片清洗机
Ì.
兆声单片清洗
Í.
浸泡清洗
Î.
喷淋清洗
Ï.
超声粗洗
Ð.
【答案:A】
Ñ.
365、刻蚀机按工艺:导体刻蚀、介质刻蚀、()硅刻蚀
Ò.
硅刻蚀
Ó.
氧化刻蚀
Ô.
氮化硅刻蚀
Õ.
多晶刻蚀
Ö.
【答案:A】
×.
366、PVD分溅射PVD+()蒸发PVD
Ø.
热蒸发/电子束蒸发
Ù.
CVD蒸发
Ú.
ALD沉积
Û.
电化学沉积
Ü.
【答案:A】
Ý.
367、离子注入机分类:中束流、大束流、()高能注入
Þ.
高能/超高能
ß.
低能
à.
浅结专用
á.
深结专用
â.
【答案:A】
ã.
368、CMP设备组成:研磨转盘、抛光头、()液路供给
ä.
抛光液供给系统
å.
真空系统
æ.
温控系统
ç.
气源系统
è.
【答案:A】
é.
369、后道封测核心设备:划片机、键合机、塑封机、切筋机、()测试机
ê.
半导体测试机ATE
ë.
光刻机
ì.
刻蚀机
í.
CMP
î.
【答案:A】
ï.
370、ATE自动测试设备用于()CP/FT电性测试
ð.
晶圆/成品芯片
ñ.
硅片原材料
ò.
封装基板
ó.
塑封料
ô.
【答案:A】
õ.
371、探针台搭配ATE完成()晶圆在片测试
ö.
CP
÷.
FT
ø.
老化
ù.
可靠性
ú.
【答案:A】
û.
372、键合机分类:金丝球焊、铜线楔焊、()倒装FC键合机
ü.
倒装焊
ý.
超声波焊
þ.
热压焊
ÿ.
激光焊
Ā.
【答案:A】
ā.
373、划片机分砂轮刀片划片+()激光划片
Ă.
激光切割
ă.
水刀切割
Ą.
化学划片
ą.
超声波划片
Ć.
【答案:A】
ć.
374、塑封压机分单模+()多模塑封
Ĉ.
多腔模
ĉ.
单腔模
Ċ.
连续模
ċ.
立式模
Č.
【答案:A】
č.
375、第三代半导体配套设备:SiC长晶炉、()MOCVD外延炉
Ď.
MOCVD
ď.
氧化炉
Đ.
扩散炉
đ.
PVD
Ē.
【答案:A】
ē.
376、MOCVD用于GaN、SiC()外延生长
Ĕ.
化合物半导体薄膜
ĕ.
硅外延
Ė.
氧化层
ė.
金属膜
Ę.
【答案:A】
ę.
377、半导体检测设备:椭偏仪、四探针、()SEM扫描电镜
Ě.
SEM
ě.
光刻机
Ĝ.
刻蚀机
ĝ.
CMP
Ğ.
【答案:A】
ğ.
378、SEM扫描电镜用于()微观形貌观测
Ġ.
芯片剖面/图形微观
ġ.
电性测试
Ģ.
掺杂
ģ.
# 半导体产业基础知识题库(接续379题,379~700)
Ĥ.
## 一、单项选择题(379~700)
ĥ.
### 模块5 封装测试续(379~400)
Ħ.
379、QFP封装引脚特征()
ħ.
四边出细引脚贴片封装
Ĩ.
底部焊球阵列
ĩ.
直插粗引脚
Ī.
无引脚封装
ī.
【答案:A】
Ĭ.
380、SOP小外形封装引脚分布()
ĭ.
双边引出引脚
Į.
四边引脚
į.
底面焊球
İ.
侧边无引脚
ı.
【答案:A】
IJ.
381、DIP双列直插封装适配()焊接
ij.
通孔插件焊接
Ĵ.
SMT贴片
ĵ.
倒装焊
Ķ.
芯片堆叠
ķ.
【答案:A】
ĸ.
382、BGA封装焊点位置()
Ĺ.
封装底面锡球阵列
ĺ.
封装侧边引脚
Ļ.
顶面焊盘
ļ.
内部引线
Ľ.
【答案:A】
ľ.
383、FC倒装芯片工艺特点()
Ŀ.
芯片有源面朝下焊球对接基板
ŀ.
金丝引线绑定
Ł.
先塑封再连线
ł.
晶粒朝上粘接
Ń.
【答案:A】
ń.
384、CSP芯片级封装尺寸特点()
Ņ.
封装≈裸片尺寸
ņ.
封装远大于晶粒
Ň.
超大体积框架
ň.
无基板封装
ʼn.
【答案:A】
Ŋ.
385、WLCSP晶圆级芯片封装在()完成封装
ŋ.
整片晶圆阶段划片前
Ō.
单颗晶粒拾取后
ō.
塑封之后
Ŏ.
成品测试后
ŏ.
【答案:A】
Ő.
386、IGBT功率模块封装基材常用()
ő.
DBC覆铜陶瓷基板
Œ.
普通PCB基板
œ.
环氧树脂基板
Ŕ.
硅基板
ŕ.
【答案:A】
Ŗ.
387、DBC基板三层结构:陶瓷+上下覆铜,陶瓷作用()
ŗ.
绝缘耐压
Ř.
导电走线
ř.
粘接晶粒
Ś.
塑封填充
ś.
【答案:A】
Ŝ.
388、功率模块灌封硅凝胶目的()
ŝ.
绝缘防潮、缓冲应力保护芯片
Ş.
金属导电
ş.
加固引脚
Š.
散热外壳
š.
【答案:A】
Ţ.
389、CP晶圆探针测试在()阶段开展
ţ.
未划片整片晶圆
Ť.
单颗晶粒后
ť.
键合之后
Ŧ.
塑封完工
ŧ.
【答案:A】
Ũ.
390、CP测试探针扎在晶圆()
ũ.
晶粒铝Pad焊盘
Ū.
硅衬底背面
ū.
划片槽
Ŭ.
STI隔离区
ŭ.
【答案:A】
Ů.
391、FT成品测试对象()
ů.
封装完成成品芯片
Ű.
裸晶圆
ű.
未键合晶粒
Ų.
研磨后硅片
ų.
【答案:A】
Ŵ.
392、老化Burn-In加电高温目的()
ŵ.
加速早期失效筛选不良品
Ŷ.
提升芯片性能参数
ŷ.
更改芯片制程
Ÿ.
软化塑封料
Ź.
【答案:A】
ź.
393、可靠性温度循环TC测试温度区间常用()
Ż.
-55℃~125℃
ż.
常温25℃
Ž.
150℃以上恒温
ž.
零下恒温
ſ.
【答案:A】
ƀ.
394、HAST高压蒸煮试验环境()
Ɓ.
高温高湿高压水汽
Ƃ.
干燥高温
ƃ.
低温真空
Ƅ.
常温常压
ƅ.
【答案:A】
Ɔ.
395、MSL湿敏等级管控防止()
Ƈ.
回流焊水汽爆塑封分层
ƈ.
引脚氧化
Ɖ.
芯片短路
Ɗ.
电性漂移
Ƌ.
【答案:A】
ƌ.
396、塑封分层主要诱因()
ƍ.
水汽侵入、界面粘接力不足
Ǝ.
晶粒短路
Ə.
引线过粗
Ɛ.
基板过厚
Ƒ.
【答案:A】
ƒ.
397、引脚虚焊成因()
Ɠ.
键合压力/温度异常、焊盘氧化
Ɣ.
晶粒漏电
ƕ.
塑封料过多
Ɩ.
基板翘曲
Ɨ.
【答案:A】
Ƙ.
398、晶圆划片崩边缺陷来源()
ƙ.
刀片磨损、进给速度过快
ƚ.
掺杂异常
ƛ.
薄膜厚度不均
Ɯ.
光刻偏移
Ɲ.
【答案:A】
ƞ.
399、封装洁净车间等级一般()
Ɵ.
万级/十万级
Ơ.
Class1光刻级
ơ.
百级
Ƣ.
十级
ƣ.
【答案:A】
Ƥ.
400、焊盘铝层氧化会造成()
ƥ.
键合开路、接触电阻变大
Ʀ.
器件击穿
Ƨ.
漏电增大
ƨ.
阈值漂移
Ʃ.
【答案:A】
*
7
### 模块6 半导体材料(401~460)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
401、硅片按纯度分级最高等级()
B.
电子级硅(IC用)
C.
光伏级硅
D.
冶金级硅
E.
工业粗硅
F.
【答案:A】
G.
402、电子级多晶硅纯度标准()
H.
9N以上
I.
6N
J.
4N
K.
3N
L.
【答案:A】
M.
403、直拉CZ硅片内部氧含量()区熔FZ硅
N.
高于
O.
低于
P.
相等
Q.
无规律
R.
【答案:A】
S.
404、FZ区熔硅优势()
T.
低氧高纯、高压功率器件
U.
低成本大尺寸量产
V.
12英寸主流用料
W.
光伏专用
X.
【答案:A】
Y.
405、半导体衬底四大主流:硅、SiC、GaN、()
Z.
GaAs砷化镓
[.
玻璃
\.
氧化铝
].
石墨
^.
【答案:A】
_.
406、砷化镓GaAs主要应用领域()
`.
射频微波器件、光电器件
a.
逻辑CPU
b.
DRAM存储
c.
低压MCU
d.
【答案:A】
e.
407、蓝宝石衬底主要用来外延生长()
f.
GaN氮化镓
g.
Si硅
h.
SiC碳化硅
i.
GaAs
j.
【答案:A】
k.
408、半导体光刻胶按曝光波长分类不含()
l.
红外光刻胶
m.
i线(365nm)
n.
KrF(248nm)
o.
ArF(193nm)
p.
【答案:A】
q.
409、ArF光刻胶适配工艺()
r.
7~28nm
s.
130nm以上
t.
分立器件
u.
i线成熟工艺
v.
【答案:A】
w.
410、KrF光刻胶适用制程()
x.
110nm~350nm
y.
先进7nm
z.
5nm
{.
3nm
|.
【答案:A】
}.
411、光刻胶配套辅材显影液主流化学品()
~.
TMAH四甲基氢氧化铵
.
HF氢氟酸
.
盐酸
.
磷酸
.
【答案:A】
.
412、电子特气分类:掺杂气、刻蚀气、()
.
薄膜沉积用气
.
普通工业空气
.
液化天然气
.
压缩氧气
.
【答案:A】
.
413、硅烷SiH4用途()
.
多晶硅、非晶硅薄膜CVD气源
.
刻蚀氧化硅
.
氮化硅制备
.
掺杂硼源
.
【答案:A】
.
414、氨气NH3主要生产()薄膜
.
氮化硅Si3N4
.
二氧化硅
.
多晶硅
.
铝膜
.
【答案:A】
.
415、CF4四氟化碳常用()工艺
.
干法刻蚀介质层
.
硅外延
.
热氧化
.
金属沉积
.
【答案:A】
.
416、六氟化钨WF6用于CVD制备()
.
钨金属薄膜
.
氧化硅
.
氮化硅
.
多晶硅
.
【答案:A】
¡.
417、半导体靶材分类:金属靶、合金靶、()
¢.
化合物靶
£.
塑料靶
¤.
玻璃靶
¥.
陶瓷原片
¦.
【答案:A】
§.
418、铝靶材用于()PVD沉积
¨.
铝布线薄膜
©.
铜互连
ª.
栅介质
«.
钝化层
¬.
【答案:A】
.
419、钛/钽靶材用作铜互连()
®.
阻挡层薄膜
¯.
导电主线
°.
绝缘层
±.
钝化保护层
².
【答案:A】
³.
420、CMP耗材两大件:抛光液+()
´.
抛光垫
µ.
研磨砂
¶.
酸碱试剂
·.
去离子水
¸.
【答案:A】
¹.
421、硅片抛光液磨料主流材质()
º.
二氧化硅SiO2
».
氧化铝
¼.
金刚石
½.
碳化硅
¾.
【答案:A】
¿.
422、金属抛光液多采用()磨料体系
À.
氧化铝
Á.
二氧化硅
Â.
碳酸钙
Ã.
石英砂
Ä.
【答案:A】
Å.
423、湿电子化学品简称湿化学品,不包含()
Æ.
压缩氮气
Ç.
硫酸双氧水
È.
显影液
É.
剥离液
Ê.
【答案:A】
Ë.
424、RCA清洗SC1配方:氨水+双氧水+()
Ì.
超纯水
Í.
氢氟酸
Î.
盐酸
Ï.
磷酸
Ð.
【答案:A】
Ñ.
425、RCA清洗SC2配方:盐酸+双氧水+()
Ò.
超纯水
Ó.
KOH碱液
Ô.
TMAH
Õ.
硝酸
Ö.
【答案:A】
×.
426、DHF稀氢氟酸用于去除硅表面()
Ø.
原生氧化层
Ù.
金属杂质
Ú.
有机污渍
Û.
颗粒粉尘
Ü.
【答案:A】
Ý.
427、封装塑封料EMC主要组分()
Þ.
环氧树脂+硅微粉填料
ß.
金属粉末+树脂
à.
光刻胶+溶剂
á.
硅烷+固化剂
â.
【答案:A】
ã.
428、引线框架基材常用()铜合金
ä.
铜铁/铜镍硅合金
å.
纯铝
æ.
纯铁
ç.
不锈钢
è.
【答案:A】
é.
429、键合丝品类:金丝、铜线、铝丝、()
ê.
钯合金丝
ë.
铁丝
ì.
铜铁丝
í.
锌丝
î.
【答案:A】
ï.
430、DBC陶瓷基板主流陶瓷材质()
ð.
氧化铝Al₂O₃/氮化铝AlN
ñ.
碳化硅
ò.
二氧化硅
ó.
氮化镓
ô.
【答案:A】
õ.
431、氮化铝AlN相比氧化铝优势()
ö.
导热系数更高适配大功率器件
÷.
成本更低
ø.
加工简易
ù.
耐压更低
ú.
【答案:A】
û.
432、第三代半导体SiC分两种晶型()
ü.
4H-SiC、6H-SiC
ý.
1H-SiC、2H-SiC
þ.
单晶/多晶
ÿ.
无定型
Ā.
【答案:A】
ā.
433、4H-SiC为功率器件主流衬底原因()
Ă.
禁带宽度合适、载流子迁移率优
ă.
成本极低
Ą.
易大面积制备
ą.
外延不用缓冲层
Ć.
【答案:A】
ć.
434、GaN氮化镓外延普遍需要()缓冲层
Ĉ.
AlGaN铝镓氮
ĉ.
SiO₂
Ċ.
多晶硅
ċ.
铝金属
Č.
【答案:A】
č.
435、光刻掩模版基板材质()
Ď.
石英玻璃
ď.
普通浮法玻璃
Đ.
硅片
đ.
陶瓷片
Ē.
【答案:A】
ē.
436、掩模遮光图形材料()
Ĕ.
金属铬Cr
ĕ.
铝
Ė.
铜
ė.
金
Ę.
【答案:A】
ę.
437、SOI绝缘硅结构三层:顶层硅+()+硅衬底
Ě.
埋层二氧化硅
ě.
氮化硅
Ĝ.
多晶硅
ĝ.
金属层
Ğ.
【答案:A】
ğ.
438、SOI芯片优势()
Ġ.
寄生电容小、高速低漏电、抗闩锁
ġ.
成本低廉
Ģ.
工艺简单
ģ.
不用光刻
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
439、高纯电子化学品管控核心指标()
Ħ.
金属离子杂质含量
ħ.
颜色透明度
Ĩ.
粘稠度
ĩ.
沸点
Ī.
【答案:A】
ī.
440、半导体用超纯水电阻率控制≥()MΩ·cm
Ĭ.
18.2
ĭ.
10
Į.
5
į.
1
İ.
【答案:A】
ı.
441、光刻胶储存条件()
IJ.
低温避光冷藏
ij.
室温暴晒
Ĵ.
高温烘干
ĵ.
潮湿环境存放
Ķ.
【答案:A】
ķ.
442、正胶感光后()溶解于显影液
ĸ.
曝光区域
Ĺ.
未曝光区域
ĺ.
全部胶体
Ļ.
底部残留
ļ.
【答案:A】
Ľ.
443、负胶感光后()溶于显影液
ľ.
未曝光区
Ŀ.
曝光固化区
ŀ.
整层胶体
Ł.
衬底界面
ł.
【答案:A】
Ń.
444、靶材晶粒细化目的()
ń.
镀膜均匀、减少颗粒缺陷
Ņ.
提升靶材硬度
ņ.
提高熔点
Ň.
降低纯度
ň.
【答案:A】
ʼn.
445、高纯硅原料工业制备起始原料()
Ŋ.
石英砂+焦炭
ŋ.
纯硅矿石
Ō.
二氧化硅粉末
ō.
硅烷气体
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
446、冶金硅提纯到多晶硅主流工艺()
Ő.
西门子改良法
ő.
直拉法
Œ.
区熔法
œ.
外延法
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
447、硅片边缘倒角目的()
Ŗ.
防止镀膜崩边、晶圆碎片
ŗ.
提升导电性能
Ř.
减小厚度
ř.
改变晶向
Ś.
【答案:A】
ś.
448、抛光后硅片表面微观要求()
Ŝ.
无纳米级颗粒、平整度极高
ŝ.
轻微划痕可用
Ş.
局部凸起
ş.
自然氧化层加厚
Š.
【答案:A】
š.
449、湿化学品PPB级别含义()
Ţ.
十亿分之一杂质控制
ţ.
百万分之一
Ť.
千分之一
ť.
百分之一
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
450、钝化氮化硅薄膜兼具()功能
Ũ.
水汽阻隔+机械防护
ũ.
导电布线
Ū.
栅极介质
ū.
掺杂源
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
451、低K介质材料用于层间绝缘降低()
Ů.
RC寄生延迟
ů.
击穿电压
Ű.
薄膜厚度
ű.
工艺温度
Ų.
【答案:A】
ų.
452、高K栅介质替代SiO2解决()问题
Ŵ.
超薄栅氧漏电
ŵ.
绝缘不足
Ŷ.
布线短路
ŷ.
掺杂扩散
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
453、钨金属薄膜常用作()
ź.
接触孔插塞
Ż.
顶层布线
ż.
栅极主体
Ž.
隔离层
ž.
【答案:A】
ſ.
454、铝互连工艺被先进制程铜互连替代核心()
ƀ.
铜电阻率更低
Ɓ.
铝成本贵
Ƃ.
铝易沉积
ƃ.
铝耐高温
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
455、铜扩散能力强必须配套()阻挡层
Ɔ.
Ta/TaN钽氮化钽
Ƈ.
二氧化硅
ƈ.
多晶硅
Ɖ.
氮化铝
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
456、SiC器件适配()工况
ƌ.
高温高压大功率
ƍ.
低压小信号
Ǝ.
低频消费电子
Ə.
常温小电流
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
457、GaN器件高频优势依托()
ƒ.
高电子迁移率二维电子气
Ɠ.
禁带窄
Ɣ.
掺杂浓度高
ƕ.
衬底导电
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
458、光刻胶残渣会造成后续()
Ƙ.
器件开路短路、电性失效
ƙ.
衬底变薄
ƚ.
薄膜增厚
ƛ.
晶向偏移
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
459、抛光垫孔隙作用()
ƞ.
储存抛光液、排出磨屑
Ɵ.
增加硬度
Ơ.
提升耐磨度
ơ.
降低压缩量
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
460、FOUP晶圆盒材质()
Ƥ.
高纯PFA/PP工程塑料
ƥ.
不锈钢
Ʀ.
铝合金
Ƨ.
普通塑料
ƨ.
【答案:A】
*
8
### 模块7 半导体设备(461~520)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
461、Fab前道核心七大设备:氧化炉、光刻、刻蚀、薄膜、离子注入、CMP、()
B.
清洗机
C.
划片机
D.
键合机
E.
塑封机
F.
【答案:A】
G.
462、光刻机三大核心部件:光源、投影物镜、()
H.
工件台
I.
真空腔体
J.
等离子源
K.
气体管路
L.
【答案:A】
M.
463、EUV光刻机工作光源波长()
N.
13.5nm
O.
193nm
P.
248nm
Q.
365nm
R.
【答案:A】
S.
464、ArF浸没式光刻机镜头与晶圆间填充()提升数值孔径NA
T.
超纯水
U.
光刻胶
V.
显影液
W.
惰性气体
X.
【答案:A】
Y.
465、干法刻蚀机依靠()实现定向垂直刻蚀
Z.
等离子体离子轰击+化学反应
[.
纯化学腐蚀
\.
高温熔融
].
湿法浸泡
^.
【答案:A】
_.
466、刻蚀机腔体常用内衬()抗等离子腐蚀
`.
氧化铝陶瓷/石英
a.
不锈钢
b.
PVC塑料
c.
普通钢材
d.
【答案:A】
e.
467、PVD溅射机依靠()轰击靶材成膜
f.
高能氩离子
g.
高温热蒸发
h.
化学反应
i.
溶液浸泡
j.
【答案:A】
k.
468、CVD设备依靠气态前驱体()生成固态薄膜
l.
气相化学反应
m.
物理溅射
n.
熔融冷却
o.
电化学沉积
p.
【答案:A】
q.
469、ALD原子层沉积单次循环沉积()量级薄膜
r.
单原子分子层
s.
微米级厚膜
t.
百纳米
u.
毫米
v.
【答案:A】
w.
470、离子注入机四大系统:离子源、磁分析器、加速电源、()
x.
扫描靶室
y.
光刻光学系统
z.
研磨机构
{.
化学槽体
|.
【答案:A】
}.
471、离子注入能量决定(),剂量决定掺杂浓度
~.
杂质注入深度
.
掺杂元素种类
.
导电类型
.
晶体结构
.
【答案:A】
.
472、炉管扩散炉多用于()高温深结掺杂
.
大功率分立器件
.
7nm先进逻辑
.
DRAM存储
.
射频芯片
.
【答案:A】
.
473、RTA快速退火炉特点()
.
毫秒~秒级短时高温、抑制杂质横向扩散
.
长时间恒温炉体
.
低温长时间退火
.
常压常温工艺
.
【答案:A】
.
474、CMP化学机械抛光机由抛光头、磨盘、()组成
.
抛光液供给系统
.
等离子腔体
.
曝光光源
.
离子加速源
.
【答案:A】
.
475、单片式清洗机为当前Fab主流,替代老式()清洗槽
.
槽式浸泡清洗
.
喷淋清洗
.
超声粗洗
.
常温浸泡
.
【答案:A】
.
476、晶圆研磨机用于封装前()减薄
.
硅片背面
.
正面有源区
.
焊盘金属层
.
划片槽
.
【答案:A】
¡.
477、晶圆切割机(划片机)刀具为()金刚石砂轮
¢.
固结金刚石刀片
£.
硬质合金刀
¤.
陶瓷刀
¥.
高速钢刀
¦.
【答案:A】
§.
478、键合机分金丝球焊机、()两大类
¨.
铝丝楔焊机
©.
塑封压机
ª.
切筋机
«.
测试分选机
¬.
【答案:A】
.
479、塑封成型压机依靠模具+()高温固化成型
®.
环氧树脂EMC粉料/粒料
¯.
金属颗粒
°.
硅粉
±.
光刻胶
².
【答案:A】
³.
480、半导体探针台用于()CP晶圆测试
´.
整片晶圆在片电性探测
µ.
成品封装测试
¶.
老化加电
·.
可靠性试验
¸.
【答案:A】
¹.
481、半导体测试机ATE全称()
º.
自动测试设备
».
老化炉
¼.
分选机
½.
探针台
¾.
【答案:A】
¿.
482、分选机功能:测试后按()分级收纳芯片
À.
电性良劣等级
Á.
封装尺寸
Â.
晶粒大小
Ã.
晶圆批次
Ä.
【答案:A】
Å.
483、氧化炉分管式炉、()两种主流
Æ.
立式炉
Ç.
单片炉
È.
真空炉
É.
常压炉
Ê.
【答案:A】
Ë.
484、立式氧化炉优势()
Ì.
晶圆竖直放置、颗粒少均匀性好
Í.
占地面积小
Î.
单次量产少
Ï.
成本更低
Ð.
【答案:A】
Ñ.
485、涂胶显影机Track和()联机配套使用
Ò.
光刻机
Ó.
刻蚀机
Ô.
注入机
Õ.
CMP
Ö.
【答案:A】
×.
486、黄光区专属设备()
Ø.
光刻+涂胶显影设备
Ù.
刻蚀设备
Ú.
薄膜设备
Û.
清洗设备
Ü.
【答案:A】
Ý.
487、PECVD等离子增强CVD可在()温度沉积薄膜
Þ.
低温<400℃
ß.
1000℃以上高温
à.
常温室温
á.
熔融温度
â.
【答案:A】
ã.
488、LPCVD低压化学气相沉积常用()工艺环境
ä.
低压负压
å.
常压
æ.
高压
ç.
真空超高负压
è.
【答案:A】
é.
489、溅射分直流DC溅射、射频RF溅射,绝缘靶材用()
ê.
RF射频溅射
ë.
DC直流溅射
ì.
交流工频
í.
脉冲直流
î.
【答案:A】
ï.
490、半导体洁净室FFU含义()
ð.
风机过滤单元
ñ.
废气处理设备
ò.
纯水机组
ó.
特气控制柜
ô.
【答案:A】
õ.
491、Fab特气柜功能:气源稳压、过滤、()
ö.
安全切断控制
÷.
气体合成
ø.
气体液化
ù.
废气燃烧
ú.
【答案:A】
û.
492、晶圆传送FOUP依靠()在产线自动化搬运
ü.
OHT天车轨道系统
ý.
人工转运
þ.
叉车
ÿ.
流水线皮带
Ā.
【答案:A】
ā.
493、真空机械手用于设备腔体()晶圆取放
Ă.
密闭真空环境
ă.
大气洁净环境
Ą.
药液槽内
ą.
高温炉管
Ć.
【答案:A】
ć.
494、椭偏仪无损测量()
Ĉ.
薄膜厚度+折射率
ĉ.
方块电阻
Ċ.
击穿电压
ċ.
掺杂浓度
Č.
【答案:A】
č.
495、四探针测试仪测试()
Ď.
方块电阻/薄层电阻率
ď.
膜厚
Đ.
光学参数
đ.
漏电电流
Ē.
【答案:A】
ē.
496、扫描电镜SEM用于观测()
Ĕ.
微观形貌、线宽剖面
ĕ.
电性参数
Ė.
掺杂含量
ė.
薄膜折射率
Ę.
【答案:A】
ę.
497、X射线荧光XRF用于检测()
Ě.
薄膜组分厚度、镀层厚度
ě.
器件耐压
Ĝ.
开关速度
ĝ.
阈值电压
Ğ.
【答案:A】
ğ.
498、老化炉设备核心功能()
Ġ.
高温加电老化筛选
ġ.
塑封固化
Ģ.
晶粒粘接
ģ.
引线成型
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
499、切筋成型设备完成引脚去连筋+()
Ħ.
引脚折弯成型
ħ.
塑封修整
Ĩ.
表面打磨
ĩ.
引脚电镀
Ī.
【答案:A】
ī.
500、引脚电镀设备常用镀()提升可焊性
Ĭ.
镍钯金/锡
ĭ.
铜
Į.
铝
į.
锌
İ.
【答案:A】
ı.
501、国产刻蚀龙头中微主营()刻蚀设备
IJ.
介质/硅刻蚀机
ij.
光刻机
Ĵ.
注入机
ĵ.
CMP设备
Ķ.
【答案:A】
ķ.
502、北方华创主力产品()
ĸ.
PVD炉管清洗多品类设备
Ĺ.
EUV光刻机
ĺ.
CMP整机
Ļ.
键合设备
ļ.
【答案:A】
Ľ.
503、盛美半导体主打()设备国产化
ľ.
单片式湿法清洗设备
Ŀ.
干法刻蚀
ŀ.
薄膜沉积
Ł.
离子注入
ł.
【答案:A】
Ń.
504、上海新阳配套()配套材料+设备
ń.
湿法化学品、涂胶配套耗材
Ņ.
靶材
ņ.
硅片
Ň.
封装料
ň.
【答案:A】
ʼn.
505、芯源微国内()涂胶显影设备厂商
Ŋ.
光刻配套Track设备
ŋ.
刻蚀整机
Ō.
CMP
ō.
离子注入
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
506、离子注入设备国内研发主力()
Ő.
万业企业(凯世通)
ő.
中微
Œ.
北方华创
œ.
盛美
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
507、CMP抛光设备国产代表企业()
Ŗ.
安集科技+华海清科
ŗ.
中芯国际
Ř.
长电科技
ř.
沪硅产业
Ś.
【答案:A】
ś.
508、键合封装设备国产龙头()
Ŝ.
长川科技、新益昌
ŝ.
中微
Ş.
北方华创
ş.
安集
Š.
【答案:A】
š.
509、测试ATE设备国内头部()
Ţ.
华峰测控、长川科技
ţ.
沪硅产业
Ť.
中芯国际
ť.
安集科技
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
510、光刻机全球龙头()
Ũ.
ASML阿斯麦
ũ.
尼康佳能
Ū.
应用材料
ū.
泛林半导体
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
511、全球刻蚀设备两大巨头()
Ů.
应用材料AMAT、泛林LAM
ů.
ASML、尼康
Ű.
信越、SUMCO
ű.
长电、通富
Ų.
【答案:A】
ų.
512、全球PVD龙头厂商()
Ŵ.
应用材料AMAT
ŵ.
ASML
Ŷ.
铠侠
ŷ.
台积电
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
513、CMP设备海外主流厂商()
ź.
美国陶氏、日本荏原
Ż.
信越硅片
ż.
JSR光刻胶
Ž.
昭和电工
ž.
【答案:A】
ſ.
514、特气设备阀门管路海外龙头()
ƀ.
世伟洛克、富士金
Ɓ.
安集科技
Ƃ.
江化微
ƃ.
鼎龙股份
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
515、设备备件国产化趋势目的()
Ɔ.
降成本、保障供应链安全
Ƈ.
单纯降低性能
ƈ.
提高售价
Ɖ.
简化工艺
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
516、腔体PM预防性保养目的()
ƌ.
清除腔体颗粒、稳定工艺参数
ƍ.
更换整台设备
Ǝ.
更改工艺配方
Ə.
更换晶圆规格
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
517、设备漂移Drift管控依靠()定期WAT测试
ƒ.
PCM工艺监控芯片
Ɠ.
成品芯片FT
Ɣ.
老化试验
ƕ.
可靠性测试
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
518、FOUP清洗机用于清洗()
Ƙ.
晶圆传送盒内壁颗粒杂质
ƙ.
硅片表面
ƚ.
封装基板
ƛ.
塑封外壳
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
519、废气处理设备处理Fab()
ƞ.
易燃易爆有毒工艺尾气
Ɵ.
车间新风
Ơ.
冷却水废水
ơ.
洁净空气
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
520、超纯水机为全Fab提供()级纯水
Ƥ.
18.2MΩ·cm电子级
ƥ.
工业自来水
Ʀ.
软化水
Ƨ.
去盐普通纯水
ƨ.
【答案:A】
*
9
### 模块8 细分芯片品类与应用(521~580)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
521、CPU中央处理器属于()逻辑芯片
B.
通用处理器
C.
专用ASIC
D.
电源IC
E.
分立器件
F.
【答案:A】
G.
522、GPU图形处理器核心优势()
H.
海量并行计算
I.
串行运算最优
J.
高压大功率
K.
大容量存储
L.
【答案:A】
M.
523、MCU单片机全称微控制器,内部集成()
N.
CPU+RAM+ROM+外设接口
O.
仅处理器内核
P.
纯存储单元
Q.
功率开关
R.
【答案:A】
S.
524、车规MCU主要搭载在()
T.
整车电控、车身电器
U.
手机主板
V.
固态硬盘
W.
快充充电器
X.
【答案:A】
Y.
525、FPGA现场可编程门阵列特点()
Z.
可反复改写逻辑、小批量灵活开发
[.
量产低成本ASIC
\.
断电丢失程序ROM
].
大容量存储
^.
【答案:A】
_.
526、ASIC专用集成电路适合()大批量量产
`.
定型产品大批量
a.
研发小批量改版频繁
b.
样机试制
c.
多规格小订单
d.
【答案:A】
e.
527、DRAM动态内存作用()
f.
设备运行临时内存
g.
长期存储数据
h.
电源稳压
i.
射频收发
j.
【答案:A】
k.
528、NAND Flash用途()
l.
固态存储、U盘、手机闪存
m.
运行内存
n.
电源管理
o.
传感器
p.
【答案:A】
q.
529、NOR Flash优势()
r.
随机快速读码,存储程序
s.
大容量低成本存储数据
t.
高速擦写
u.
超低电压
v.
【答案:A】
w.
530、PMIC电源管理芯片功能()
x.
升降压、稳压、电源分配
y.
数据存储
z.
图像采集
{.
射频调制
|.
【答案:A】
}.
531、DC-DC开关电源IC特点()
~.
电能转换效率高
.
噪声极低
.
电路极简
.
只能低压输出
.
【答案:A】
.
532、LDO线性稳压特点()
.
输出纹波小、结构简单、效率偏低
.
高效率大功率升降压
.
高频射频供电
.
高压逆变
.
【答案:A】
.
533、快充芯片主流采用()拓扑架构
.
DC-DC降压+协议IC
.
纯LDO稳压
.
工频变压器
.
线性电源
.
【答案:A】
.
534、CIS图像传感器核心感光单元()
.
光电二极管
.
MOS电容
.
浮栅
.
三极管
.
【答案:A】
.
535、车载摄像头芯片CIS主流供应商国内()
.
韦尔豪威
.
兆易创新
.
澜起科技
.
中芯国际
.
【答案:A】
.
536、射频RF芯片应用()
.
手机、基站无线收发
.
电源稳压
.
数据存储
.
电机驱动
.
【答案:A】
¡.
537、PA功率放大器属于射频前端,作用()
¢.
放大射频发射信号
£.
滤波接收信号
¤.
电源升压
¥.
模数转换
¦.
【答案:A】
§.
538、射频开关作用()
¨.
收发通路切换
©.
功率放大
ª.
滤波降噪
«.
阻抗匹配
¬.
【答案:A】
.
539、MEMS微机电芯片代表产品()
®.
加速度陀螺仪、硅麦
¯.
CPU处理器
°.
大容量闪存
±.
功率IGBT
².
【答案:A】
³.
540、IGBT功率器件核心场景()
´.
新能源汽车电控、工业变频器、光伏逆变
µ.
手机电源
¶.
存储主控
·.
射频功放
¸.
【答案:A】
¹.
541、MOSFET分N沟道P沟道,低压MOS多用于()
º.
消费电子电源开关
».
高压电网变流
¼.
机车牵引
½.
风电变流器
¾.
【答案:A】
¿.
542、SiC MOSFET对比硅IGBT优势()
À.
高频、耐高温、损耗低
Á.
成本更低
Â.
工艺简单
Ã.
低压小功率
Ä.
【答案:A】
Å.
543、GaN HEMT快充器件优势()
Æ.
高频小型化、快充高效率
Ç.
高压大功率电网
È.
大容量储能
É.
低频工频
Ê.
【答案:A】
Ë.
544、TVS瞬态抑制二极管功能()
Ì.
ESD静电浪涌防护
Í.
整流稳压
Î.
开关控制
Ï.
信号放大
Ð.
【答案:A】
Ñ.
545、肖特基二极管特点()
Ò.
低压降、超快开关速度
Ó.
超高反向耐压
Ô.
超大结电容
Õ.
高温漏电小
Ö.
【答案:A】
×.
546、整流桥由四只()组成实现交流转直流
Ø.
整流二极管
Ù.
稳压管
Ú.
TVS
Û.
肖特基
Ü.
【答案:A】
Ý.
547、ADC模数转换器功能()
Þ.
模拟信号转数字信号
ß.
数字转模拟
à.
电源调压
á.
射频调制
â.
【答案:A】
ã.
548、DAC数模转换器功能()
ä.
数字信号转为模拟电压
å.
模拟转数字
æ.
功率变换
ç.
存储读写
è.
【答案:A】
é.
549、时钟晶振配套PLL锁相环芯片作用()
ê.
倍频分频生成各类系统时钟
ë.
电源稳压
ì.
信号放大
í.
滤波降噪
î.
【答案:A】
ï.
550、EEPROM带电可擦除存储器特点()
ð.
断电存数据、在线反复擦写
ñ.
出厂固化不可改写
ò.
断电丢失数据
ó.
高速页擦写
ô.
【答案:A】
õ.
551、物联网NB-IoT芯片核心()
ö.
低功耗窄带通信+MCU集成
÷.
高性能多核CPU
ø.
大容量NAND
ù.
大功率功率器件
ú.
【答案:A】
û.
552、蓝牙BLE芯片主打()应用
ü.
短距离低功耗无线连接
ý.
远距离基站通信
þ.
大功率射频发射
ÿ.
高速数据存储
Ā.
【答案:A】
ā.
553、车规芯片AEC-Q100按()划分等级
Ă.
工作温度范围
ă.
封装尺寸
Ą.
晶圆制程
ą.
芯片面积
Ć.
【答案:A】
ć.
554、军工宇航芯片强调()指标
Ĉ.
宽温、抗辐照、高可靠
ĉ.
低成本量产
Ċ.
先进7nm制程
ċ.
超高算力
Č.
【答案:A】
č.
555、工控级芯片工作温度范围()
Ď.
-40~85℃
ď.
0~50℃消费级
Đ.
125℃以上高温
đ.
零下专用
Ē.
【答案:A】
ē.
556、消费电子芯片常规温度()
Ĕ.
0~70℃
ĕ.
-40~125℃车规
Ė.
宽温军工
ė.
高温工业
Ę.
【答案:A】
ę.
557、内存接口芯片作用()
Ě.
DRAM信号中继驱动
ě.
存储数据
Ĝ.
电源管理
ĝ.
射频收发
Ğ.
【答案:A】
ğ.
558、存储主控芯片用于()
Ġ.
SSD固态硬盘读写控制
ġ.
内存运行
Ģ.
电源变换
ģ.
图像采集
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
559、LED驱动IC功能()
Ħ.
恒流驱动LED发光阵列
ħ.
存储数据
Ĩ.
无线通信
ĩ.
模数转换
Ī.
【答案:A】
ī.
560、电机驱动IC用于()
Ĭ.
BLDC无刷电机调速控制
ĭ.
电源稳压
Į.
数据存储
į.
射频放大
İ.
【答案:A】
ı.
561、Chiplet芯粒把不同工艺裸片()封装成系统
IJ.
异构集成
ij.
单片流片
Ĵ.
PCB拼接
ĵ.
分立器件焊接
Ķ.
【答案:A】
ķ.
562、TSV硅通孔实现芯片()垂直互连
ĸ.
层间裸片导通
Ĺ.
表面引线键合
ĺ.
PCB布线
Ļ.
引脚外接
ļ.
【答案:A】
Ľ.
563、存算一体芯片优势()
ľ.
存储计算一体化降低数据搬运功耗
Ŀ.
分开存储算力
ŀ.
超大制程面积
Ł.
工艺简单
ł.
【答案:A】
Ń.
564、功率半导体分立器件四大件:二极管、三极管、MOSFET、()
ń.
IGBT
Ņ.
CPU
ņ.
MCU
Ň.
CIS
ň.
【答案:A】
ʼn.
565、晶闸管SCR多用于()大功率工频调压
Ŋ.
工业高压整流调速
ŋ.
手机电源
Ō.
快充适配器
ō.
射频电路
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
566、霍尔传感器芯片原理依托()霍尔效应
Ő.
磁场转电压信号
ő.
光电转换
Œ.
压电效应
œ.
温感变化
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
567、PTC热敏电阻芯片依托()随温变阻值变化
Ŗ.
温度系数特性
ŗ.
光电效应
Ř.
霍尔效应
ř.
压电效应
Ś.
【答案:A】
ś.
568、CMOS图像传感器相比CCD优势()
Ŝ.
低功耗、单片集成ISP
ŝ.
成像画质绝对最优
Ş.
高压工作
ş.
工艺复杂
Š.
【答案:A】
š.
569、ISP图像信号处理芯片作用()
Ţ.
CIS图像降噪调色校正
ţ.
感光采集
Ť.
电源供电
ť.
射频处理
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
570、基带芯片负责手机()通信协议处理
Ũ.
蜂窝移动通信
ũ.
电源管理
Ū.
屏幕驱动
ū.
快充控制
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
571、WiFi蓝牙二合一SoC集成()无线通信
Ů.
短距无线射频+基带
ů.
蜂窝通信
Ű.
功率变换
ű.
图像采集
Ų.
【答案:A】
ų.
572、电源隔离驱动IC用于()高低压隔离驱动
Ŵ.
IGBT/MOS栅极驱动
ŵ.
低压信号放大
Ŷ.
存储读写
ŷ.
射频滤波
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
573、采样运放芯片用于()小信号放大采集
ź.
电压电流采样
Ż.
功率开关
ż.
数据存储
Ž.
无线发射
ž.
【答案:A】
ſ.
574、LDO+DC-DC组合电源方案兼顾()
ƀ.
高效率+低纹波
Ɓ.
全高压输出
Ƃ.
全低压大电流
ƃ.
极简外围电路
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
575、车规SiC器件优先落地()新能源乘用车
Ɔ.
主逆变器OBC车载充电机
Ƈ.
车载中控MCU
ƈ.
摄像头CIS
Ɖ.
蓝牙芯片
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
576、光伏逆变器核心功率器件()
ƌ.
IGBT/SiC MOS
ƍ.
MCU主控
Ǝ.
存储芯片
Ə.
射频器件
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
577、风电变流器大功率开关主流()
ƒ.
IGBT模块
Ɠ.
MOS小管
Ɣ.
二极管
ƕ.
MCU
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
578、工业伺服驱动器功率核心()
Ƙ.
IGBT/IPM智能功率模块
ƙ.
电源LDO
ƚ.
存储颗粒
ƛ.
射频PA
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
579、IPM智能功率模块=功率芯片+()集成封装
ƞ.
驱动保护IC
Ɵ.
主控MCU
Ơ.
闪存
ơ.
传感器
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
580、快充GaN器件集中应用()充电器
Ƥ.
手机/笔记本快充
ƥ.
工业大功率电源
Ʀ.
车载主逆变
Ƨ.
电网变流
ƨ.
【答案:A】
*
10
### 模块9 产业模式与产业链、国产化(581~640)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
581、IDM模式定义()一体化全产业链
B.
设计+制造+封测自产
C.
只设计外包生产
D.
只晶圆代工
E.
仅封装测试
F.
【答案:A】
G.
582、Fabless模式()
H.
仅芯片设计、制造封测全部外包
I.
自建Fab生产
J.
自有封测厂
K.
自产硅片
L.
【答案:A】
M.
583、Foundry晶圆代工模式()
N.
自建产线接单代工晶圆
O.
自研芯片销售
P.
只封装测试
Q.
原材料生产
R.
【答案:A】
S.
584、OSAT外包封测即()
T.
专业代工厂承接芯片封装测试
U.
自有IDM封测
V.
设计公司自建封测
W.
晶圆代工顺带封装
X.
【答案:A】
Y.
585、全球头部IDM厂商代表()
Z.
英特尔、三星
[.
高通、博通(Fabless)
\.
台积电(Foundry)
].
长电(OSAT)
^.
【答案:A】
_.
586、全球顶级Fabless设计公司()
`.
高通、英伟达
a.
三星IDM
b.
台积电代工
c.
日月光封测
d.
【答案:A】
e.
587、全球第一大Foundry晶圆代工厂()
f.
台积电TSMC
g.
三星代工
h.
中芯国际
i.
格芯
j.
【答案:A】
k.
588、中国大陆头部成熟制程Foundry()
l.
中芯国际、华虹半导体
m.
长电科技
n.
韦尔股份
o.
沪硅产业
p.
【答案:A】
q.
589、全球封测龙头OSAT()
r.
日月光ASE
s.
台积电
t.
高通
u.
三星
v.
【答案:A】
w.
590、国内封测三巨头()
x.
长电科技、通富微电、华天科技
y.
中芯、华虹、沪硅
z.
兆易、韦尔、澜起
{.
中微、北方华创、盛美
|.
【答案:A】
}.
591、上游半导体原材料包含()
~.
硅片、靶材、光刻胶、电子特气
.
晶圆代工
.
芯片设计
.
封装成品
.
【答案:A】
.
592、上游半导体设备即Fab生产机台,不含()
.
成品芯片
.
光刻机刻蚀机
.
薄膜设备
.
清洗设备
.
【答案:A】
.
593、中游晶圆制造+代工环节产出()
.
整片晶圆裸Die
.
设计版图
.
封装器件
.
终端整机
.
【答案:A】
.
594、下游封测+终端应用,封测产出()
.
成品封装芯片
.
裸晶圆
.
版图文件
.
硅片原片
.
【答案:A】
.
595、半导体行业周期跟随()终端需求变化
.
消费电子、汽车电子、工控
.
大宗商品
.
地产基建
.
钢铁煤炭
.
【答案:A】
.
596、上行景气周期表现:芯片缺货、()
.
晶圆涨价扩产
.
价格下跌产能闲置
.
设备降价
.
原材料滞销
.
【答案:A】
¡.
597、下行衰退周期:库存积压、砍单、()
¢.
降价减产缩资本开支
£.
新建大量晶圆厂
¤.
原材料涨价
¥.
设备紧缺
¦.
【答案:A】
§.
598、成熟制程定义一般≥()工艺节点
¨.
28nm
©.
14nm
ª.
7nm
«.
3nm
¬.
【答案:A】
.
599、先进制程通常≤()节点
®.
14nm
¯.
28nm
°.
40nm
±.
90nm
².
【答案:A】
³.
600、功率器件、MCU、CIS大量使用()成熟制程
´.
28nm及以上
µ.
7nm先进
¶.
5nm
·.
3nm
¸.
【答案:A】
¹.
601、CPU/GPU高端逻辑芯片优先()先进制程
º.
7nm及以下
».
28nm
¼.
40nm
½.
90nm
¾.
【答案:A】
¿.
602、国内硅片龙头企业()
À.
沪硅产业(12寸)、立昂微、神工股份
Á.
中芯国际
Â.
长电科技
Ã.
中微公司
Ä.
【答案:A】
Å.
603、国产光刻胶龙头(成熟路线)
Æ.
彤程新材、容百感光、雅克科技
Ç.
中微
È.
北方华创
É.
盛美
Ê.
【答案:A】
Ë.
604、国产电子特气龙头()
Ì.
华特气体、金宏气体、南大光电
Í.
沪硅产业
Î.
长电科技
Ï.
安集科技
Ð.
【答案:A】
Ñ.
605、国产靶材头部企业()
Ò.
江丰电子、有研新材、阿石创
Ó.
中芯国际
Ô.
华虹
Õ.
长川科技
Ö.
【答案:A】
×.
606、国产CMP抛光液龙头()
Ø.
安集科技、鼎龙股份
Ù.
中微
Ú.
盛美
Û.
沪硅产业
Ü.
【答案:A】
Ý.
607、国产湿电子化学品龙头()
Þ.
江化微、晶瑞电材、格林达
ß.
北方华创
à.
长电科技
á.
澜起科技
â.
【答案:A】
ã.
608、第三代半导体SiC国产衬底龙头()
ä.
天岳先进、三安光电、露笑科技
å.
沪硅硅片
æ.
中芯代工
ç.
长电封测
è.
【答案:A】
é.
609、国产GaN氮化镓外延龙头()
ê.
三安光电、闻泰科技、纳维科技
ë.
立昂微硅片
ì.
中微设备
í.
华天封测
î.
【答案:A】
ï.
610、EDA三大海外原厂()
ð.
新思Synopsys、楷登Cadence、西门子Mentor
ñ.
台积电三星
ò.
高通英伟达
ó.
日月光长电
ô.
【答案:A】
õ.
611、国产EDA代表企业()
ö.
华大九天、概伦电子、芯愿景
÷.
中芯国际
ø.
中微公司
ù.
沪硅产业
ú.
【答案:A】
û.
612、存储芯片国产龙头()
ü.
兆易创新(MCU/NOR)、长江存储(NAND)、长鑫存储(DRAM)
ý.
韦尔CIS
þ.
闻泰ODM
ÿ.
三安光电
Ā.
【答案:A】
ā.
613、CIS图像传感器国内龙头()
Ă.
韦尔股份豪威科技
ă.
兆易创新
Ą.
澜起科技
ą.
斯达半导
Ć.
【答案:A】
ć.
614、功率IGBT国产龙头()
Ĉ.
斯达半导、士兰微、扬杰科技
ĉ.
韦尔股份
Ċ.
长江存储
ċ.
中芯国际
Č.
【答案:A】
č.
615、射频芯片国产代表()
Ď.
卓胜微、唯捷创芯、慧智微
ď.
斯达半导
Đ.
兆易创新
đ.
沪硅产业
Ē.
【答案:A】
ē.
616、MCU国产头部厂商()
Ĕ.
兆易创新、中颖电子、芯海科技
ĕ.
韦尔股份
Ė.
安集科技
ė.
江丰电子
Ę.
【答案:A】
ę.
617、半导体国产化三大攻坚主线()
Ě.
设备、材料、EDA+芯片设计制造
ě.
终端组装
Ĝ.
家电整机
ĝ.
光伏配套
Ğ.
【答案:A】
ğ.
618、设备国产化难点()
Ġ.
零部件多、精密跨学科、供应链壁垒高
ġ.
原材料短缺
Ģ.
市场需求不足
ģ.
工艺简单
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
619、半导体材料壁垒核心()
Ħ.
配方+提纯工艺+量产稳定性
ħ.
设备廉价
Ĩ.
技术门槛低
ĩ.
原料易得
Ī.
【答案:A】
ī.
620、IP核授权商业模式:授权费+()
Ĭ.
量产芯片按颗抽成
ĭ.
按晶圆片数收费
Į.
封装费用
į.
测试费用
İ.
【答案:A】
ı.
621、MPW多项目晶圆优势()
IJ.
多家拼片分摊流片成本,降低研发费用
ij.
单片全晶圆量产
Ĵ.
大批量代工
ĵ.
成品统一封装
Ķ.
【答案:A】
ķ.
622、芯片流片分工程流片、()
ĸ.
量产流片
Ĺ.
封装流片
ĺ.
测试流片
Ļ.
研磨流片
ļ.
【答案:A】
Ľ.
623、工程样片目的()
ľ.
验证设计修正BUG
Ŀ.
大批量出货销售
ŀ.
直接终端装机
Ł.
可靠性量产
ł.
【答案:A】
Ń.
624、Foundry报价计价基础(单片晶圆单价)受()影响最大
ń.
工艺节点、光罩成本
Ņ.
封装形式
ņ.
测试项目
Ň.
芯片售价
ň.
【答案:A】
ʼn.
625、7nm以下先进制程成本飙升主因()
Ŋ.
工序暴涨、设备耗材昂贵
ŋ.
硅片涨价
Ō.
人工成本
ō.
封装加价
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
626、8英寸晶圆紧缺多因为()产能扩产受限
Ő.
成熟功率IC、MCU需求旺盛
ő.
先进逻辑挤占产能
Œ.
设备停产
œ.
原材料短缺
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
627、12英寸晶圆主要适配()芯片量产
Ŗ.
先进逻辑、存储芯片
ŗ.
分立器件、低压MOS
Ř.
小信号二极管
ř.
晶闸管
Ś.
【答案:A】
ś.
628、半导体产业园完整配套:Fab制造、封测厂、()
Ŝ.
材料设备配套企业
ŝ.
终端家电组装
Ş.
房地产配套
ş.
化工原料厂
Š.
【答案:A】
š.
629、Fab洁净厂房建设成本大头()
Ţ.
洁净装修+机电纯水特气系统
ţ.
土建结构
Ť.
厂区绿化
ť.
办公楼建设
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
630、Fab能耗偏高主要耗电()
Ũ.
设备、洁净空调、纯水特气制备
ũ.
办公用电
Ū.
照明
ū.
厂区配套
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
631、ODM模式:设计+代工+整机制造,代表()
Ů.
闻泰科技、华勤技术
ů.
台积电代工
Ű.
高通设计
ű.
日月光封测
Ų.
【答案:A】
ų.
632、OEM仅负责()代工组装
Ŵ.
来料整机加工
ŵ.
芯片研发设计
Ŷ.
晶圆制造
ŷ.
原材料生产
Ÿ.
【答案:A】
Ź.
633、车用半导体增速高于消费电子原因()
ź.
电动化智能化单车芯片用量暴涨
Ż.
消费电子停产
ż.
工控下滑
Ž.
家电萎缩
ž.
【答案:A】
ſ.
634、第三代半导体增量市场集中()
ƀ.
新能源车、快充、5G射频、光伏风电
Ɓ.
传统PC电脑
Ƃ.
老式家电
ƃ.
低端玩具电子
Ƅ.
【答案:A】
ƅ.
635、存储芯片价格周期性波动最强因为()
Ɔ.
产能集中扩产+终端库存波动大
Ƈ.
工艺复杂
ƈ.
原材料稀缺
Ɖ.
设备短缺
Ɗ.
【答案:A】
Ƌ.
636、存储原厂三大(海外):三星、铠侠、()
ƌ.
美光
ƍ.
台积电
Ǝ.
高通
Ə.
英特尔
Ɛ.
【答案:A】
Ƒ.
637、功率半导体海外巨头()
ƒ.
英飞凌、安森美、罗姆
Ɠ.
三星存储
Ɣ.
台积电代工
ƕ.
新思EDA
Ɩ.
【答案:A】
Ɨ.
638、射频前端海外龙头()
Ƙ.
Qorvo、Skyworks、博通
ƙ.
英飞凌功率
ƚ.
美光存储
ƛ.
ASML设备
Ɯ.
【答案:A】
Ɲ.
639、国产替代逻辑优先突破()成熟制程配套
ƞ.
28nm及以上设备材料
Ɵ.
3/5nm先进设备
Ơ.
EUV光刻机
ơ.
超高纯度特种气体
Ƣ.
【答案:A】
ƣ.
640、供应链安全核心:关键设备材料()
Ƥ.
国产导入批量验证
ƥ.
全部海外采购
Ʀ.
缩减本土产线
Ƨ.
放弃自研
ƨ.
【答案:A】
*
11
### 模块10 半导体可靠性与良率(641~700)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
641、良率Yield计算公式:良品Die÷()
B.
整片晶圆有效Die总数
C.
划片总数量
D.
封装数量
E.
测试总数
F.
【答案:A】
G.
642、晶圆良率损失头号元凶()
H.
颗粒异物缺陷
I.
封装不良
J.
终端失效
K.
老化损坏
L.
【答案:A】
M.
643、第二位良率损耗来源()
N.
光刻图形畸变偏移
O.
晶粒虚焊
P.
塑封分层
Q.
引脚氧化
R.
【答案:A】
S.
644、WAT晶圆电性测试通过()监控工艺漂移
T.
PCM测试芯片TestKey
U.
成品功能测试
V.
老化筛选
W.
可靠性试验
X.
【答案:A】
Y.
645、阈值电压Vth漂移成因:栅介质电荷、()波动
Z.
离子沾污/掺杂工艺偏移
[.
封装应力
\.
终端电压
].
环境湿度
^.
【答案:A】
_.
646、MOS器件漏电偏大最常见诱因()
`.
栅介质缺陷、金属离子污染
a.
布线过粗
b.
衬底加厚
c.
塑封漏电
d.
【答案:A】
e.
647、STI沟槽填充空洞会造成器件()
f.
隔离漏电、相邻器件短路
g.
布线断线
h.
栅极击穿
i.
封装分层
j.
【答案:A】
k.
648、铜互连阻挡层厚度不足后果()
l.
铜扩散入硅造成漏电失效
m.
布线电阻降低
n.
CMP无法抛光
o.
引脚虚焊
p.
【答案:A】
q.
649、Salicide硅化物空洞缺陷升高()
r.
接触电阻RC
s.
击穿电压
t.
器件耐压
u.
开关速度
v.
【答案:A】
w.
650、晶圆翘曲由()薄膜应力不匹配导致
x.
多层沉积薄膜热胀系数差异
y.
掺杂不均
z.
晶向错乱
{.
测试压力
|.
【答案:A】
}.
651、ESD静电损伤分两类:突发性硬击穿、()
~.
隐性参数漂移软损伤
.
机械破损
.
封装开裂
.
引脚锈蚀
.
【答案:A】
.
652、IO口ESD防护器件布置在()
.
焊盘内侧IO环
.
芯片内核中心
.
存储区
.
电源内核
.
【答案:A】
.
653、CMOS闩锁Latch-up由内部()寄生可控硅导通
.
PNPN四层结构
.
MOS栅电容
.
布线电感
.
衬底电阻
.
【答案:A】
.
654、版图防闩锁措施()保护环隔离衬底
.
Guard Ring
.
加宽金属线
.
加厚栅氧
.
提高掺杂浓度
.
【答案:A】
.
655、天线效应诱因:长线金属光刻积累电荷击穿()
.
栅氧化层
.
硅衬底
.
氮化硅钝化层
.
封装树脂
.
【答案:A】
.
656、改善天线效应方法:跳线断开长金属+()泄放电荷
.
天线二极管
.
加厚栅介质
.
提高掺杂
.
缩短曝光时间
.
【答案:A】
¡.
657、塑封分层主要诱因()水汽侵入界面脱粘
¢.
MSL湿敏管控缺失、高温回流水汽膨胀
£.
晶粒短路
¤.
引线过细
¥.
基板翘曲
¦.
【答案:A】
§.
658、引脚虚焊键合不良诱因:焊盘氧化、()异常
¨.
键合温度压力超声功率
©.
塑封温度
ª.
研磨厚度
«.
划片速度
¬.
【答案:A】
.
659、晶圆划片崩边:刀片损耗过大、()过快
®.
切割进给速度
¯.
研磨转速
°.
键合压力
±.
塑封固化温度
².
【答案:A】
³.
660、高温老化Burn-In筛选()早期失效芯片
´.
潜在缺陷隐性不良
µ.
成品良品
¶.
参数正常芯片
·.
封装完好器件
¸.
【答案:A】
¹.
661、温度循环TC考核()冷热交替封装可靠性
º.
封装界面、基板晶粒粘接面
».
裸片晶圆
¼.
版图设计
½.
晶圆制程
¾.
【答案:A】
¿.
# 半导体基础知识题库接续:662~800题(单选,含答案)
À.
## 模块10 半导体可靠性与良率(续662~700)
Á.
662、HAST高压蒸煮加速考核()耐湿防潮可靠性
Â.
封装界面、钝化层抗水汽渗透
Ã.
晶圆衬底耐压
Ä.
芯片运算速度
Å.
金属布线阻值
Æ.
【答案:A】
Ç.
663、UHAST无偏压高压蒸煮区别HAST,测试环境()
È.
不加电、只高温高湿高压
É.
持续通电高温
Ê.
低温交变湿热
Ë.
常温常压浸水
Ì.
【答案:A】
Í.
664、PCT高压蒸煮试验常用于管控()塑封器件防潮性能
Î.
非气密性塑封
Ï.
全金属密封
Ð.
陶瓷气密性封装
Ñ.
裸片晶圆
Ò.
【答案:A】
Ó.
665、HTOL高温工作寿命试验环境()
Ô.
高温+额定电压长期通电
Õ.
高温不加电静置
Ö.
高低温循环不通电
×.
高湿无偏压
Ø.
【答案:A】
Ù.
666、ELFR早期寿命试验目的筛选()隐性失效产品
Ú.
出厂短期易失效
Û.
使用十年老化失效
Ü.
机械磕碰损坏
Ý.
焊接损坏
Þ.
【答案:A】
ß.
667、HTRB高温反偏针对()功率分立器件可靠性验证
à.
二极管、MOS、IGBT
á.
逻辑IC
â.
存储芯片
ã.
CIS传感器
ä.
【答案:A】
å.
668、MSL湿敏等级依据()管控拆封后暴露在空气时长
æ.
封装吸水速率、回流焊耐爆性能
ç.
封装厚度大小
è.
芯片功耗高低
é.
引脚数量多少
ê.
【答案:A】
ë.
669、MSL1级代表()防潮管控要求
ì.
不限空气暴露时间
í.
拆封24h必须回流
î.
拆封48h烘烤
ï.
拆封即烘烤
ð.
【答案:A】
ñ.
670、塑封料吸水超标过回流焊会产生()分层爆塑缺陷
ò.
水汽受热急剧汽化膨胀
ó.
树脂低温收缩
ô.
晶粒受热变形
õ.
引线受热伸长
ö.
【答案:A】
÷.
671、引脚可焊性测试主要验证()耐仓储氧化能力
ø.
引脚镀层锡/金层
ù.
塑封壳体
ú.
内部晶粒
û.
键合引线
ü.
【答案:A】
ý.
672、TCT温度循环失效高发位置是()
þ.
晶粒-基板粘接层、塑封与框架界面
ÿ.
硅衬底本体
Ā.
内部栅介质
ā.
顶层金属布线
Ă.
【答案:A】
ă.
673、封装空洞危害:导热变差、()诱发器件过热烧毁
Ą.
局部热聚集应力开裂
ą.
布线阻值下降
Ć.
漏电变小
ć.
耐压提升
Ĉ.
【答案:A】
ĉ.
674、键合引线断线首要诱因:温度循环应力+()
Ċ.
引线疲劳、键合点应力集中
ċ.
塑封硬度偏高
Č.
基板过厚
č.
晶粒偏大
Ď.
【答案:A】
ď.
675、晶圆微观缺陷检测常用设备()
Đ.
AOI光学检测仪
đ.
ATE测试机
Ē.
探针台
ē.
老化炉
Ĕ.
【答案:A】
ĕ.
676、KGD已知良好裸片是经过()全测合格的裸晶粒
Ė.
在片CP电性+可靠性筛选
ė.
封装后FT测试
Ę.
整机实测
ę.
高温老化
Ě.
【答案:A】
ě.
677、影响晶圆制程良率最关键环境因素()
Ĝ.
洁净度颗粒管控
ĝ.
车间照度
Ğ.
车间噪音
ğ.
空气流速
Ġ.
【答案:A】
ġ.
678、制程工艺漂移会造成整批晶圆()同步劣化
Ģ.
电性参数偏移、批量不良
ģ.
机械外形破损
Ĥ.
封装分层
ĥ.
引脚氧化
Ħ.
【答案:A】
ħ.
679、金属离子污染典型后果:MOS器件()随时间漂移
Ĩ.
阈值电压Vth
ĩ.
导通电阻Ron
Ī.
击穿电压BV
ī.
开关速率
Ĭ.
【答案:A】
ĭ.
680、钝化层针孔缺陷会引发()水汽入侵腐蚀铝布线
Į.
布线腐蚀断线漏电
į.
栅氧击穿
İ.
衬底击穿
ı.
封装鼓包
IJ.
【答案:A】
ij.
681、CMP研磨残留颗粒易造成后续光刻()图形缺陷
Ĵ.
光刻缺胶短路断线
ĵ.
栅介质变薄
Ķ.
掺杂异常
ķ.
薄膜增厚
ĸ.
【答案:A】
Ĺ.
682、光刻显影残留胶渣导致后续镀膜()产生孤岛断路
ĺ.
金属布线开路
Ļ.
绝缘层击穿
ļ.
衬底漏电
Ľ.
键合不良
ľ.
【答案:A】
Ŀ.
683、封装来料框架锈蚀会直接造成()键合失效
ŀ.
引线焊盘虚焊脱落
Ł.
塑封无法固化
ł.
晶粒碎裂
Ń.
引脚变形
ń.
【答案:A】
Ņ.
684、塑封料受潮烘烤工艺目的()
ņ.
去除内部吸附水汽
Ň.
提升塑封硬度
ň.
降低固化温度
ʼn.
改变收缩率
Ŋ.
【答案:A】
ŋ.
685、车规芯片可靠性标准AEC-Q100配套()全套可靠性试验
Ō.
TC/HAST/HTOL/HTRB
ō.
仅常温电性测试
Ŏ.
整机环境测试
ŏ.
产线在线抽检
Ő.
【答案:A】
ő.
686、军工宇航器件额外增加()辐照可靠性考核
Œ.
电离辐照、单粒子效应
œ.
高低温循环
Ŕ.
湿热蒸煮
ŕ.
功率老化
Ŗ.
【答案:A】
ŗ.
687、单粒子翻转SEU易造成()存储逻辑数据错乱
Ř.
寄存器、存储单元
ř.
功率器件击穿
Ś.
电源IC烧毁
ś.
传感器无输出
Ŝ.
【答案:A】
ŝ.
688、制程良率提升三大方向:环境管控、工艺优化、()
Ş.
来料品质管控
ş.
提高设备转速
Š.
简化工艺流程
š.
放宽参数规格
Ţ.
【答案:A】
ţ.
689、设备定期PM保养可降低因()带来批量不良
Ť.
腔体污染物、设备参数漂移
ť.
原材料涨价
Ŧ.
人工操作习惯
ŧ.
车间温湿度小幅波动
Ũ.
【答案:A】
ũ.
690、FOUP晶圆盒不洁带入颗粒,会在晶圆()形成致命缺陷
Ū.
有源芯片区域
ū.
晶圆边缘倒角区
Ŭ.
划片槽区域
ŭ.
晶圆背面
Ů.
【答案:A】
ů.
691、ESD防护等级HBM人体模型常用测试电压()
Ű.
±2kV起步分级
ű.
±100V
Ų.
±500V
ų.
±10kV固定
Ŵ.
【答案:A】
ŵ.
692、MM机器模型模拟设备摩擦静电,放电波形()HBM
Ŷ.
放电更快、峰值电流更大
ŷ.
放电缓慢
Ÿ.
电压更低
Ź.
能量更小
ź.
【答案:A】
Ż.
693、CDM器件充电模型模拟芯片自身带电放电,()防护最难
ż.
瞬时大电流极易栅氧击穿
Ž.
电压低无损伤
ž.
只损伤封装
ſ.
仅影响引线
ƀ.
【答案:A】
Ɓ.
694、产线防静电核心措施:全员接地手环、()防静电台面
Ƃ.
车间防静电地坪
ƃ.
提升车间湿度至超80%
Ƅ.
全车间金属包裹
ƅ.
密闭无氧环境
Ɔ.
【答案:A】
Ƈ.
695、塑封器件长期仓储失效主要诱因()
ƈ.
缓慢吸潮+引脚氧化
Ɖ.
内部晶粒老化
Ɗ.
塑封料自然分解
Ƌ.
引线金属疲劳
ƌ.
【答案:A】
ƍ.
696、功率模块DBC基板开裂多来自冷热循环()热应力
Ǝ.
陶瓷与铜热膨胀系数差异
Ə.
灌封胶过硬
Ɛ.
晶粒过重
Ƒ.
外壳挤压
ƒ.
【答案:A】
Ɠ.
697、IGBT模块硅凝胶开裂后果:()爬电距离下降耐压失效
Ɣ.
绝缘防护失效水汽侵入
ƕ.
晶粒直接脱落
Ɩ.
外壳变形
Ɨ.
引线断裂
Ƙ.
【答案:A】
ƙ.
698、可靠性试验失效分析FA第一步优先做()无损检测
ƚ.
X射线透视检查内部结构
ƛ.
直接开封解剖
Ɯ.
高温通电复测
Ɲ.
研磨切片
ƞ.
【答案:A】
Ɵ.
699、开封去塑后显微镜观察属于FA()失效形貌确认
Ơ.
解剖形貌分析
ơ.
电性复测
Ƣ.
环境复现试验
ƣ.
制程回溯
Ƥ.
【答案:A】
ƥ.
700、失效根因闭环改善:不良定位→原因分析→改善对策→()
Ʀ.
小批量验证量产落地
Ƨ.
直接变更全量生产
ƨ.
放弃该工艺
Ʃ.
更换原材料厂家
ƪ.
【答案:A】
*
12
## 模块11 第三代半导体专项(701~750)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
701、第三代半导体统称宽禁带半导体,禁带宽度普遍大于()eV
B.
2.3
C.
1.1(硅)
D.
0.7
E.
1.5
F.
【答案:A】
G.
702、商用主流宽禁带材料:SiC、GaN、()
H.
氧化镓Ga₂O₃
I.
硅Si
J.
砷化镓GaAs
K.
磷化铟InP
L.
【答案:A】
M.
703、4H-SiC相比6H-SiC优势:()更高适配功率器件
N.
电子迁移率
O.
禁带宽度
P.
晶格常数
Q.
热膨胀系数
R.
【答案:A】
S.
704、SiC晶圆主流量产尺寸当前以()英寸为主
T.
6/8
U.
4
V.
12
W.
2
X.
【答案:A】
Y.
705、SiC外延层在SiC衬底上生长,外延层决定器件()参数
Z.
耐压、导通电阻
[.
衬底机械强度
\.
晶圆尺寸
].
热导率
^.
【答案:A】
_.
706、SiC MOSFET核心优势:开关损耗远()同规格硅IGBT
`.
低于
a.
高于
b.
基本持平
c.
无固定规律
d.
【答案:A】
e.
707、新能源车OBC车载充电机高压架构首选功率器件()
f.
SiC MOSFET
g.
普通硅MOS
h.
硅IGBT
i.
快恢复二极管
j.
【答案:A】
k.
708、光伏组串逆变器高压平台化趋势大量导入()器件
l.
SiC
m.
GaAs
n.
硅BJT
o.
晶闸管
p.
【答案:A】
q.
709、氮化镓GaN器件分两种路线:硅基GaN、()
r.
蓝宝石基/碳化硅基GaN
s.
玻璃基GaN
t.
塑料衬底GaN
u.
金属基GaN
v.
【答案:A】
w.
710、硅基GaN HEMT最大落地场景:()高频快充电源
x.
手机、笔记本适配器
y.
电网高压变流
z.
机车牵引
{.
风电整机逆变
|.
【答案:A】
}.
711、GaN二维电子气2DEG形成于AlGaN/GaN()界面
~.
异质结
.
衬底底面
.
器件表层钝化
.
金属布线层
.
【答案:A】
.
712、射频GaN器件集中应用在()基站功率功放
.
5G宏基站
.
消费快充
.
低压电源
.
车载中控
.
【答案:A】
.
713、氧化镓Ga₂O₃最大特点:()超宽禁带、超高耐压潜力
.
4.8eV左右
.
1.1eV
.
3.2eV
.
2.0eV
.
【答案:A】
.
714、氧化镓现阶段主力研发方向()高压超高压整流器件
.
600V以上超高压
.
5-20V低压快充
.
射频功放
.
逻辑芯片
.
【答案:A】
.
715、SiC器件制造关键难点:干法刻蚀()硬度高难加工
.
SiC材料化学惰性强
.
熔点偏低易熔融
.
掺杂元素单一
.
晶格易错位
.
【答案:A】
.
716、SiC高温离子注入后必须配套()高温激活退火
.
1600℃以上
.
1000℃硅工艺常规
.
500℃低温
.
常温激光退火
.
【答案:A】
¡.
717、第三代半导体车规认证周期长核心原因:()应用工况严苛
¢.
车载高低温颠簸+频繁功率切换
£.
芯片尺寸过小
¤.
量产良率极低
¥.
原材料稀缺
¦.
【答案:A】
§.
718、硅基GaN痛点:硅与GaN()失配大外延易产生裂纹
¨.
晶格、热膨胀系数
©.
禁带宽度
ª.
导电类型
«.
掺杂浓度
¬.
【答案:A】
.
719、SiC衬底国产化瓶颈集中在()长晶环节
®.
单晶生长
¯.
外延镀膜
°.
晶圆切割
±.
器件封装
².
【答案:A】
³.
720、HVPE氢化物气相外延是()主流外延工艺
´.
GaN厚膜外延
µ.
SiC外延
¶.
硅片外延
·.
GaAs外延
¸.
【答案:A】
¹.
721、第三代分立器件封装多采用()散热基板提升导热
º.
DBC覆铜陶瓷
».
普通FR4 PCB
¼.
铝基板无陶瓷
½.
树脂基板
¾.
【答案:A】
¿.
722、全SiC功率模块是内部开关与续流二极管均采用()
À.
SiC器件
Á.
硅器件
Â.
GaN器件
Ã.
混合半导体
Ä.
【答案:A】
Å.
723、快充氮化镓电源小型化原理:器件()高、开关频率大幅提升
Æ.
工作频率上限
Ç.
反向耐压上限
È.
正向电流上限
É.
导通压降上限
Ê.
【答案:A】
Ë.
724、工业高压变频器升级路线:硅IGBT→混合SiC模块→()
Ì.
全SiC功率模块
Í.
GaN模块
Î.
晶闸管模组
Ï.
MOS并联方案
Ð.
【答案:A】
Ñ.
725、SiC肖特基二极管优势:无反向恢复电流、()高频损耗低
Ò.
开关速度快
Ó.
反向耐压极低
Ô.
正向压降极高
Õ.
结电容偏大
Ö.
【答案:A】
×.
726、新能源乘用车电控主逆变器800V平台标配()功率器件
Ø.
SiC MOS
Ù.
硅MOS
Ú.
普通IGBT
Û.
快恢复硅二极管
Ü.
【答案:A】
Ý.
727、射频GaN相比砷化镓PA优势:()功率密度更高、散热优
Þ.
输出功率
ß.
工作频率下限
à.
器件体积
á.
静态功耗
â.
【答案:A】
ã.
728、第三代半导体外延片检测关键项目:厚度、()、翘曲度
ä.
掺杂浓度、晶格缺陷
å.
塑封厚度
æ.
引脚平整度
ç.
外壳尺寸
è.
【答案:A】
é.
729、SiC晶圆研磨难度大于硅片源于SiC()莫氏硬度高
ê.
9.2~9.5
ë.
硅3左右
ì.
金刚石10
í.
氧化铝8
î.
【答案:A】
ï.
730、第三代器件老化HTOL试验温度常规()严苛于硅器件
ð.
150℃~175℃
ñ.
125℃硅常规
ò.
85℃消费级
ó.
55℃常温档
ô.
【答案:A】
õ.
731、国内SiC衬底量产企业侧重()导电型/半绝缘型SiC单晶
ö.
导电型车用功率
÷.
半绝缘射频专用
ø.
氧化镓代工
ù.
GaN衬底
ú.
【答案:A】
û.
732、半绝缘SiC主要用来生长()射频GaN外延
ü.
高频射频器件
ý.
车载功率器件
þ.
快充芯片
ÿ.
光伏器件
Ā.
【答案:A】
ā.
733、硅基GaN成本优势:复用成熟()产线降低建厂投入
Ă.
8寸硅晶圆制造
ă.
6寸SiC专用产线
Ą.
化合物晶圆产线
ą.
封装专用产线
Ć.
【答案:A】
ć.
734、功率SiC器件量产良率短板集中在()栅氧制备工艺
Ĉ.
SiC栅介质
ĉ.
背面金属
Ċ.
外延生长
ċ.
晶圆划片
Č.
【答案:A】
č.
735、风电变流器大容量机型逐步导入SiC实现()整机减重
Ď.
散热系统小型化
ď.
提高母线电压至10kV
Đ.
降低开关频率
đ.
增大电感电容
Ē.
【答案:A】
ē.
736、便携式储能电源高压快充采用GaN实现()整机小型轻量化
Ĕ.
电源功率密度提升
ĕ.
电池电压抬升
Ė.
降低电池容量
ė.
增大散热片体积
Ę.
【答案:A】
ę.
737、Ga₂O₃器件现阶段产业化短板是()衬底单晶量产难度大
Ě.
大尺寸晶圆
ě.
外延工艺
Ĝ.
封装技术
ĝ.
驱动IC配套
Ğ.
【答案:A】
ğ.
738、SiC功率模块灌封材料相比硅模块,更看重()高导热硅凝胶
Ġ.
耐高温耐高压
ġ.
低成本通用树脂
Ģ.
普通环氧
ģ.
聚氨酯胶
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
739、车规SiC器件AEC-Q101对应()分立功率器件标准
Ħ.
分立式功率半导体
ħ.
逻辑IC标准
Ĩ.
存储芯片规范
ĩ.
传感器标准
Ī.
【答案:A】
ī.
740、射频GaN器件可靠性重点考核()热循环与功率老化
Ĭ.
大功率长期通电HTOL
ĭ.
低压常温老化
Į.
纯水浸泡测试
į.
机械跌落
İ.
【答案:A】
ı.
741、SiC外延缺陷中()会造成器件漏电、耐压失效
IJ.
基面位错BPD
ij.
表面微小颗粒
Ĵ.
外延厚度偏薄
ĵ.
掺杂轻微波动
Ķ.
【答案:A】
ķ.
742、第三代半导体上游产业链顺序:单晶衬底→外延片→()
ĸ.
晶圆芯片制造→封装
Ĺ.
直接终端组装
ĺ.
PCB贴片
Ļ.
整机组装
ļ.
【答案:A】
Ľ.
743、车载高压PTC加热器控制开关逐步由硅MOS替换为()
ľ.
SiC器件
Ŀ.
GaN HEMT
ŀ.
晶闸管
Ł.
BJT三极管
ł.
【答案:A】
Ń.
744、快充GaN芯片内部常集成()驱动简化外围PCB设计
ń.
单片驱动IC
Ņ.
大容量存储单元
ņ.
射频接收模块
Ň.
稳压LDO
ň.
【答案:A】
ʼn.
745、SiC器件反向耐压可达数千伏,得益于()宽禁带高击穿场强
Ŋ.
3MV/cm级击穿场强
ŋ.
极低掺杂浓度
Ō.
超薄外延层
ō.
加厚衬底
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
746、航天高压电源优选SiC/GaN,优势是()耐高低温抗辐照
Ő.
宽温域稳定工作
ő.
成本低廉
Œ.
工艺简单
œ.
集成度极高
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
747、SiC晶圆清洗区别硅片,需选用()专用湿法化学品
Ŗ.
耐强腐蚀特种药液
ŗ.
标准RCA硅清洗液
Ř.
纯水浸泡
ř.
常规酸碱
Ś.
【答案:A】
ś.
748、800V整车平台普及带动SiC需求,核心是()续航提升+减重
Ŝ.
电控损耗下降省电
ŝ.
电池电压下降
Ş.
电机体积变大
ş.
整车电压降低
Š.
【答案:A】
š.
749、GaN射频器件取代LDMOS趋势集中在()5G基站端
Ţ.
宏基站功放
ţ.
手机射频前端
Ť.
车载射频
ť.
蓝牙芯片
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
750、第三代半导体国产替代优先落地()消费快充+新能源车领域
Ũ.
量产落地快市场量大
ũ.
航天军工小批量
Ū.
超高压电网试验
ū.
实验室研发
Ŭ.
【答案:A】
*
13
## 模块12 芯片设计与EDA基础(751~800)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
751、IC设计全流程:需求定义→算法设计→RTL编码→()
B.
功能仿真综合布局布线
C.
晶圆制造
D.
封装测试
E.
可靠性验证
F.
【答案:A】
G.
752、Verilog与VHDL是主流()硬件描述语言
H.
HDL
I.
软件C语言
J.
汇编语言
K.
Python脚本
L.
【答案:A】
M.
753、前端功能仿真目的:验证()逻辑代码功能正确性
N.
RTL
O.
版图 GDS
P.
晶圆电性
Q.
成品参数
R.
【答案:A】
S.
754、逻辑综合将RTL转化为()门级网表文件
T.
标准单元门电路
U.
版图图形
V.
工艺文件
W.
测试向量
X.
【答案:A】
Y.
755、后端设计两大核心:布局Placement、()Routing
Z.
布线
[.
仿真
\.
综合
].
DFT设计
^.
【答案:A】
_.
756、GDSII是()流片标准版图文件格式
`.
交付Foundry光刻制版
a.
代码源码格式
b.
测试数据格式
c.
仿真波形格式
d.
【答案:A】
e.
757、DFT可测性设计目的:增加测试点提升()故障覆盖率
f.
ATE芯片测试
g.
晶圆CP测试
h.
老化筛选
i.
可靠性试验
j.
【答案:A】
k.
758、SCAN扫描链是DFT最常用手段,把寄存器串联实现()
l.
内部电路可控可观测
m.
降低芯片功耗
n.
缩小芯片面积
o.
提升工作频率
p.
【答案:A】
q.
759、BIST内置自测试是芯片自带测试电路,无需()外部ATE设备
r.
量产外接测试机
s.
探针台
t.
老化炉
u.
分选机
v.
【答案:A】
w.
760、IP核分类:软IP、固IP、()
x.
硬IP
y.
源代码IP
z.
仿真IP
{.
测试IP
|.
【答案:A】
}.
761、软IP交付形式是()可综合RTL源码,可按需修改
~.
HDL代码
.
版图文件
.
GDS版图
.
晶圆裸片
.
【答案:A】
.
762、硬IP为定型版图,多用于()硬核:PLL、SRAM
.
存储器、模拟硬核
.
数字逻辑代码
.
算法IP
.
接口软核
.
【答案:A】
.
763、SoC片上系统指多种功能裸片/IP集成在()单颗芯片
.
同一硅片
.
PCB板上拼接
.
多颗封装绑定
.
分立器件组合
.
【答案:A】
.
764、Chiplet芯粒设计把不同制程裸片通过()互连封装成系统
.
中介层/TSV
.
PCB引线
.
金丝键合单片
.
晶圆融合
.
【答案:A】
.
765、时序分析STA静态时序分析无需仿真,计算()路径延时
.
全芯片时序
.
功能逻辑对错
.
漏电大小
.
耐压参数
.
【答案:A】
.
766、建立时间Setup Violation违规后果:数据来不及锁存造成()
.
逻辑采样错误功能失效
.
功耗飙升
.
耐压下降
.
漏电增大
.
【答案:A】
¡.
767、保持时间Hold违规:数据留存时间不足同样引发()时序错误
¢.
寄存器采样错乱
£.
芯片过热烧毁
¤.
布线短路
¥.
栅氧击穿
¦.
【答案:A】
§.
768、功耗分析三大项:动态功耗、漏电功耗、()
¨.
短路功耗
©.
封装功耗
ª.
基板功耗
«.
环境功耗
¬.
【答案:A】
.
769、低功耗设计常用手段:门控时钟Clock Gating关闭闲置模块()
®.
切断时钟降低动态功耗
¯.
降低电源电压至0V
°.
断开电源布线
±.
减少芯片面积
².
【答案:A】
³.
770、版图DRC设计规则检查:对照()工艺规则查版图违规
´.
Foundry工艺Design Rule
µ.
芯片功能需求
¶.
封装尺寸
·.
测试规范
¸.
【答案:A】
¹.
771、LVS版图与原理图一致性检查:比对版图与()网表一致性
º.
逻辑门级网表
».
RTL源码
¼.
仿真波形
½.
测试向量
¾.
【答案:A】
¿.
772、ERC电气规则检查排查版图()短路、浮空节点等电气隐患
À.
不合理电气连接
Á.
版图尺寸超标
Â.
布线间距过小
Ã.
面积超标
Ä.
【答案:A】
Å.
773、EDA三大工具链:前端仿真、综合工具、()后端布局布线
Æ.
物理实现工具
Ç.
晶圆工艺软件
È.
封装仿真软件
É.
可靠性软件
Ê.
【答案:A】
Ë.
774、Synopsys核心王牌工具:VCS仿真+DC综合+()布局布线
Ì.
IC Compiler
Í.
Cadence Innovus
Î.
Mentor Calibre
Ï.
SPICE仿真
Ð.
【答案:A】
Ñ.
775、Cadence模拟设计优势突出,主打()射频/模拟版图工具
Ò.
Virtuoso
Ó.
DC综合
Ô.
VCS仿真
Õ.
StarRC提取
Ö.
【答案:A】
×.
776、Mentor Calibre是全球主流()DRC/LVS物理验证工具
Ø.
版图物理验证
Ù.
逻辑仿真
Ú.
代码综合
Û.
功耗分析
Ü.
【答案:A】
Ý.
777、SPICE仿真用于()模拟/射频电路晶体管级仿真
Þ.
器件级模拟电路
ß.
大规模数字逻辑
à.
RTL代码
á.
版图布线
â.
【答案:A】
ã.
778、寄生参数提取PEX提取布线RC寄生用于精准()时序功耗仿真
ä.
后仿
å.
前端前仿
æ.
功能仿真
ç.
逻辑综合
è.
【答案:A】
é.
779、IO环版图布置在芯片()位置,承接外部引脚信号
ê.
芯片四周边缘
ë.
芯片内核中间
ì.
存储区内部
í.
电源模块中心
î.
【答案:A】
ï.
780、ESD防护单元必须紧邻IO焊盘,缩短走线减少()静电损伤
ð.
寄生电感影响
ñ.
布线面积
ò.
电源压降
ó.
静态功耗
ô.
【答案:A】
õ.
781、电源网格Power Grid采用多层金属横竖交错目的:()压降均匀
ö.
降低IR电源压降
÷.
减少布线层数
ø.
缩小芯片面积
ù.
提升开关速度
ú.
【答案:A】
û.
782、衬底保护环Guard Ring环绕敏感电路作用:隔离噪声、()
ü.
抑制闩锁、防衬底串扰
ý.
提升耐压
þ.
降低漏电
ÿ.
减小功耗
Ā.
【答案:A】
ā.
783、模拟与数字分区版图设计避免()数字噪声干扰模拟信号
Ă.
数模串扰
ă.
面积浪费
Ą.
布线变长
ą.
工艺违规
Ć.
【答案:A】
ć.
784、宏单元Macro包含:SRAM、PLL、IO单元,后端()摆放固定位置
Ĉ.
固定布局
ĉ.
自由零散摆放
Ċ.
统一放芯片中心
ċ.
全部放IO环
Č.
【答案:A】
č.
785、流片前MPW多项目晶圆适合()研发小批量投片降成本
Ď.
芯片研发验证
ď.
大批量量产出货
Đ.
车规定型量产
đ.
消费芯片量产
Ē.
【答案:A】
ē.
786、NRE一次性工程费用主要包含:光罩费+()研发服务费
Ĕ.
EDA授权、IP授权
ĕ.
晶圆原材料
Ė.
封装加工费
ė.
测试费用
Ę.
【答案:A】
ę.
787、先进制程7nm及以下光刻费用暴涨,核心是()极多套掩膜版
Ě.
光刻层数大幅增多
ě.
硅片单价飙升
Ĝ.
人工设计费用上涨
ĝ.
封装成本抬升
Ğ.
【答案:A】
ğ.
788、国产EDA突破路线优先从()成熟制程配套工具起步
Ġ.
28nm及以上
ġ.
7nm先进制程
Ģ.
3nm EUV配套
ģ.
全制程一步到位
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
789、模拟芯片设计难点:受()器件工艺离散影响参数漂移
Ħ.
晶圆制程偏差
ħ.
代码逻辑错误
Ĩ.
版图尺寸超标
ĩ.
封装应力
Ī.
【答案:A】
ī.
790、射频版图关键要求:()阻抗匹配、走线长度精准管控
Ĭ.
传输线阻抗
ĭ.
布线宽度统一
Į.
金属层数越多越好
į.
版图面积最大化
İ.
【答案:A】
ı.
791、存算一体芯片版图设计难点:存储单元与()紧凑集成
IJ.
运算逻辑单元
ij.
IO接口
Ĵ.
电源模块
ĵ.
ESD器件
Ķ.
【答案:A】
ķ.
792、DFY面向良率设计,版图优化降低制程缺陷带来()良率损耗
ĸ.
晶圆不良
Ĺ.
封装失效
ĺ.
测试不良
Ļ.
老化失效
ļ.
【答案:A】
Ľ.
793、版图冗余设计添加备用通孔Via目的:规避()通孔断路不良
ľ.
制程孔位缺陷
Ŀ.
布线短路
ŀ.
栅氧击穿
Ł.
衬底漏电
ł.
【答案:A】
Ń.
794、电源去耦电容就近摆放电源引脚,抑制()电源噪声波动
ń.
瞬时电压扰动
Ņ.
静态功耗上升
ņ.
布线电阻变大
Ň.
芯片面积增加
ň.
【答案:A】
ʼn.
795、Foundry提供PDK工艺开发包,内含器件模型+()设计规则
Ŋ.
版图DRC规则
ŋ.
仿真源代码
Ō.
测试程序
ō.
封装图纸
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
796、PDK是连接()设计端与晶圆制造端的桥梁文件
Ő.
IC设计
ő.
封装厂
Œ.
终端整机厂
œ.
原材料厂商
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
797、芯片量产量产测试向量由()前端仿真导出用于ATE测试
Ŗ.
数字仿真测试激励
ŗ.
版图数据
Ř.
SPICE仿真文件
ř.
可靠性参数
Ś.
【答案:A】
ś.
798、异构集成Chiplet设计可实现()不同工艺裸片组合降成本
Ŝ.
先进+成熟制程混搭
ŝ.
全部统一先进制程
Ş.
全部成熟大尺寸
ş.
单片单工艺流片
Š.
【答案:A】
š.
799、版图金属密度管控防止CMP后()碟形凹陷、研磨不均
Ţ.
金属厚度差异
ţ.
布线短路
Ť.
通孔缺失
ť.
栅介质变薄
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
800、芯片全流程闭环:设计→流片→封装测试→失效分析→()迭代优化
Ũ.
设计改版优化
ũ.
直接量产不加改动
Ū.
更换代工厂家
ū.
变更封装工艺
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
# 半导体基础知识单选题库|接续801~900题(每题+标准答案)
Ů.
## 模块13 半导体终端应用&汽车电子(801~850)
ů.
801、新能源三电系统指电池、电控、()
Ű.
电机
ű.
车载中控
Ų.
车载快充
ų.
车载仪表
Ŵ.
【答案:A】
ŵ.
802、整车VCU整车控制器作用是()整车动力逻辑调度
Ŷ.
统筹电机、电池、BMS
ŷ.
驱动车载摄像头
Ÿ.
管理车机系统
Ź.
控制车灯电路
ź.
【答案:A】
Ż.
803、BMS电池管理芯片核心功能()单体电压采集、均衡、过压保护
ż.
动力电池安全管控
Ž.
电机变频驱动
ž.
车载无线通信
ſ.
电源DC-DC变换
ƀ.
【答案:A】
Ɓ.
804、车载OBC车载充电机实现()交流电转高压直流电给动力电池
Ƃ.
220V交流→高压直流
ƃ.
高压直流转低压12V
Ƅ.
低压升压
ƅ.
直流逆变交流
Ɔ.
【答案:A】
Ƈ.
805、DC-DC车载降压模块把动力电池高压转为()车载低压电源
ƈ.
12V
Ɖ.
220V
Ɗ.
480V
Ƌ.
380V
ƌ.
【答案:A】
ƍ.
806、新能源车电控逆变器将电池直流电逆变成()驱动永磁电机
Ǝ.
三相交流电
Ə.
低压直流电
Ɛ.
高频射频电
Ƒ.
工频直流电
ƒ.
【答案:A】
Ɠ.
807、车载功率模块IPM内部集成功率器件+()驱动保护芯片
Ɣ.
栅极驱动
ƕ.
存储单元
Ɩ.
蓝牙模块
Ɨ.
图像处理
Ƙ.
【答案:A】
ƙ.
808、车载ADAS自动驾驶感知层核心器件()CIS摄像头+毫米波雷达
ƚ.
图像传感器、雷达芯片
ƛ.
电源管理IC
Ɯ.
存储芯片
Ɲ.
功放芯片
ƞ.
【答案:A】
Ɵ.
809、毫米波雷达77GHz主流用于()车载防撞测距
Ơ.
汽车前向探测
ơ.
车内影音
Ƣ.
车载蓝牙
ƣ.
车身灯光控制
Ƥ.
【答案:A】
ƥ.
810、车载4D毫米波雷达相比传统雷达优势()高度探测、点云成像
Ʀ.
可识别障碍物高度
Ƨ.
成本更低体积更小
ƨ.
工作频率更低
Ʃ.
功耗大幅下降
ƪ.
【答案:A】
ƫ.
811、车载激光雷达核心光电芯片()APD雪崩光电二极管
Ƭ.
光电接收芯片
ƭ.
功率开关芯片
Ʈ.
MCU主控
Ư.
射频前端
ư.
【答案:A】
Ʊ.
812、车载域控制器DCU趋势:多ECU()集成简化整车线束
Ʋ.
硬件集中域控
Ƴ.
分散独立布置
ƴ.
分立式外挂
Ƶ.
全部机械连接
ƶ.
【答案:A】
Ʒ.
813、动力域控制器主要管控()整车三电系统
Ƹ.
电控、电机、电池
ƹ.
车载影音
ƺ.
车身门窗
ƻ.
无线通信
Ƽ.
【答案:A】
ƽ.
814、智能座舱域集成仪表、中控、()多屏幕驱动控制
ƾ.
车载娱乐系统
ƿ.
整车动力控制
ǀ.
底盘制动
ǁ.
高压配电
ǂ.
【答案:A】
ǃ.
815、车载以太网PHY芯片用于()车内高速数据互联
DŽ.
域间大数据传输
Dž.
高压电能传输
dž.
电源稳压
LJ.
电机调速
Lj.
【答案:A】
lj.
816、车规级存储芯片主要用于()行车记录仪、自动驾驶日志存储
NJ.
车载数据存储
Nj.
动力电池均衡
nj.
电机驱动
Ǎ.
射频收发
ǎ.
【答案:A】
Ǐ.
817、车载IGBT/碳化硅器件集中布置在()电控逆变器内部
ǐ.
功率腔体
Ǒ.
车载PCB主板表层
ǒ.
中控屏幕
Ǔ.
车机外壳
ǔ.
【答案:A】
Ǖ.
818、汽车BCM车身控制器管控()车灯、门锁、雨刮等外设
ǖ.
车身低压电器
Ǘ.
整车高压回路
ǘ.
动力电机
Ǚ.
车载快充
ǚ.
【答案:A】
Ǜ.
819、胎压监测TPMS芯片依靠()压力传感实时监测轮胎气压
ǜ.
MEMS压力传感器
ǝ.
霍尔芯片
Ǟ.
功率MOS
ǟ.
射频功放
Ǡ.
【答案:A】
ǡ.
820、车载CAN总线是传统整车()低速通信总线
Ǣ.
车内控制信号传输
ǣ.
千兆高速数据
Ǥ.
高压输电
ǥ.
影音传输
Ǧ.
【答案:A】
ǧ.
821、车载LIN总线多用于()车窗、后视镜等低成本外设通信
Ǩ.
车身低端器件互联
ǩ.
自动驾驶大数据
Ǫ.
动力系统通信
ǫ.
快充协议通信
Ǭ.
【答案:A】
ǭ.
822、800V高压整车平台核心收益:充电速度提升、()电控损耗下降
Ǯ.
线缆轻量化减重
ǯ.
电池电压降低
ǰ.
芯片制程升级
DZ.
整车功耗上升
Dz.
【答案:A】
dz.
823、新能源车载PTC加热器依靠()功率半导体控制启停调温
Ǵ.
MOS/SiC开关器件
ǵ.
线性LDO
Ƕ.
存储芯片
Ƿ.
蓝牙IC
Ǹ.
【答案:A】
ǹ.
824、车载隔离驱动IC作用:高低压隔离,驱动()功率器件栅极
Ǻ.
IGBT/SiC MOS
ǻ.
仪表屏幕
Ǽ.
无线模块
ǽ.
存储颗粒
Ǿ.
【答案:A】
ǿ.
825、车规AEC-Q100 Grade1温度区间()-40℃~125℃
Ȁ.
最高等级宽温
ȁ.
消费级0~70℃
Ȃ.
工业-40~85℃
ȃ.
高温150℃以上
Ȅ.
【答案:A】
ȅ.
826、车载E/E架构演进路线:分布式ECU→域控→()中央超算
Ȇ.
整车中央计算平台
ȇ.
全部分立器件
Ȉ.
单芯片全车集成
ȉ.
全模拟电路
Ȋ.
【答案:A】
ȋ.
827、车载SSD固态硬盘用于()自动驾驶车载终端海量数据存储
Ȍ.
路测影像与算法数据
ȍ.
动力电池均衡记录
Ȏ.
电机参数缓存
ȏ.
车载供电稳压
Ȑ.
【答案:A】
ȑ.
828、OBD车载诊断接口用于()整车故障码读取与电控调试
Ȓ.
车辆故障检测
ȓ.
高压充电
Ȕ.
影音升级
ȕ.
胎压校准
Ȗ.
【答案:A】
ȗ.
829、车载无线充电电源IC主流架构()高频开关电源+隔离驱动
Ș.
谐振变换
ș.
纯LDO线性稳压
Ț.
工频变压器
ț.
晶闸管调压
Ȝ.
【答案:A】
ȝ.
830、氢燃料电池汽车DC/DC升压模块核心功率器件()SiC MOSFET
Ȟ.
碳化硅功率管
ȟ.
硅低压MOS
Ƞ.
普通二极管
ȡ.
BJT三极管
Ȣ.
【答案:A】
ȣ.
831、光伏逆变器MPPT最大功率追踪依靠()电源IC实时调压稳压
Ȥ.
DC-DC控制芯片
ȥ.
存储主控
Ȧ.
射频芯片
ȧ.
CIS传感器
Ȩ.
【答案:A】
ȩ.
832、户用储能变流器PCS实现()交直流双向变换并网
Ȫ.
电池与电网能量互通
ȫ.
单向高压升压
Ȭ.
单向低压降压
ȭ.
工频整流
Ȯ.
【答案:A】
ȯ.
833、工业伺服驱动器核心功率元件()IGBT智能功率模块IPM
Ȱ.
功率模块
ȱ.
主控MCU
Ȳ.
信号运放
ȳ.
蓝牙芯片
ȴ.
【答案:A】
ȵ.
834、5G基站BBU基带板核心芯片()ASIC/SoC基带处理器
ȶ.
通信处理芯片
ȷ.
大功率功率器件
ȸ.
快充IC
ȹ.
图像传感器
Ⱥ.
【答案:A】
Ȼ.
835、5G射频PA功率放大器芯片主流()GaN氮化镓器件
ȼ.
宽禁带射频器件
Ƚ.
硅MOS
Ⱦ.
普通二极管
ȿ.
MCU
ɀ.
【答案:A】
Ɂ.
836、智能手机SoC集成CPU+GPU+基带+()多系统单片集成
ɂ.
ISP图像处理器
Ƀ.
高压功率模块
Ʉ.
光伏控制
Ʌ.
电机驱动
Ɇ.
【答案:A】
ɇ.
837、手机快充电源架构主流()高频GaN+协议管理IC
Ɉ.
氮化镓开关方案
ɉ.
工频变压器方案
Ɋ.
全LDO方案
ɋ.
晶闸管方案
Ɍ.
【答案:A】
ɍ.
838、TWS蓝牙耳机主控芯片集成()蓝牙+MCU+电源管理
Ɏ.
无线通信与控制
ɏ.
大功率逆变
ɐ.
图像采集
ɑ.
高压变换
ɒ.
【答案:A】
ɓ.
839、智能手表MEMS芯片实现()计步、陀螺仪姿态检测
ɔ.
运动传感
ɕ.
快充控制
ɖ.
无线射频放大
ɗ.
数据大容量存储
ɘ.
【答案:A】
ə.
840、智能电表计量芯片精准采集()电压电流完成电能核算
ɚ.
交流电量参数
ɛ.
高频射频信号
ɜ.
电机驱动信号
ɝ.
图像信号
ɞ.
【答案:A】
ɟ.
841、变频空调主控芯片通过()控制压缩机调速节能
ɠ.
PWM调制功率器件
ɡ.
线性稳压
ɢ.
工频调压
ɣ.
晶闸管移相
ɤ.
【答案:A】
ɥ.
842、UPS不间断电源逆变桥功率器件主流选用()IGBT
ɦ.
绝缘栅双极晶体管
ɧ.
低压小信号MOS
ɨ.
肖特基二极管
ɩ.
霍尔元件
ɪ.
【答案:A】
ɫ.
843、安防IPC摄像头核心芯片()CIS图像传感器+ISP主控
ɬ.
成像处理芯片
ɭ.
功率开关IC
ɮ.
快充芯片
ɯ.
存储颗粒
ɰ.
【答案:A】
ɱ.
844、扫地机器人主控集成()MCU+驱动+无线通信一体化
ɲ.
运动控制+联网
ɳ.
高压逆变
ɴ.
光伏管理
ɵ.
射频功放
ɶ.
【答案:A】
ɷ.
845、风电变流器全功率机型逐步导入()SiC器件提升发电效率
ɸ.
碳化硅功率器件
ɹ.
硅晶闸管
ɺ.
低压MOS
ɻ.
模拟运放
ɼ.
【答案:A】
ɽ.
846、PLC工业可编程控制器内部核心()主控MCU+IO驱动芯片
ɾ.
逻辑运算单元
ɿ.
大功率功率模块
ʀ.
射频前端
ʁ.
图像传感
ʂ.
【答案:A】
ʃ.
847、Mini LED背光驱动IC作用()分区独立控光、屏幕调光
ʄ.
LED恒流控制
ʅ.
电源高压变换
ʆ.
数据存储
ʇ.
无线传输
ʈ.
【答案:A】
ʉ.
848、无线快充线圈配套()谐振电源IC实现电磁能量转换
ʊ.
高频变换芯片
ʋ.
线性稳压IC
ʌ.
存储主控
ʍ.
霍尔芯片
ʎ.
【答案:A】
ʏ.
849、矿用防爆变频器功率器件优先()宽温IGBT模块耐恶劣工况
ʐ.
工业级大功率模块
ʑ.
消费级MOS
ʒ.
射频GaN
ʓ.
逻辑芯片
ʔ.
【答案:A】
ʕ.
850、卫星电源控制器选用SiC器件优势()抗辐照、宽温域稳定
ʖ.
航天严苛环境适配
ʗ.
成本低廉
ʘ.
工艺简单
ʙ.
体积超大
ʚ.
【答案:A】
*
14
## 模块14 半导体环保、制程化学品与安全生产(851~900)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
851、Fab生产废水主要分类:含氟废水、酸碱废水、()
B.
含重金属废水
C.
生活污水
D.
雨水
E.
循环冷却水
F.
【答案:A】
G.
852、含氟废液处理常用()钙盐沉淀生成氟化钙固废
H.
氢氧化钙
I.
盐酸
J.
氨水
K.
双氧水
L.
【答案:A】
M.
853、刻蚀尾气含酸性废气主流处理工艺()碱液喷淋中和
N.
湿法洗涤
O.
直接高空排放
P.
固化掩埋
Q.
冷凝回收
R.
【答案:A】
S.
854、硅烷SiH4属于易燃易爆气体,泄漏处置首要()隔绝火源通风置换
T.
禁火防爆
U.
直接用水冲刷
V.
密闭封存
W.
就地燃烧
X.
【答案:A】
Y.
855、氨气NH3刺激性有毒,车间泄漏优先开启()废气抽排系统
Z.
负压排风
[.
加温烘干
\.
加水稀释
].
密闭灌装
^.
【答案:A】
_.
856、氢氟酸HF强腐蚀性,皮肤沾染第一时间()专用氟化钙中和药剂冲洗
`.
葡萄糖酸钙湿敷冲洗
a.
清水短冲完事
b.
药膏涂抹
c.
酒精擦拭
d.
【答案:A】
e.
857、Fab危废分类:废光刻胶、废有机溶剂、废酸碱、()
f.
含重金属污泥
g.
普通生活垃圾
h.
废弃纸箱
i.
冷却水废渣
j.
【答案:A】
k.
858、光刻胶废液属于易燃有机危废,储存要求()阴凉密闭防静电
l.
低温避光防火
m.
露天堆放
n.
高温存放
o.
混装酸碱废液
p.
【答案:A】
q.
859、特气气瓶存放库区必备()气体泄漏监测报警器
r.
在线检漏仪表
s.
温湿度计
t.
照度计
u.
噪音检测仪
v.
【答案:A】
w.
860、高纯电子化学品储罐配套()防泄漏围堰应急收容
x.
防渗收集池
y.
简易排水沟
z.
沙土堆积
{.
普通地面
|.
【答案:A】
}.
861、洁净车间FFU排风分区管控,防止()工艺废气窜入洁净生产区
~.
有害气体交叉污染
.
温度失衡
.
湿度超标
.
粉尘堆积
.
【答案:A】
.
862、CMP抛光废液含硅粉及金属离子,需()絮凝沉淀再生化处理
.
固液分离预处理
.
直接排入市政管网
.
简单稀释排放
.
高温蒸发
.
【答案:A】
.
863、湿法清洗工序有机溶剂挥发废气采用()活性炭吸附+冷凝回收
.
有机废气治理装置
.
直排室外
.
车间自然通风
.
加水溶解
.
【答案:A】
.
864、晶圆制造超纯水系统浓水一般()回收用作设备冷却水
.
中水回用
.
直接危废处置
.
排入危废桶
.
焚烧处理
.
【答案:A】
.
865、半导体废靶材(金、银、铜、钽)归类()贵金属可回收危废
.
有价金属固废
.
普通工业垃圾
.
生活垃圾
.
一般固废
.
【答案:A】
.
866、PECVD废气含硅烷衍生颗粒物,采用()水洗+除尘过滤
.
粉尘捕捉装置
.
直接排放
.
高温焚烧
.
简易稀释
.
【答案:A】
¡.
867、HF、H2SO4强酸化学品输送管路优先选用()PFA/PTFE耐腐蚀管路
¢.
氟塑料防腐管材
£.
普通钢管
¤.
镀锌铁管
¥.
PVC普通塑料管
¦.
【答案:A】
§.
868、化学品搬运用防渗漏托盘,目的()液体泄漏就地收容防扩散
¨.
泄漏围挡收集
©.
防滑搬运
ª.
承重加固
«.
防静电
¬.
【答案:A】
.
869、洁净区化学品严禁()敞口放置,防止挥发污染晶圆
®.
开盖裸露存放
¯.
低温密闭
°.
分类分区
±.
专柜存放
².
【答案:A】
³.
870、光刻黄光区严禁明火,因为()光刻胶有机溶剂闪点低易燃
´.
挥发性有机物可燃
µ.
粉尘易燃易爆
¶.
氮气助燃
·.
纯水易燃
¸.
【答案:A】
¹.
871、特气房氮气、氩气惰性气体主要用途()腔体吹扫置换空气防爆
º.
工艺腔体惰化保护
».
直接生产薄膜
¼.
掺杂注入
½.
湿法腐蚀
¾.
【答案:A】
¿.
872、废显影液TMAH碱性废液需()中和至中性后再废水处理
À.
加酸中和
Á.
直接排放
Â.
蒸馏回收光刻胶
Ã.
固体填埋
Ä.
【答案:A】
Å.
873、Fab废气焚烧炉用于处理()可燃有毒有机、含氟尾气
Æ.
难吸收工艺尾气
Ç.
洁净车间新风
È.
循环冷却水水汽
É.
普通车间废气
Ê.
【答案:A】
Ë.
874、防静电劳保:无尘服、防静电鞋、防静电手环目的()消除人体静电防ESD
Ì.
规避静电击穿芯片
Í.
防尘美观
Î.
保温防护
Ï.
防化学品腐蚀
Ð.
【答案:A】
Ñ.
875、晶圆破碎硅片边角料属于()含微量重金属工业固废
Ò.
半导体固废资源化回收
Ó.
生活垃圾
Ô.
危废废液
Õ.
普通渣土
Ö.
【答案:A】
×.
876、氨水废液严禁与()酸性废液混存避免反应放热喷溅
Ø.
硫酸、氢氟酸
Ù.
纯水
Ú.
有机溶剂
Û.
废光刻胶
Ü.
【答案:A】
Ý.
877、废气在线监测系统实时监控()VOC、氟化物、酸碱排放浓度
Þ.
尾气环保指标
ß.
车间温湿度
à.
洁净度颗粒
á.
气体压力
â.
【答案:A】
ã.
878、化学品安全技术说明书简称()MSDS/SDS
ä.
安全说明书
å.
产品合格证
æ.
出厂质检单
ç.
工艺参数表
è.
【答案:A】
é.
879、设备腔体保养拆出废石英件、陶瓷件按()含微量污染物固废管理
ê.
工业固废分类回收
ë.
生活垃圾丢弃
ì.
就地填埋
í.
随意堆放
î.
【答案:A】
ï.
880、含砷、磷掺杂尾气属于剧毒废气,采用()专用吸附药剂处理
ð.
特种湿法吸附
ñ.
常规喷淋
ò.
直接排放
ó.
简易稀释
ô.
【答案:A】
õ.
881、超纯水制备反渗透浓水盐分偏高,优先()厂区绿化、循环补水
ö.
资源化回用
÷.
危废处置
ø.
高温焚烧
ù.
原液存放
ú.
【答案:A】
û.
882、废塑封料EMC边角料归类()树脂类工业固废
ü.
封装废料回收利用
ý.
危废废液
þ.
生活垃圾
ÿ.
危险化学品
Ā.
【答案:A】
ā.
883、特气钢瓶超压泄压气体接入()尾气处理系统,禁止室内直排
Ă.
废气总管
ă.
车间空气
Ą.
室外空地
ą.
废水管道
Ć.
【答案:A】
ć.
884、硝酸湿法废液易产生氮氧化物废气,处理配套()脱硝喷淋塔
Ĉ.
酸性废气治理设备
ĉ.
有机废气装置
Ċ.
除尘设备
ċ.
冷凝设备
Č.
【答案:A】
č.
885、洁净车间温湿度管控除工艺需求,还能()管控静电产生速率
Ď.
提升环境湿度抑制静电
ď.
降低湿度防静电
Đ.
高温烘干粉尘
đ.
低温凝结水汽
Ē.
【答案:A】
ē.
886、废弃键合金丝、铜线属于()贵金属废料回收提炼
Ĕ.
有色金属固废
ĕ.
危险废液
Ė.
生活垃圾
ė.
一般渣土
Ę.
【答案:A】
ę.
887、化学品库房设置洗眼器、紧急喷淋用于()化学品溅伤应急冲洗
Ě.
人身安全应急防护
ě.
废液收集
Ĝ.
设备降温
ĝ.
车间加湿
Ğ.
【答案:A】
ğ.
888、VOC有机废气达标排放常用工艺:吸附浓缩+()催化焚烧
Ġ.
CO催化燃烧
ġ.
简单水洗
Ģ.
沉淀过滤
ģ.
稀释排放
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
889、含磷废水处理靠钙盐沉淀+生化去除总磷,满足()环保排放标准
Ħ.
污水总磷限值
ħ.
降低废水温度
Ĩ.
提高废水PH
ĩ.
浓缩废液体积
Ī.
【答案:A】
ī.
890、Fab厂区雨水管网与污水管网()分流防止污染雨水入污水站
Ĭ.
独立分开布设
ĭ.
互通共用
Į.
就近合并
į.
后期改造连通
İ.
【答案:A】
ı.
891、废研磨液含氧化铝/二氧化硅磨料,预处理()固液分离回收磨料
IJ.
絮凝沉淀过滤
ij.
直接排放
Ĵ.
焚烧处理
ĵ.
药剂中和
Ķ.
【答案:A】
ķ.
892、砷烷、磷烷剧毒掺杂气体采用()尾气吸附罐专项无害化处理
ĸ.
专用吸附剂分解
Ĺ.
常规碱洗
ĺ.
高空排放
Ļ.
加水稀释
ļ.
【答案:A】
Ľ.
893、封装车间塑封废气挥发小分子有机物接入()VOC废气处理系统
ľ.
有机废气治理
Ŀ.
酸碱喷淋塔
ŀ.
除尘设备
Ł.
冷却水系统
ł.
【答案:A】
Ń.
894、危废入库做到分类标识、分区隔离、()台账全程溯源
ń.
出入库登记管理
Ņ.
混装存放
ņ.
露天暂存
Ň.
随意转运
ň.
【答案:A】
ʼn.
895、湿法槽体废液定期更换,废药剂通过()密闭管道输送废液站
Ŋ.
负压密闭管路
ŋ.
敞口转运桶
Ō.
人工提桶倾倒
ō.
直接排入地沟
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
896、Fab余热回收利用设备废热制备热水,实现()厂区节能降耗
Ő.
余热资源化利用
ő.
直接排放散热
Œ.
降温废水外排
œ.
高温废液处理
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
897、废弃光刻胶桶属于沾染危废包装物,按()危险废物处置
Ŗ.
沾染类危废
ŗ.
空桶普通固废
Ř.
生活垃圾
ř.
可回收塑料
Ś.
【答案:A】
ś.
898、酸碱药剂卸料区配套应急沙池,用于()泄漏液体吸附收容
Ŝ.
泄漏应急吸附
ŝ.
日常堆放物料
Ş.
设备配重
ş.
地面找平
Š.
【答案:A】
š.
899、洁净区有机溶剂存量管控,遵循()最小库存量降低安全隐患
Ţ.
按需少量领用
ţ.
大批量囤放车间
Ť.
整桶长期存放
ť.
多个区域分装囤积
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
900、半导体环保三废治理目标:废水达标、废气达标、()固废合规处置
Ũ.
危废规范化管控
ũ.
废液直接回用生产
Ū.
废气简单稀释
ū.
固废随意填埋
Ŭ.
【答案:A】
ŭ.
# 半导体单选题库|接续901~1000题(每题含答案)
Ů.
## 模块15 晶圆制造工艺全流程深化(901~950)
ů.
901、硅片进厂第一道工序一般为(),去除表面粉尘、有机杂质与原生氧化层
Ű.
RCA标准清洗
ű.
热氧化
Ų.
光刻涂胶
ų.
离子注入
Ŵ.
【答案:A】
ŵ.
902、干法热氧化生长SiO₂,氧化气源常用(),生成氧化层致密均匀
Ŷ.
高纯O₂氧气
ŷ.
氨气
Ÿ.
硅烷
Ź.
四氟化碳
ź.
【答案:A】
Ż.
903、湿氧氧化通入水蒸气,优势是(),适合厚氧化层快速生长
ż.
氧化速率更快
Ž.
薄膜致密度更高
ž.
低温即可成膜
ſ.
无晶格缺陷
ƀ.
【答案:A】
Ɓ.
904、STI浅沟槽隔离工艺流程:光刻开槽→干法刻蚀沟槽→()→CMP磨平
Ƃ.
沟槽内填充氧化硅
ƃ.
离子注入掺杂
Ƅ.
金属薄膜沉积
ƅ.
晶圆减薄
Ɔ.
【答案:A】
Ƈ.
905、有源区掺杂选用离子注入,相较扩散工艺优势是()、掺杂精度可控
ƈ.
注入深度与剂量精准可调
Ɖ.
工艺成本更低
Ɗ.
高温耗时短
Ƌ.
设备投入小
ƌ.
【答案:A】
ƍ.
906、源漏区高浓度注入后需要RTA快速退火,目的()激活杂质、修复晶格损伤
Ǝ.
杂质电激活
Ə.
去除氧化层
Ɛ.
刻蚀多余硅层
Ƒ.
沉积栅介质
ƒ.
【答案:A】
Ɠ.
907、多晶硅栅极掺杂常用()掺杂源,实现多晶硅由绝缘转为导电
Ɣ.
磷离子
ƕ.
硼离子
Ɩ.
砷烷气体
Ɨ.
三氟化硼
Ƙ.
【答案:A】
ƙ.
908、栅介质高K材料HfO₂替代SiO₂,解决超薄栅氧下()隧穿漏电难题
ƚ.
栅极漏电流过大
ƛ.
介质耐压过高
Ɯ.
掺杂扩散过快
Ɲ.
布线RC偏大
ƞ.
【答案:A】
Ɵ.
909、侧墙Spacer制备:氮化硅沉积→(),在栅极两侧留下绝缘侧壁
Ơ.
各向异性干法回刻
ơ.
湿法全腐蚀
Ƣ.
离子注入
ƣ.
CMP研磨
Ƥ.
【答案:A】
ƥ.
910、Salicide硅化物工艺在源漏和多晶硅表面生成硅化物,核心作用()
Ʀ.
降低接触电阻
Ƨ.
隔离相邻器件
ƨ.
钝化保护硅片
Ʃ.
阻挡铜扩散
ƪ.
【答案:A】
ƫ.
911、通孔刻蚀需要停止层,常用()作为刻蚀终点阻挡材料
Ƭ.
氮化硅Si₃N₄
ƭ.
二氧化硅
Ʈ.
多晶硅
Ư.
铝金属
ư.
【答案:A】
Ʊ.
912、钨Plug通孔插塞工艺:通孔沉积阻挡层→填充钨金属→()
Ʋ.
CMP去除表层多余钨
Ƴ.
高温退火
ƴ.
离子注入
Ƶ.
湿法腐蚀
ƶ.
【答案:A】
Ʒ.
913、铜互连采用大马士革工艺,流程为先开槽填铜再CMP,原因()
Ƹ.
铜无法干法刻蚀成型
ƹ.
铜熔点过低
ƺ.
铜易氧化
ƻ.
铜电阻率偏高
Ƽ.
【答案:A】
ƽ.
914、铜互连必备Ta/TaN阻挡层,用来阻止()向硅基底扩散造成漏电
ƾ.
铜原子
ƿ.
氧原子
ǀ.
氮原子
ǁ.
杂质离子
ǂ.
【答案:A】
ǃ.
915、低K介质用于层间绝缘,核心目标降低布线之间(),减小RC延时
DŽ.
寄生电容
Dž.
寄生电感
dž.
导通电阻
LJ.
击穿电压
Lj.
【答案:A】
lj.
916、晶圆最终钝化层常用氮化硅+氧化硅复合膜,主要功能()
NJ.
防潮、防机械划伤、隔绝杂质
Nj.
导电布线
nj.
栅极绝缘
Ǎ.
掺杂缓冲
ǎ.
【答案:A】
Ǐ.
917、WAT工艺监控芯片PCM测试键,放置在晶圆()划片槽位置
ǐ.
切割道
Ǒ.
有源芯片区
ǒ.
晶圆边缘倒角
Ǔ.
衬底背面
ǔ.
【答案:A】
Ǖ.
918、晶圆翘曲主要诱因是多层薄膜()不匹配产生内应力
ǖ.
热膨胀系数
Ǘ.
掺杂浓度
ǘ.
薄膜厚度
Ǚ.
生长温度
ǚ.
【答案:A】
Ǜ.
919、ALD原子层沉积依靠自限制吸附,每循环精准沉积()单原子层薄膜
ǜ.
分子级单层
ǝ.
微米级厚层
Ǟ.
数十纳米
ǟ.
百纳米级别
Ǡ.
【答案:A】
ǡ.
920、PECVD低温成膜优势:温度≤400℃,不会破坏已经成型的()
Ǣ.
铝/铜金属布线
ǣ.
硅衬底单晶结构
Ǥ.
晶圆外形
ǥ.
划片槽
Ǧ.
【答案:A】
ǧ.
921、LPCVD低压化学沉积依靠低压环境提升(),晶圆整片膜厚均匀
Ǩ.
气体分子平均自由程
ǩ.
反应温度
Ǫ.
沉积速率
ǫ.
原料消耗
Ǭ.
【答案:A】
ǭ.
922、PVD直流溅射仅适用()靶材,绝缘靶材必须改用RF射频溅射
Ǯ.
导电金属
ǯ.
陶瓷绝缘
ǰ.
石英
DZ.
光刻胶
Dz.
【答案:A】
dz.
923、干法刻蚀各向异性依靠等离子离子定向轰击,实现()垂直侧壁沟槽
Ǵ.
垂直形貌
ǵ.
全向均匀腐蚀
Ƕ.
低温湿法效果
Ƿ.
快速大面积去除
Ǹ.
【答案:A】
ǹ.
924、光刻前晶圆表面颗粒超标,会直接造成光刻()、断线、孔洞缺陷
Ǻ.
图形缺失短路
ǻ.
栅氧变薄
Ǽ.
掺杂偏移
ǽ.
薄膜增厚
Ǿ.
【答案:A】
ǿ.
925、光刻胶前烘目的:去除胶内有机溶剂,防止()曝光、显影异常
Ȁ.
溶剂挥发鼓泡、粘版
ȁ.
胶体固化过快
Ȃ.
感光失效
ȃ.
厚度骤增
Ȅ.
【答案:A】
ȅ.
926、光刻曝光后PEB后烘消除驻波效应,改善()边缘形貌
Ȇ.
光刻胶图形
ȇ.
硅衬底
Ȉ.
氧化层
ȉ.
金属层
Ȋ.
【答案:A】
ȋ.
927、正性光刻胶曝光区域化学键断裂,可被()TMAH显影液溶解去除
Ȍ.
碱性
ȍ.
酸性
Ȏ.
纯水
ȏ.
有机溶剂
Ȑ.
【答案:A】
ȑ.
928、负胶曝光后交联固化,仅()区域被显影液溶解冲掉
Ȓ.
未曝光
ȓ.
全部胶体
Ȕ.
衬底界面
ȕ.
表层薄膜
Ȗ.
【答案:A】
ȗ.
929、浸没式ArF光刻机在镜头与晶圆间填充超纯水,提升光学()增大分辨率
Ș.
数值孔径NA
ș.
曝光功率
Ț.
光源波长
ț.
景深
Ȝ.
【答案:A】
ȝ.
930、EUV光源13.5nm极紫外,工作环境必须高真空,原因()极易被空气吸收
Ȟ.
EUV光子
ȟ.
光刻胶
Ƞ.
超纯水
ȡ.
工艺气体
Ȣ.
【答案:A】
ȣ.
931、离子注入机磁分析器作用:利用磁场偏转筛选(),剔除杂质离子
Ȥ.
目标掺杂离子
ȥ.
高能电子
Ȧ.
中性粒子
ȧ.
环境粉尘
Ȩ.
【答案:A】
ȩ.
932、离子注入能量决定杂质(),注入剂量决定硅片掺杂浓度高低
Ȫ.
纵向注入深度
ȫ.
横向扩散范围
Ȭ.
导电类型
ȭ.
晶格方向
Ȯ.
【答案:A】
ȯ.
933、晶圆背面研磨减薄主要用于功率器件,目的提升()利于散热封装
Ȱ.
芯片导热能力
ȱ.
有源区耐压
Ȳ.
开关速度
ȳ.
掺杂均匀性
ȴ.
【答案:A】
ȵ.
934、晶圆划片采用金刚石砂轮刀片,切割时持续喷水作用()冷却+冲掉硅屑
ȶ.
降温除尘
ȷ.
稀释杂质
ȸ.
腐蚀划片槽
ȹ.
软化硅片
Ⱥ.
【答案:A】
Ȼ.
935、CP探针测试在划片前整片晶圆测试,筛除裸片不良,节省后续()成本
ȼ.
封装
Ƚ.
流片
Ⱦ.
版图
ȿ.
设计
ɀ.
【答案:A】
Ɂ.
936、封装前KGD良品裸片:经过CP全检+可靠性预筛选,避免不良晶粒封装
ɂ.
已知合格裸片
Ƀ.
划片完好硅片
Ʉ.
研磨后晶圆
Ʌ.
镀膜后晶片
Ɇ.
【答案:A】
ɇ.
937、先进制程铜互连层数可达10层以上,顶层厚金属主要用于()
Ɉ.
电源主干布线
ɉ.
栅极连线
Ɋ.
源漏引出
ɋ.
通孔填充
Ɍ.
【答案:A】
ɍ.
938、天线效应根源:长条金属光刻积累静电电荷,击穿底层()造成器件报废
Ɏ.
栅氧化层
ɏ.
氮化硅钝化层
ɐ.
二氧化硅介质
ɑ.
硅衬底
ɒ.
【答案:A】
ɓ.
939、版图Guard Ring保护环围绕敏感电路,抑制CMOS()闩锁失效
ɔ.
Latch-up
ɕ.
ESD击穿
ɖ.
漏电增大
ɗ.
阈值漂移
ɘ.
【答案:A】
ə.
940、CMP工艺三要素:抛光液、抛光垫、()共同决定研磨平整度
ɚ.
工艺压力转速
ɛ.
环境温度
ɜ.
车间湿度
ɝ.
晶圆尺寸
ɞ.
【答案:A】
ɟ.
941、硅片CMP终点侦测依靠光学检测,防止()过磨伤及有源器件
ɠ.
薄膜过度研磨
ɡ.
研磨不足残留介质
ɢ.
颗粒划伤晶圆
ɣ.
磨料嵌入硅片
ɤ.
【答案:A】
ɥ.
942、超纯水18.2MΩ·cm指标,管控水中()杂质,避免污染晶圆
ɦ.
微量金属离子
ɧ.
溶解氧气
ɨ.
氮气
ɩ.
二氧化碳
ɪ.
【答案:A】
ɫ.
943、FOUP晶圆盒氮气吹扫目的:隔绝水汽氧气,防止硅片生成()
ɬ.
原生氧化层
ɭ.
金属镀层
ɮ.
表面杂质颗粒
ɯ.
晶格缺陷
ɰ.
【答案:A】
ɱ.
944、Fab洁净室颗粒管控以()μm微粒作为洁净度定级基准
ɲ.
0.5
ɳ.
1.0
ɴ.
5.0
ɵ.
10
ɶ.
【答案:A】
ɷ.
945、FFU风机过滤单元滤芯常用HEPA,过滤≥99.99%的()级悬浮颗粒
ɸ.
0.3μm
ɹ.
1μm
ɺ.
5μm
ɻ.
10μm
ɼ.
【答案:A】
ɽ.
946、特气管道吹扫采用高纯氮气,置换管道内部空气,防止()混合爆炸
ɾ.
可燃工艺气体与空气
ɿ.
水汽
ʀ.
粉尘
ʁ.
酸性废液
ʂ.
【答案:A】
ʃ.
947、腔体PM预防性保养清除内壁沉积物,避免制程中脱落形成()缺陷
ʄ.
晶圆颗粒
ʅ.
掺杂异常
ʆ.
膜厚不均
ʇ.
光刻偏移
ʈ.
【答案:A】
ʉ.
948、椭偏仪无损检测薄膜(),无需破坏晶圆
ʊ.
厚度与折射率
ʋ.
方块电阻
ʌ.
击穿电压
ʍ.
掺杂浓度
ʎ.
【答案:A】
ʏ.
949、四探针测试仪测量硅片(),快速判定掺杂工艺是否合格
ʐ.
方块电阻
ʑ.
膜厚
ʒ.
漏电电流
ʓ.
阈值电压
ʔ.
【答案:A】
ʕ.
950、SEM扫描电镜用于观察芯片()剖面形貌,分析刻蚀、CMP工艺异常
ʖ.
微观剖面
ʗ.
电性参数
ʘ.
掺杂含量
ʙ.
绝缘耐压
ʚ.
【答案:A】
*
15
## 模块16 分立器件与功率半导体细分(951~1000)
该题配额已满,无法继续作答,请联系发布者
A.
951、功率半导体三大应用场景:新能源、工控变频、()
B.
消费电源
C.
逻辑运算
D.
图像采集
E.
射频通信
F.
【答案:A】
G.
952、N沟道MOS导通条件:栅源电压VGS()开启电压Vth
H.
大于
I.
小于
J.
等于
K.
无电压要求
L.
【答案:A】
M.
953、P沟道MOS导通条件:栅源电压VGS()开启电压绝对值
N.
低于
O.
高于
P.
等于
Q.
悬空即可
R.
【答案:A】
S.
954、肖特基二极管依靠金属-半导体结,优势是()、反向恢复极快
T.
正向压降低
U.
反向耐压极高
V.
结电容大
W.
高温漏电小
X.
【答案:A】
Y.
955、快恢复FRD二极管适配高频逆变,特点()反向恢复时间短
Z.
开关迅速
[.
正向压降大
\.
耐压偏低
].
只能工频使用
^.
【答案:A】
_.
956、TVS瞬态抑制二极管并联在信号端口,浪涌来时瞬间()保护后端芯片
`.
钳位泄放浪涌电流
a.
串联分压
b.
断开回路
c.
稳压输出
d.
【答案:A】
e.
957、齐纳稳压二极管工作在()区实现稳压功能
f.
反向齐纳击穿
g.
正向导通
h.
截止
i.
雪崩击穿
j.
【答案:A】
k.
958、晶闸管SCR可控硅导通条件:阳极正偏+()施加正向触发电流
l.
门极
m.
阴极
n.
衬底
o.
外壳
p.
【答案:A】
q.
959、IGBT等效为MOS驱动BJT复合器件,兼具MOS易驱动与BJT()优势
r.
高压大电流
s.
高频高速
t.
极低导通压降
u.
超低功耗
v.
【答案:A】
w.
960、NPT型IGBT适合工频大功率,FS-Trench沟槽IGBT优势()导通损耗更低
x.
沟槽结构减薄漂移区
y.
耐压更高
z.
成本更低
{.
工艺简单
|.
【答案:A】
}.
961、SiC MOS相比硅IGBT,开关损耗可降低约(),高频优势显著
~.
70%以上
.
20%以内
.
50%
.
30%
.
【答案:A】
.
962、硅基GaN HEMT为常开/常闭结构,快充产品主流选用()型器件
.
增强型常关
.
耗尽型常开
.
双向导通
.
可控触发
.
【答案:A】
.
963、IPM智能功率模块集成功率芯片、驱动IC、()一体化封装
.
过流过热保护电路
.
存储单元
.
MCU主控
.
射频电路
.
【答案:A】
.
964、功率模块DBC基板三层:上铜层、陶瓷绝缘层、()
.
下铜散热层
.
环氧树脂层
.
硅衬底层
.
金属外壳
.
【答案:A】
.
965、功率模块内部填充硅凝胶,作用绝缘、缓冲应力、()
.
防潮防尘保护芯片
.
导电连接晶粒
.
固定外壳
.
提升导热
.
【答案:A】
.
966、车规功率器件AEC-Q101标准针对()分立功率半导体可靠性
.
分立式功率器件
.
逻辑集成电路
.
存储芯片
.
传感器
.
【答案:A】
¡.
967、光伏逆变器MPPT回路开关管,高压机型逐步由硅MOS升级为()
¢.
SiC MOS
£.
普通BJT
¤.
晶闸管
¥.
肖特基
¦.
【答案:A】
§.
968、便携式储能高压逆变采用GaN器件,实现电源()小型轻量化
¨.
功率密度提升
©.
输入电压降低
ª.
输出电流变小
«.
散热体积变大
¬.
【答案:A】
.
969、工业电焊机逆变电源核心功率器件常用()IGBT模块
®.
中高压大功率
¯.
低压小信号MOS
°.
射频GaN
±.
整流二极管
².
【答案:A】
³.
970、充电桩OBC车载充电机全SiC方案优势:整机效率提升、()
´.
散热器体积缩小
µ.
母线电压下降
¶.
输入电流变大
·.
成本大幅下降
¸.
【答案:A】
¹.
971、MOSFET导通电阻Ron随芯片面积增大而(),代价芯片成本上升
º.
减小
».
增大
¼.
不变
½.
无规律
¾.
【答案:A】
¿.
972、雪崩击穿是PN结反向电压过高,载流子碰撞倍增,造成()激增
À.
反向漏电流
Á.
正向压降
Â.
导通电阻
Ã.
开关速度
Ä.
【答案:A】
Å.
973、功率器件并联使用目的:提升(),满足大电流工况需求
Æ.
通流能力
Ç.
耐压等级
È.
开关频率
É.
反向耐压
Ê.
【答案:A】
Ë.
974、功率器件串联使用主要用来提升整体(),适配高压回路
Ì.
额定耐压
Í.
导通电流
Î.
开关速度
Ï.
正向压降
Ð.
【答案:A】
Ñ.
975、MOS体二极管是寄生PN结,开关电源中可充当()续流二极管
Ò.
无源续流
Ó.
有源整流
Ô.
稳压钳位
Õ.
ESD防护
Ö.
【答案:A】
×.
976、驱动电阻串联在功率管栅极,用来调节(),抑制EMI电磁干扰
Ø.
开关快慢
Ù.
导通压降
Ú.
额定电流
Û.
反向耐压
Ü.
【答案:A】
Ý.
977、SiC肖特基无反向恢复电流,大幅降低高频电路()开关损耗
Þ.
续流损耗
ß.
导通损耗
à.
静态损耗
á.
漏电损耗
â.
【答案:A】
ã.
978、风电变流器大功率IGBT模块多采用()水冷散热提升散热效率
ä.
液冷
å.
自然风冷
æ.
散热片空冷
ç.
导热胶散热
è.
【答案:A】
é.
979、TO-247封装多用于中大功率分立MOS/IGBT,突出优势()散热面积大
ê.
散热优良
ë.
体积小巧
ì.
贴片安装
í.
低成本小功率
î.
【答案:A】
ï.
980、SOT-23贴片封装适用()小信号MOS、二极管、三极管
ð.
低压小功率
ñ.
高压大功率
ò.
车规功率模块
ó.
光伏主功率管
ô.
【答案:A】
õ.
981、功率器件高温HTOL老化试验,在额定电压+高温下长期通电筛选()
ö.
早期失效器件
÷.
良品芯片
ø.
封装完好产品
ù.
参数达标器件
ú.
【答案:A】
û.
982、HTRB高温反偏试验针对二极管、MOS,考核()高温耐压稳定性
ü.
反向耐压
ý.
正向导通
þ.
开关速度
ÿ.
导通电阻
Ā.
【答案:A】
ā.
983、功率模块冷热循环TCT试验,失效高发在DBC铜瓷结合面,诱因()
Ă.
铜与陶瓷热胀系数差异
ă.
灌封胶过硬
Ą.
晶粒过重
ą.
引线应力
Ć.
【答案:A】
ć.
984、第三代功率器件量产良率短板集中在SiC()栅氧化层工艺
Ĉ.
栅介质制备
ĉ.
衬底切割
Ċ.
晶圆研磨
ċ.
封装塑封
Č.
【答案:A】
č.
985、半绝缘SiC衬底主要用于外延()射频GaN器件
Ď.
高频功放
ď.
车载功率MOS
Đ.
快充开关管
đ.
光伏逆变器件
Ē.
【答案:A】
ē.
986、氧化镓Ga₂O₃器件产业化方向聚焦()千伏级超高压整流领域
Ĕ.
超高压大功率
ĕ.
低压消费快充
Ė.
手机射频
ė.
工控小信号
Ę.
【答案:A】
ę.
987、快充氮化镓芯片集成驱动IC,简化外围PCB,降低整机()元器件数量
Ě.
外围器件
ě.
芯片耐压
Ĝ.
输入电压
ĝ.
输出功率
Ğ.
【答案:A】
ğ.
988、新能源800V整车平台普及,直接拉动()SiC功率器件需求量
Ġ.
高压碳化硅
ġ.
低压硅MOS
Ģ.
普通IGBT
ģ.
硅二极管
Ĥ.
【答案:A】
ĥ.
989、功率器件选型关键三参数:额定电压、额定电流、()
Ħ.
导通电阻/开关损耗
ħ.
封装颜色
Ĩ.
晶圆厚度
ĩ.
引脚数量
Ī.
【答案:A】
ī.
990、MOS栅极输入阻抗极高,闲置悬空易感应静电,设计需加()下拉电阻
Ĭ.
栅极泄放电阻
ĭ.
串联功率电阻
Į.
并联电容
į.
稳压二极管
İ.
【答案:A】
ı.
991、电源电路RC吸收回路并联在功率开关两端,吸收()抑制尖峰电压
IJ.
开关尖峰能量
ij.
直流功耗
Ĵ.
输入浪涌
ĵ.
静态电流
Ķ.
【答案:A】
ķ.
992、硅功率器件极限结温常规125℃,SiC器件可长期耐受()高温
ĸ.
175℃以上
Ĺ.
125℃
ĺ.
85℃
Ļ.
70℃
ļ.
【答案:A】
Ľ.
993、功率模块灌封硅凝胶受潮,高温工作水汽产气易造成()绝缘击穿
ľ.
爬电距离不足
Ŀ.
晶粒脱落
ŀ.
引线断裂
Ł.
外壳开裂
ł.
【答案:A】
Ń.
994、国产功率IGBT主流应用:工控变频器、新能源车电控、()
ń.
光伏储能
Ņ.
手机电源
ņ.
射频功放
Ň.
图像传感
ň.
【答案:A】
ʼn.
995、MOSFET雪崩耐量指器件承受()雪崩冲击不损坏的能力
Ŋ.
瞬时反向过压
ŋ.
持续正向大电流
Ō.
高温静置
ō.
低温潮湿
Ŏ.
【答案:A】
ŏ.
996、同步整流电路用低压MOS替代肖特基二极管,目的降低()提升效率
Ő.
整流导通损耗
ő.
开关频率
Œ.
输入电压
œ.
输出电流
Ŕ.
【答案:A】
ŕ.
997、机车牵引大功率变流器采用压接式IGBT模块,优势()散热好、耐大电流
Ŗ.
压接封装
ŗ.
贴片封装
Ř.
插件TO封装
ř.
塑封小体积
Ś.
【答案:A】
ś.
998、GaN射频PA替代LDMOS,5G基站功放实现()小型化、高效率
Ŝ.
功率密度提升
ŝ.
工作电压下降
Ş.
功耗翻倍
ş.
散热体积变大
Š.
【答案:A】
š.
999、功率器件失效分析优先X光透视,排查()空洞、引线断裂等内部缺陷
Ţ.
封装内部
ţ.
晶圆表面
Ť.
PCB焊盘
ť.
外部引脚
Ŧ.
【答案:A】
ŧ.
1000、功率半导体国产替代优先落地工控、新能源、快充三大()放量市场
Ũ.
终端应用
ũ.
先进逻辑芯片
Ū.
EUV设备
ū.
超高纯光刻胶
Ŭ.
【答案:A】
答题卡
已答0
未答15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15